AMAZINGIC晶焱科技:面板產(chǎn)品應(yīng)用的EOS最佳解決方案
近年來隨著各個顯示屏模組廠商在針對靜電放電(ESD) 防護(hù)方案愈加完善,較少出現(xiàn)產(chǎn)品在測試時或者生產(chǎn)中、后期出現(xiàn)ESD事件導(dǎo)致顯示屏損傷的情況,而是產(chǎn)品受EOS損傷的情況卻屢屢發(fā)生。EOS事件帶來的破壞往往是永久性的物理損傷,比如導(dǎo)致T-CON或Driver IC等芯片的I/O-GND短路,甚至短路后長時間通電出現(xiàn)的過熱,會導(dǎo)致內(nèi)部芯片或者模組本身被燒毀,從而出現(xiàn)嚴(yán)重的客訴問題。
一、EOS產(chǎn)生原因及測試標(biāo)準(zhǔn)
EOS的產(chǎn)生原因有很多,不只是產(chǎn)品在生產(chǎn)制造、測試中會出現(xiàn),產(chǎn)品在用戶日常使用中也會頻繁出現(xiàn),比如常見的帶電拔插操作、開關(guān)電源瞬間切換、雷擊磁場干擾等都會帶有EOS耦合到產(chǎn)品。而顯示屏模組作為產(chǎn)品的一個組件,EOS的來源更多的是來自主機(jī)板端或者測試設(shè)備的耦合干擾。當(dāng)然,在生產(chǎn)制造中帶電測試也是EOS來源之一,比如測試中員工帶電拔插connector,以及插錯轉(zhuǎn)接板等情況。
在針對EOS測試模擬中,業(yè)界最為廣泛使用的標(biāo)準(zhǔn)為IEC 61000-4-5 雷擊(lightning)、浪涌(surge)模擬測試。在顯示屏模組產(chǎn)品中,由于EOS事件產(chǎn)生原因不涉及到雷擊直接干擾,所以客戶要求均是以低壓浪涌模擬測試。測試波形常見為電壓波形1.2/50μs和電流波形8/20μs,測試設(shè)備等效輸出阻抗最常見為2Ω,即測試設(shè)備輸出10V浪涌電壓,理論最大脈沖電流為5A。但是在IEC 61000-4-5測試標(biāo)準(zhǔn)文件中,只有針對實驗測試設(shè)備及環(huán)境的設(shè)定規(guī)范,并沒有給出具體統(tǒng)一的測試標(biāo)準(zhǔn)電壓,所以廠商會根據(jù)不同的產(chǎn)品型號及應(yīng)用場景制定相應(yīng)的浪涌測試等級。在眾多的廠商測試規(guī)范中,晶焱總結(jié)了針對顯示屏模組常見的測試標(biāo)準(zhǔn)如下:
1. 適用于高速信號通信線路常見的浪涌電壓測試標(biāo)準(zhǔn)為11V ~ 25V (8/20μs by 2Ω),常見的測試接口有LVDS、V-by-one(VBO)、MIPI、eDP以及Touch SPI / I2C。
2. 適用于電源線路的測試常見的浪涌電壓測試標(biāo)準(zhǔn)為15V ~ 40V (8/20μs by 2Ω),常見的測試電源信號有DVDD、VDD1V8、VDDIO、VCI、VCC、ELVSS/ELVDD、AVDD、VSP/VSN、VGH/VGL等,但是由于模組產(chǎn)品的多樣性,部分產(chǎn)品電源線路測試等級可能更高,比如部分TV or monitor產(chǎn)品會要求測試90V for TCON or Driver IC 3.3V VCC/VDD power line。
當(dāng)然模組廠商們肯定不會僅僅停留在完成現(xiàn)有的基礎(chǔ)測試等級,大部分廠商會在通過客戶要求的測試標(biāo)準(zhǔn)后,不斷加高測試電壓直至模組相應(yīng)線路失效,以此記錄下線路最大浪涌電壓耐受值供內(nèi)部參考,用于對比不同IC型號及TVS保護(hù)方案的差異,以及不斷完善EOS測試標(biāo)準(zhǔn)。
二、EOS防護(hù)方案推薦
在選擇TVS方案時,可以根據(jù)TVS產(chǎn)品的IPP電流值大小,來預(yù)估計算TVS本身能夠抵抗住浪涌電壓的最大等級,以8/20μs by 2Ω設(shè)備輸出波形來計算,TVS最大浪涌保護(hù)電壓即Vsurge = IPP*2Ω+Vc_surge,其中Vc_surge為浪涌測試鉗位電壓值,該值越低,TVS越能防止后端IC先于浪涌電壓擊穿,即TVS保護(hù)效果越好。
晶焱科技針對顯示屏模組產(chǎn)品有著豐富的TVS保護(hù)方案供選擇,常見的保護(hù)方案如下:
1. 針對信號傳輸線路保護(hù)方案,主要選擇TVS產(chǎn)品的電容值參數(shù)不能太高,同樣IPP電流值要足夠大。常見方案為DFN2510封裝產(chǎn)品AZ1013-04F和AZ1213-04F 或者SOT23-6封裝產(chǎn)品AZ1513-04S for LVDS port;DFN2510封裝產(chǎn)品AZ1243-04F for V-by-one(VBO)、MIPI、eDP以及DFN1006封裝產(chǎn)品AZ5515-02F for Touch SPI / I2C。
Part No. | Application | Package |
Cap. (pF Typ.) |
VRWM (V) |
VC_ESD (V) @8kV |
VC_SURGE (V) @5A |
IPP (A) |
AZ1013-04F | LVDS | DFN2510P10E | 2 | 3.3 | 7.8 | 5.2 | 15 |
AZ1213-04F | LVDS | DFN2510P10E | 2.1 | 3.3 | 6.5 | 5.2 | 20 |
