一、

在工業應用中經常使用EEPROM來存儲數據，為降低成本、節省PCB空間，外部EEPROM可以用片內Flash加上特定的軟件算法代替。

因為片內Flash的擦寫次數有限，所以要加上特定算法來增加使用壽命。此算法ST提供了歷程，我們可以移植到我們的程序里直接使用，比較方便。

二、源碼移植

移植很簡單，一共兩個文件“eeprom.c"，"eeprom.h"，移植前需要準備選擇至少2塊連續大小相同的flash扇區，示例程序中選用的是16K大小的2、3扇區。現在打開“eeprom.h”文件。移植時需要修改的內容：

好了移植完成，注意此源碼是基于HAL庫的，也可以自己修改flash讀寫程序，之前我將這個移植到GD的芯片，這個還是很方便的。

三、使用方法

在“eeprom.h”文件中的最下方可以看到對外的功能函數

我們首先需要將EE_Init()函數在主函數中調用初始化。剩下兩個EE_ReadVariable( uint16_t VirtAddress, uint16_t* Data )和EE_WriteVariable( uint16_t VirtAddress, uint16_t Data )函數是我們將用到的FLASH讀寫函數。

這里需要注意這兩個函數都有一個輸入參數，這是一個虛擬地址，也就是一個將來尋找我們存儲內容的地址。

例如，示例程序中，要存儲3個變量值，分別給這3個變量一個虛擬地址，0x5555, 0x6666, 0x7777 當然你也可以不用這個三個值作為虛擬地址。

將VarValue值分配虛擬地址為0x5555后通過EE_WriteVariable函數寫入flash，然后根據0x5555這個地址使用EE_ReadVariable函數將剛剛存儲的值讀到VarDataTab數組里。如下圖。

使用起來同樣簡單。