碳化硅（SiC）MOSFET并行連接能夠將所處理的功率分配并且形成能承載更大功率的設備，目的在于提升輸出電流的容量。由于這些并聯并不受熱不穩定性的影響，它們的組合應用通常比其他過時的元器件更易于實施和處理。在正常條件下，幾個并聯運行的單元通常能進行良好的運行，然而，在與溫度、電流和工作頻率相關的異常事件中，運行狀態可能變得極端，因此，必須采取一定的預防措施來創造防錯電路，以充分利用功率設備并聯連接帶來的優勢。

并聯連接碳化硅MOSFET應考慮的因素

在實際應用中，當電源設備具有相同的電氣特性以及相同的靜態和動態行為時，就可以進行并聯。然而，實際上，即使是同一模型的多個MOSFET之間，都可能存在一些微小差異，有可能觸發暫時的電壓尖峰和電流分布的不平衡。這個問題可能導致高電力損失，電路過熱甚至電子組件的損壞。因此，設計師需要設計電路，以便在所有工作條件下，電流在所有同類電源設備上都能保持平衡和均勻。

通道電阻(RDS(on))是MOSFETs的一個基本參數，影響操作因素，例如元器件的消耗、最大通流電流、系統效率和傳導損失。碳化硅（SiC）MOSFET的RDS(on)參數對溫度非常敏感，因此在設計帶有并聯設備的電路時必須小心。

不平衡分析

當MOSFET開啟時，小電流通過并聯的電子開關，在激活電阻成反比的情況下通過。顯然，電阻最低的設備引導通過更大的電流。然而，越過碳化硅（SiC）MOSFET具有正向溫度補償的特性，電路中會自然形成更自然的平衡，將元件熱損壞的程度降至最低。電流不平衡可能在過渡期間出現，特別是在上電和斷電時。

防止振蕩現象

振蕩是改變設備正確工作的高頻信號。MOSFET的特殊構造，構成了一個諧振電路，具有電容（C）和電感（L）。這兩個元素都是明顯的寄生元件。如果沒有外部的閥柵極電阻，諧振電路的Q因子將會非常高。這會在“柵極”和“源極”之間產生重要的振蕩信號，對應于“漏極”和“源極”之間的等價振蕩。過高的振蕩電壓可能會導致MOSFET操作的誤觸發或中斷。

解決方案和方案缺陷

現在，許多公司已經生產一些采用多個MOSFET并行連接的化硅碳（SiC）功率模塊。重要的是，RDS（on） 參數會降低，就像并聯電阻器連接時發生的情況一樣。通常，SiC MOSFET可以在沒有特殊措施的情況下進行并聯，因為當它們過熱時，其內部電阻會提高，盡管每個組件的固有差異，但他們分布的負載相當均勻。然而，顯然的這有兩個缺點：1.“柵極”容量的增加，導致SiC MOSFET的通電時間有所增加，這在高頻率下是不能接受的現象。2.開關和傳導損耗較高，總功率損耗較高。

碳化硅（SiC）MOSFET以其正溫度系數的特性進行靜態電流的共享和負反饋。如果一個設備的電流更大，那么它就會加熱，相應地增加其RDS(on)。這樣，過境電流降低，熱失衡級別也降低。此外，他們在溫度增高后切換損耗的增加非常小。最后，碳化硅（SiC）MOSFET的跨導曲線更加平滑，柵極電壓的小變化對電流的影響較小，易于在多個設備間進行動態的電流共享。