我們平時在選型 TVS 二極管的時候會遇到一個寄生電容的參數，這個參數在一些通信類的接口中使用時，往往限制我們對于 TVS 二極管的選型。

并且這個寄生電容的大小也隨著 TVS 二極管的功率的大小呈正相關性。

首先，二極管的電容效應包括勢壘電容CB和擴散電容CD兩個部分。

勢壘電容CB（Cr）

在 PN 結的內部結構中，PN結空間內缺少導電的載流子，其電導率很低，因此相當于介質。

而PN結兩側的P區和N區，P區空穴多，N區電子多，因為擴散，會在中間形成內建電場區。N區那邊失去電子帶正電荷，P區那邊得到電子帶負電荷。

由于N 區和 P區積累了電子和空穴，其導電率很高，相當于金屬導體。從這一結構來看，PN結等效于一個兩個極板的電容器。

當PN結兩端加正向電壓時，PN 結導通，促進了電流的形成，PN結區域變窄，結中空間電荷量減少，相當于電容“放電”。

當PN結兩端加反向電壓時， PN 結截止，PN結變寬，結中空間電荷量增多，相當于電容“充電”。

這種現象可以用一個電容來模擬，我們稱之為勢壘電容。

這個勢壘電容的大小可以理論的計算一下：

當外加電壓有△U 的變化時，電荷有△Q 的變化，假設兩邊的距離為 Xd 時。勢壘電容為：

利用勢壘電容和電壓的關系設計變容二極管

勢壘電容與普通電容不同之處，在于它的電容量并非常數，而是與外加電壓有關。當外加反向電壓增大時，勢壘電容減小；反向電壓減小時，勢壘電容增大，如下圖的特性曲線。

目前廣泛應用的變容二極管，就是利用PN結電容隨外加電壓變化的特性制成的。