據調查公司trendforce稱，英偉達計劃引進更多的hbm3超高帶寬存儲芯片供應商，構建更加穩定的供應鏈，其中三星hbm3 （24gb）將于2023年12月完成驗證。新一代hbm3e將在2024年q1之前完成產品驗證。

據機構統計，美光公司于2023年7月末向英偉達提供了hbm3e 8hi（8段24gb）樣品，8月中旬和10月初分別向sk海力士和三星提供了樣品。

由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業界預測，最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。

2024年，英偉達除了將在A100/A800、H100/H800等已有產品應用HBM芯片，新產品H200將搭載6顆HBM3e，下一代B100將搭載8顆HBM3e。此外，整合英偉達自家Arm架構CPU的超級芯片GH200、GB200也有望于2024年推出。

據amd和英特爾的產品企劃，amd將從2024年開始大量推出采用hbm3的mi300系列產品。新一代mi350將采用hbm3e，預計將于2024年下半年開始驗證。英特爾目前在gaudi 2上搭載了6個hbm2e，但計劃在2024年上市的gaudi 3上，將hbm2e增加到8顆。

機構預測說，將于2026年推出的新一代hbm4芯片將進一步提高英偉達等本公司芯片的規格和能源效率。hbm4的層數將從目前最高的12層（12hi）上升到2027年推出的16層。