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森國科亮相第十四屆亞洲電源技術發展論壇

森國科 ? 來源:森國科 ? 作者:森國科 ? 2023-12-26 17:22 ? 次閱讀

2023年12月23日,由世紀電源網主辦的"第十四屆亞洲電源技術發展論壇深圳峰會"圓滿落幕,現場吸引了近3000名行業人士到場,與專家學者,名企代表們共同探討雙碳背景下,層出不窮的新技術、新產品、新方案如何加速消費電子、新能源領域等產業的蓬勃發展。在配套頒獎晚宴上,森國科憑借其在功率器件碳化硅和國產模擬IC領域的突出表現,贏得了業界的高度認可,一舉斬獲雙項榮譽大獎。

國產化進程提速

功率器件-SiC行業優秀獎

得益于多年的技術沉淀,森國科推出了自研的近百款碳化硅二極管、SiC MOSFET和SiC模塊產品,因其器件本身具備耐高頻、高效、耐高溫、耐高壓等優點,已被廣泛應用于各種與國民生活息息相關的領域,在新能源汽車中,主驅逆變器、DC/DC轉換器、車載充電機、充電樁、光伏和風電等領域等都能看到它的身影。

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展桌環節,森國科展示了最新的SiC產品圖景以及IGBT、超結MOS等行業新品,與會工程師們互相探討了目前功率器件在快充、光伏逆變器、工業電源等應用表現情況。

國產模擬IC卓越獎-入圍獎

作為國內領先的半導體企業,森國科一直致力于功率器件、功率IC的研發和創新,為客戶提供高性能、高品質的產品。自研的G2301B芯片是一款為控制 P&N溝道MOSFETs而設計的集成三路 Gate Driver IC。芯片內部有3個半橋驅動模塊,可同時驅動3個P溝道功率MOSFETs和3個N溝道功率MOSFETs,每一路輸出均由單一邏輯輸入信號控制,由MCU控制器來控制馬達工作于任意模式。內置死區時間和直通保護邏輯,防止上、下橋臂的功率管同時導通。內置輸入欠壓保護。G2301B封裝為 ESOP16。

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芯片特點

內置LDO,帶載能力強達100mA

P/N MOS半橋、三路輸出 P/N MOS

推薦輸入工作電壓范圍7V~28V

LDO3.3V/5V可選,且具有限流保護

內置過溫保護

內置輸入欠壓保護

內置死區時間

應用領域

電動按摩儀

家電

電動工具

低壓風機

水泵控制

未來,森國科也將繼續砥礪前行,不忘初心,朝著低碳化、節能化的目標繼續前行,持續加大第三代寬禁帶半導體的研發力度,進一步為國產化半導體事業的發展貢獻我們的力量。也期待能與更多優質客戶一同前行,創造更加美好的未來!

關于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業從事功率器件、模塊,功率IC的高新科技企業。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驅動芯片、無刷電機驅動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區,在深圳、成都、蘇州設有研發及運營中心。公司研發人員占比超過70%,研究生以上學歷占比50%,來自聯發科、海思、比亞迪微電子羅姆、華潤上華等機構,囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業大學等微電子專業知名院校。

森國科碳化硅產品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊,該產品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產品采用6寸車規級晶圓,具有高耐溫,高頻,高效,高壓特性,已穩步進入國內汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝,包括功率管及模塊的驅動、BLDC及FOC電機的驅動。經過5年的發展,該產品線的團隊在BCD工藝,UHV工藝、數?;旌稀㈦姍C驅動算法方面有深厚的積累。功率器件驅動芯片,已經大規模量產中低壓系列,即將推出高壓系列。在電機驅動芯片方面,已經推出單相BLDC散熱風扇電機系列,即將推出三相BLDC電機驅動系列。森國科在中金資本、北汽產投、藍思科技、凌霄股份、中科海創等股東的助力下,以低成本創新為己任,努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力,成為全球領先的功率半導體公司!

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:斬獲雙項大獎!森國科亮相第十四屆亞洲電源技術發展論壇

文章出處:【微信號:SGKS2016,微信公眾號:森國科】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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