Littelfuse公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、
45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
耗盡型MOSFET CPC3981Z
與標準SOT-223封裝相比,這款新產品的SOT-223-2L封裝去掉了中間引腳。這將漏極與柵極之間的引腳間距從1.386毫米增加到超過4毫米。爬電距離延長有利于開關模式電源設備(SMPS)或功率因數(shù)校正(PFC)啟動電路等更高電壓應用,因為設計人員可以避免昂貴的保形涂料或灌封。
CPC3981Z的主要區(qū)別在于其改進型SOT-223-2L封裝,使設計人員能夠利用小型分立器件滿足更高電壓應用所需的延長爬電距離。由于爬電距離更大,CPC3981Z提高了電路的可靠性,并有助于節(jié)約成本。CPC3981Z的800V額定阻斷電壓使其成為工業(yè)、能源、電信和LED照明應用的理想選擇,包括:
常開開關,
電源,
啟動電路,
固態(tài)繼電器,
電流調節(jié)器,以及
恒流源
耗盡型MOSFET引腳之間增加的距離簡化了寬輸入電壓電源的隔離管理,并支持緊湊的印刷電路板布局。
Littelfuse集成電路和MCU產品管理總監(jiān)Mark P. Smith表示:“Littelfuse很榮幸能夠提供業(yè)界最廣泛的耗盡型MOSFET產品組合之一,CPC3981Z進一步鞏固了我們的地位。這是我們低成本耗盡型MOSFET系列的新成員,采用新型SOT-223-2L封裝,對于要求高達800V寬輸入電壓范圍的應用來說,是絕佳解決方案。”
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:[新品介紹]改進型SOT-223-2L封裝的800V N溝道耗盡型MOSFET
文章出處:【微信號:Littelfuse_career,微信公眾號:力特奧維斯Littelfuse】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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