AZ1513-04S | LVDS | SOT23-6L | 2 | 3.3 | 7.5 | 5.8 | 30 |
AZ1243-04F | VBO/MIP/eDP | DFN2510P10E | 0.5 | 3.3 | 8.5 | 6.5 | 7.5 |
AZ5515-02F | IC/SP | DFN1006P3x | 0.8 | 5 | 10 | 7 | 11 |
表1. TVS保護(hù)方案參數(shù)表(信號線路)
2. 針對電源線路保護(hù)方案,主要是選擇合適的IPP電流值以及較低的鉗位電壓值的產(chǎn)品。由于電源線路較多且電壓值大小不等,晶焱科技針對不同工作電壓開發(fā)了一系列的產(chǎn)品以滿足客戶多樣的選擇。中、大型尺寸顯示屏常見的如TV、monitor、notebook以及tablet等產(chǎn)品模組, TVS方案主要是DFN1610(0603)封裝為主;而針對如smart watch,mobile phone等產(chǎn)品的小尺寸顯示屏模組,TVS方案主要是以DFN1006(0402)小封裝或者CSP0603(0201)超小封裝為主。
Part No | Application | Package | VRWM (V) | VC_ESD(V) @8kV | VC_Surge (V) @5A | IPP (A) |
AZ6112-01F | 1.2V Power | DFN1006P2E | 1.2 | 5 | 3.5 | 12 |
AZ6118-01F | 1.8V Power | DFN1006P2X | 1.8 | 4.5 | 4.2 | 15 |
AZ6518-01F | 1.8V Power | DFN1610P2E | 1.8 | 3.6 | 3.0 | 65 |
AZ6A25-01B | 2.5V Power | CSP0603P2Y | 2.5 | 4.5 | 4.0 | 16 |
AZ6225-01F | 2.5V Power | DFN1006P2E | 2.5 | 5 | 4 | 20 |
AZ6425-01F | 2.5V Power | DFN1610P2E | 2.5 | 4 | 3 | 80 |
AZ5A03-01M | 3.3V Power | MCSP0603P2YS | 3.3 | 4.5 | 4.5 | 36 |
AZ5883-01F | 3.3V Power | DFN1006P2E | 3.3 | 5 | 4.5 | 42 |
AZ3103-01F | 3.3V Power | DFN1610P2E | 3.3 | 4.8 | 5.3 | 80 |
AZ5A15-01M | 5V Power | MCSP0603P2YS | 5 | 6.5 | 6.5 | 25 |
AZ5815-01F | 5V Power | DFN1006P2E | 5.5 | 6 | 5.5 | 40 |
AZ3105-01F | 5V Power | DFN1610P2E | 5 | 6 | 6.4 | 80 |
AZ4A07-01B | 7V Power | CSP0603P2Y | 7 | 13.5 | 11 | 7 |
AZ4107-01F | 7V Power | DFN1006P2X | 7 | 10 | 9.2 | 12 |
AZ4507-01F | 7V Power | DFN1610P2E | 7 | 10 | 8.5 | 100 |
AZ4308-01M | 8V Power | MCSP1006P2YS | 7.9 | 8.8 | 8.2 | 35 |
AZ4510-01F | 10V Power | DFN1610P2E | 10 | 13 | 12.5 | 80 |
AZ4512-01F | 12V Power | DFN1610P2E | 12 | 15 | 14.5 | 38 |
AZ4514-01F | 14V Power | DFN1610P2E | 14 | 18 | 17.5 | 32 |
AZ4516-01F | 16V Power | DFN1610P2E | 16 | 20.5 | 21 | 60 |
AZ4520-01F | 20V Power | DFN1610P2E | 20 | 25.5 | 25.5 | 24 |
AZ4524-01F | 24V Power | DFN1610P2E | 24 | 30 | 30 | 50 |
AZ4528-01F | 28V Power | DFN1610P2E | 28 | 34.5 | 35 | 45 |
AZ4536-01F | 36V Power | DFN1610P2E | 36 | 44 | 45 | 14 |
表2. TVS保護(hù)方案參數(shù)表(電源線路)
為了維護(hù)和提升品牌的口碑和價值,不斷提高產(chǎn)品的EOS保護(hù)等級和完善EOS防護(hù)設(shè)計是大勢所趨,也是廠商提高產(chǎn)品競爭力不可或缺的能力,晶焱可利用豐富的ESD和EOS防護(hù)經(jīng)驗達(dá)成現(xiàn)在及未來的設(shè)計目標(biāo),也避免主芯片隨著制程工藝演進(jìn)越來越脆弱的問題,助力每個客戶創(chuàng)造更加完美的產(chǎn)品。
審核編輯 黃宇
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