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MOS結電容(下)MOS的結電容應用特性分解

冬至子 ? 來源:來電雜貨鋪 ? 作者:躬耕茍全 ? 2023-12-05 18:04 ? 次閱讀

整體思路

我們需要先將結電容與關斷波形聯系起來。三個結電容的容值是Vds電壓的函數,同時,電壓Vds的變化(dv/dt)又與結電容相關。在一定的時間里,兩者的變化是相互耦合的,那么有什么物理量 去量化一個特定器件的關斷特性呢

高中物理知識告訴我們答案: 電荷量

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考慮單獨一個結電容的電荷變化即可。電容隨時間變化,電壓也隨時間變化,但本質上在器件內部最具有物理意義的變化量是電荷量Q,它反映了在特定條件下,器件耗盡層中載流子的變化規律,同時也和宏觀上的電流對應起來。

基于這種原因,我們可以對上述公式對時間t進行微分處理

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我們知道,電荷對時間的導數就是電流。也就是說,在器件的開關過程中,流經結電容的電流可以分為兩個部分:一部分用于改變結電容的容值大小,另一部分用于形成動態的電壓變化。

如下圖是一個MOS的關斷波形。在A階段,DS電壓相對較低(例如0-30V),此時流經結電容的電流主要是在改變結電容的大小,而在B階段,結電容隨電壓變化很小了,電流主要用于產生正向的dv/dt,讓DS電壓上升,形成關斷。

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因此,關注器件的開關特性,一定要同時關注結電容和電荷。一般datasheet會給出某一個具體條件下的上升下降時間,這個時間只能粗略地反映開關速度,在實際的應用中,結電容隨電壓的變化曲線和Qg曲線才能幫你最全面地認識這個器件的開關特性。

具體實例1 --區分感性負載和阻性負載

我們探討過硬開關的過程,具體是以感性換流為例說明的。的確,電力電子的大部分應用領域,硬開關都是基于感性換流的,也就是說,常見的負載形式都是帶二極管鉗位的感性負載。但在一些場合,阻性負載也是存在的。

所謂阻性負載,就是指直接用器件控制電阻負載的接入與斷開。下圖是感性負載與阻性負載的模型示意圖。

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現在假設這兩個電路具有相同的輸入電壓和相同的關斷電流,那么這兩種模型的關斷過程會有哪些異同呢?

請看下面兩張圖,如果單獨只看Vds的電壓,你能分清哪一張是感性負載的關斷波形嗎?

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答案:紅色的波形是感性負載波形。

從Vds的波形看,紅色的波形Vds電壓快要達到母線電壓的時候,其dv/dt的變化是相對緩慢的,因為這一段對應著上管(無論是續流二極管還是MOS)的Vds電壓逐漸降至零,其寄生電容容值在低壓段顯著變大,而阻性負載是沒有這種可變電容結構的。

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舉這個例子,是想向大家說明,器件的開關波形并非雙脈沖測試給出的那樣一成不變的。如果把教科書上的波形奉為圭臬,就很容易形成思維定勢,陷入誤區耽誤項目進度。

具體實例2 --如何根據Datasheet進行開關器件的開關動態仿真

需要準備的工具:

讀點軟件,Excel,Simplis仿真軟件。

具體方法:

第一步:讀取需要仿真的開關器件的電容曲線。

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網上可以找到很多讀點軟件,這里我們就不詳細講解操作方法了。通過讀點,我們可以得到電容容值與Vds的關系。

第二步:將得到的點導入到Excel,近似轉換成Vds與電荷量的關系。

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以Coss為例,我們得到了Coss的電荷量Qoss與Vds電壓的關系,同樣的方法可以得到Qiss和Qrss。Qoss,Qiss分別與Qrss作差,就可以得到實際的結電容Cds,Cgs的電荷隨Vds的關系了,這種關系是可以導入到下一步的仿真模型里面的。

第三步:Simplis變電容MOS模型的建立

在Simplis仿真軟件中的Place 工具欄可以找到 Simplis Primitives選項,其中就有可變電容模型PWL Capacitor。可變電容模型再結合Voltage Controlled Switch 模型,可以組合搭建出變電容MOS模型如下圖。

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其中,C1,C2,C3分別是MOS的Cds,Cgs,Cgd三個電容。

例如為了導入C1的電容電荷曲線,只需雙擊C1,把第二步中的電荷電壓關系表格復制到編輯框中的表格區域即可。這樣Cds的模型就建立了,另外Cgs,Cgd電容同理。

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第四步:電路系統的搭建及仿真

結合自己需要仿真的電路類型,熟悉Simplis基本操作,自行搭建即可,這里我們就不具體引用了。

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