瑞能半導體推出SiC晶圓系列產品

分為SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列

下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹~

01問

瑞能的SiC MOSFET系列產品有哪些優勢呢?

以12mΩ/1200V為代表的瑞能第二代平面柵碳化硅 MOSFET為例，將分為以下4點為您詳細解讀~

答

Part.1

在晶圓設計上通過優化JFET寬度、源極接觸區寬度等關鍵參數，采用更小的元胞尺寸，結合瑞能先進的SiC晶圓減薄技術，顯著提高了芯片單位面積的通流能力。

Part.2

工藝上持續優化CSL（電流擴展層）和外延層摻雜濃度、采用更薄的柵極氧化層結合柵氧氮化、溝道自對準等先進工藝，進一步降低導通電阻，在幾乎不增加工藝制造成本的同時，帶來極低的Ron,sp(比導通電阻率)。

Part.3

瑞能SiC MOSFET的通態電阻隨溫度變化較小，在175℃結溫時，導通阻抗仍可以保持在較低水平，該特性可以提升高溫系統效率，降低器件選型余量，在較高應用環境溫度下仍保持出色性能。

Part.4

瑞能SiC MOSFET命名規則標注在15V門極驅動電壓下的Rdson，提供在較低門極驅動電壓下工作的可能性，更容易在傳統設計中直接導入替換，并且SiC MOSFET產品經過了門極-12V~+24V偏壓的HTGB可靠性測試，門極直流耐壓范圍可達-30V~+35V，對應更大的門極驅動電壓范圍以及同類產品中最優秀的門極壽命(TDDB)表現。

02

瑞能SiC SBD產品有650V和1200V

兩種耐壓規格

以更小的芯片尺寸、更薄的晶圓厚度

提供最佳產品競爭力

問

請舉例說明瑞能的SiC SBD系列產品的優勢都有什么?

我將以最新一代的650V G6產品為例，為您做以下講解！

答

650V G6產品著重優化了肖特基接觸與PN結面積比例，有著超低Vf（標準值1.26V），而且通過外延摻雜濃度的優化以及晶圓減薄，得到了極低的通態阻抗。

經過優化設計的P+區域更好地保護了肖特基接觸部分。優化后的JTE結構增強了邊緣末端區域得到更高的器件耐壓 BV > 800V和超低的反向漏流Ir。實現了產品性能和可靠性的完美結合。

03

問

瑞能的SiC 晶圓系列產品包裝形式有哪些?

瑞能SiC晶圓產品可以提供未切割及切割等4種形式，以滿足不同客戶的需求。下面我以1200V/30A SiC SBD晶圓，舉例說明包裝的4種方式~

答

01產品型號：WB30SC120AL

包裝形式：未切割的整片晶圓

02產品型號：WBS30SC120AL

包裝形式：晶圓切割后附在藍膜(UV膜）

03產品型號：WBSF30SC120AL

包裝形式：晶圓切割后附在藍膜(UV膜）帶框

04產品型號：WBST30SC120AL

包裝形式：晶圓切割后華夫盒包裝

客戶也可提出訂制需求

指定晶圓包裝形式

SiC晶圓的廣泛應用場景

審核編輯：湯梓紅