高速SerDes的數據和時鐘通路上需要很多buffer,傳統CML buffer的有限帶寬往往限制系統的奈奎斯特頻率,采用電阻負載串聯無源電感的方式理論上最大可將帶寬boost 1.8倍左右,大量無源器件的引入無疑增大了研發成本。本期跟大家聊聊如何通過有源器件實現電感特性,從而實現低功耗、高帶寬以及小的芯片面積。
**1 **CML buffer
我們先一起回憶一下PI一講中PI的整體框圖 ,如圖1所示。圖中的DCC Circuit、Clock Buffer、Phase Mixer、Limiting Amplifier電路都是CML 結構或其變形。當時鐘頻率為5GHz時,圖1所示結構,功耗輕易就能達到20mA,隨著時鐘頻率的進一步提升,即使不care功耗,傳統CML結構Buffer也很難滿足如此高的頻率。
將CML Buffer的電阻負載換成有源電感,可在低頻處引入零點,從而boost CML Buffer的帶寬,實現低功耗、高帶寬、小面積。
Fig1. Block diagram of PI
文獻[2]給出的phase mixer,同樣采用CML結構,如圖2所示。通過調整負載電阻、電容及尾電流的大小在20 nm CMOS工藝下實現0.5-16.3 Gbps的寬頻率范圍內的線性插值。
Fig2. Ref[2]proposed bandwidth adjustable phase mixer
**2 ** (Active)Inductor
2.1 Working principle and application of active inductor
將圖2相位差值器的電阻負載換成有源電感負載 即可實現帶寬拓展,如圖3所示。
Fig3. PI mixer with active inductor load
設與圖3負載管MP1相連的電阻電容分別為Rg和Cgs,MP1柵漏寄生電容為Cgd,畫出有源負載的小信號等效模型,如圖4所示。
Fig4. Active inductor load and small-signal equivalent model
列出圖4中Vx和Vout節點的KCL方程
KCL@Vx:(Vout-Vx)/[Rg//(1/sCgd)]=sCgsVx,得:Vx=Vout/(1+s[Rg//(1/sCgd)]Cgs)
KCL@Vout:Iout=gMp1Vx+Vout/r oMp1 +(Vout-Vx)/[Rg//(1/sCgd)]
可得,Zout為Zout=Vout/Iout=(1+s[Rg//(1/sCgd)]Cgs)/(s(Cgs+[Rg//(1/sCgd)]Cgs/r ~oMp1~ )+(g ~Mp1~ +1/r ~oMp1~ ))
由Zout表達式可得,在1/Rg(Cgs+Cgd)處存在一個左半平面低頻零點,Zout的幅頻特性曲線,如圖5所示,圖中的R為Rg,gm為MP1的跨導。合理設置R、Cgs及gm可實現不同頻率的補償。
Fig5. Active inductor small-signal impedance versus frequency
圖6給出了傳統CML buffer及有源電感負載buffer的幅頻特性曲線,可見采用有源電感結構不僅可以boost高頻分量及帶寬,而且可以衰減低頻分量。換句話說有源電感負載結構可以看作一個帶通濾波器,抑制了低頻噪聲、DCD、dc offset,增大了帶寬,有利于減小時鐘jitter,同時提高INL。
Fig6. CML stage small-signal gain versus frequency for resistive load(dashed line) and active inductor load(solid line)
參考文獻[4-5]同樣采用有源電感負載實現與圖6相同的功能,參考文獻[4]仿真結果如圖7所示。
Fig7. Simulated frequency response of active inductor clock buffer circuit
參考文獻[5]將有源電感負載結構用在了基于16 nm FinFET CMOS工藝的32.75 Gbps的SerDes中,PI結構如圖8所示,左上角給出的PI線性度曲線,可見其具有非常好的線性度。
Fig8. Active inductor based low power linear PI
2.2 applicationof passive inductor
之前跟大家聊過一期無源電感,無源電感除了面積大外,似乎沒有什么別的缺點。LCVCO中的電感線圈面積可以輕松到達幾百um^2^,LCVCO高Q值的需求,使其無法采用太多層金屬堆疊繞制成大感值小面積的電感。
在某些場合,適當引入小尺寸的無源電感,會簡化你的設計,如Tx輸出和Rx輸入。圖9給出了Rx輸入端的等效電路。
不同于LCVCO,Rx輸入端利用電感兩端電流不能突變特性來產生零點,進而拓展Rx輸入端帶寬。圖9要滿足0.5-16.3 Gbps的數據通信,這里利用電感的交流特性實現寬頻率范圍內的50Ω阻抗匹配(假設直流電阻已精確校準)
Fig9. Rx input stage
圖10給出了Rx輸入端半邊等效電路,T-coil結構電感將端接電阻和PAD電容分離,利用電感兩端電流不能突變的原理,當Rx輸入級電流階躍信號來臨時,只給PAD電容充電,初始時刻由于電感對電流的阻塞作用,不會分流到端接電阻,從而實現快速頻率響應。
Fig10. Passive input network with T-coil
3 Consideration anddiscussion
Rx輸入端T-coil結構電感Layout上如何實現?抽頭系數、感值如何確定?圖9放大器有什么特別之處嗎?采用什么結構?該如何實現?50Ω阻抗匹配又該如何實現?
-
寄生電容
+關注
關注
1文章
294瀏覽量
19329 -
CMOS工藝
+關注
關注
1文章
58瀏覽量
15717 -
CML
+關注
關注
0文章
32瀏覽量
19425 -
有源電感
+關注
關注
0文章
6瀏覽量
7313 -
SERDES接口
+關注
關注
0文章
28瀏覽量
3061
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論