華虹宏力“半導體結構及其形成方法”專利獲授權
上海華宏利半導體制造有限公司就“半導體結構及其形成方法”申請專利，申請公告日為11月17日，申請公告號為cn113921595b。
專利摘要據半導體結構及其形成的方法中，半導體結構包括如下：第一夾雜著離子的電路板；位于基板內的深谷結構、機關和深深的凹槽結構位于上方的雜質區域切斷，位于阻擋摻雜區上的第一外延層，第一外延層內的體區，至少一部分是所述深谷位于結構的上部。位于本體內的發源區，本體區露出發源區的部分表面。柵極位于第一外延層，與深谷結構相鄰的基板上，柵極接觸本體區和發源區暴露的表面。位于襯底底部的集電區，第2面露在集電區表面，集電區與深槽結構底部之間有集電區的間隔。通過這種半導體結構，絕緣柵晶體管的性能得到了提高。
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