三、共柵級（Common-Gate Stage）

圖3.1.1 共柵級

圖1.1.1 電阻負載的共源級

1.分析與簡化

不嚴謹地說，共柵級與共源級是一樣的。回看單級放大器1中的電阻負載的共源級，與圖3.1.1相比，兩者最大的不同是共源級從柵極輸入信號，而共柵級從源極輸入信號。

兩者相同點在于，都是通過改變M1的VGS產生小信號電流，流經負載產生輸出信號。 這樣去理解，那我們的思路就豁然開朗了。

但分析兩者之間的區別對我們來說才是重要的，有以下2個不同：

①共柵級以源極為信號輸入端，輸入阻抗小；②共柵級的源極與襯底之間存在電位差，需要考慮襯底偏置效應（體效應）。

2.重要指標的推導

因此，共柵級的等效跨導由gm1變為(gm1+gmb1)：

gm1 → (gm1+gmb1)

可見體效應增大了共柵級的等效跨導。

輸入阻抗為：

R in =1/(gm1+gmb1)

******可見體效應進一步減小了共柵級的輸入阻抗。

輸出阻抗與共源級一致：

Rout=RD||ro1

故增益為：

**** |Av| =**(gm1+gmb1)( RD||ro1 ****** )

可見體效應增大了共柵級的增益。

3.共柵級的特點

①可以****用作阻抗變換。 輸入阻抗是晶體管跨導的函數，可以通過改變晶體管偏置條件控制輸入阻抗，在阻抗匹配中很有用。

② 增益比共源級略大。 體效應增大了共柵級的等效跨導。

四、共源共柵級（Cascode Stage）

圖4.1.1 電阻負載的共源級

這一部分非常重要！！！！！！用得很多！！！！！！

但是我懶得寫了，大同小異，大概就是共源級+共柵級。

最主要這幾個特點：

①輸出阻抗很大。可以參考我MOS等效輸入阻抗那篇文章。

②增益很大。輸出阻抗很大，所以增益也很大。

③限制輸出動態范圍（Swing）。同一條支路堆疊了更多的MOS，要保證其一直工作在飽和區，就需要消耗一定的壓降。

因此，輸出電壓的最大值、最小值都會受到限制。可以采用折疊共源共柵緩解這個問題，但是會增加功耗。

④屏蔽特性。因為增益很大，所以輸出端的電壓變化基本上不會影響到輸入端。