HUSB383A是一款高性能、高集成度的USB雙C口控制器。它集成了兩個超低RDSON的N-MOSFET，外圍只需少量元器件，一顆HUSB383A即可實現雙C口充電解決方案。其單C口支持最高65W快充；在其雙口工作時，共享5V電壓，總電流可配置。其采用QFN-32L (4 mm x 4 mm)封裝，支持多種主流協議并集成了所有必要的保護功能，適用于電源適配器及車充等應用。

HUSB383A集成了兩個超低RDSON的N-MOSFET，可簡化電路設計，在應用時僅需少量外圍器件，就可完成設計，可減小整體方案的尺寸，節省電路板空間，有效降低BOM成本。

（HUSB383A典型應用電路圖）

基于HUSB383A的雙C快充電源設計實現了單顆芯片控制雙口快充的需求，節省充電器次級元件數量。當單C口工作時，支持65 W以內快充；當雙C口同時工作時，輸出電壓為5 V。HUSB383A還有輕載檢測功能，自動識別端口是否有電纜。帶給您物超所值的極致快充體驗！

（HUSB383A demo實物圖）

HUSB383A內置超低阻抗的N-MOS，能輕松應對大電流抽載應用，在大電流（比如3.25 A）工作狀態下可以降低功率損耗。一方面，低阻抗有效地減少了放電電流在路徑上的損耗；另一方面，更低的導通損耗，意味著更低的IC發熱量，即使在面積狹小的PCB空間下，用戶也能從容應對系統熱設計。

下圖可以看到HUSB383A PD Demo 在輸入20V，輸出65W條件下，常溫環境老化10分鐘的溫升測試，溫升在30℃左右。

（HUSB383A兩個Type-C口溫升測試圖）

HUSB383A兼容多種主流快充協議：BC1.2 DCP、Apple 2.4A、QC2.0/3.0/QC3+、AFC、FCP、SCP、PE1.1+協議。提供更大的靈活性和互操作性，匹配您的充電需求。

集成了多重保護措施：過壓保護 (OVP)、欠壓保護 (UVP)、欠壓鎖定 (UVLO)、過流保護（OCP）、快速過流保護（FOCP) 、CC 或 DPDM 過壓保護（端口OVP）、過熱保護（OTP）和熱關斷（TSD）。為充電器安全運行保駕護航。

產品特性

符合 USB Type-C 2.1 和 USB PD3.1 標準

-支持 5 V、9 V、12 V、15 V 和 20 V 電壓

-支持 2 個可編程 APDO

支持 BC1.2 DCP 和 HVDCP 協議

-BC 1.2 DCP 模式

-蘋果 5V 2.4A 模式

-QC2.0/3.0/QC3.0+ A 級或 B 級

- AFC、FCP 和 LVSCP/HVSCP

- PE 1.1+

支持 2 端口應用 (2C)

低至 5 mA 的輕負載檢測

集成內部 N-MOSFET

支持恒壓環路（CV）和恒流環路（CC）控制

多種電纜補償選項

集成 OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP、CC/DPDM OVP、TSD 和 OTP 保護

QFN-32L（4 毫米 x 4 毫米）封裝

USB IO 引腳的 ±4 kV HBM ESD 額定值

關于慧能泰半導體

深圳慧能泰半導體科技有限公司是一家專注于智慧能源控制技術的公司，主要面向智能快充和數字能源領域，提供高性能數模混合芯片產品。公司總部設立在深圳前海，同時在上海、浙江杭州、美國加州設有研發中心。慧能泰的核心研發團隊來自國內外頂尖半導體公司，擁有強大的研發創新能力。公司現已獲多項授權專利，擁有獨立自主知識產權，并于2020年被評為“高新技術企業”，2023年獲評國家級專精特新“小巨人”企業。

目前，慧能泰已完成了圍繞USB Type-C生態鏈的整體產品布局，開發并量產了多款產品：供電端的多系列PD Source協議芯片，受電端的高性能PD Sink(PD 誘騙芯片)、Type-C端口控制器（CC Logic），線纜端的USB eMarker（電子標簽芯片）。成立以來，慧能泰連續推出多款業界領先的產品并廣受市場歡迎。公司芯片出貨量2億顆，標桿性客戶有聯想、小米、三星、HP、貝爾金和努比亞等。同時，慧能泰也致力于提高能源利用效率、研究能源控制技術，借助自身的技術研發優勢，面向ICT（通信服務器）、數據中心、光伏逆變器、儲能等工業應用，研發數字電源控制芯片、高壓驅動芯片、電源轉換芯片和模塊等產品。

慧能泰半導體肩負著“芯智慧 芯能源，共建綠色未來”的使命，立志成為業界領先的智慧能源控制技術供應商。

審核編輯：湯梓紅