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AMAZINGIC晶焱科技:面板產(chǎn)品應(yīng)用的EOS最佳解決方案

jf_52237184 ? 來源:jf_52237184 ? 作者:jf_52237184 ? 2024-01-24 10:16 ? 次閱讀

AMAZINGIC晶焱科技:面板產(chǎn)品應(yīng)用的EOS最佳解決方案

近年來隨著各個顯示屏模組廠商在針對靜電放電(ESD) 防護(hù)方案愈加完善,較少出現(xiàn)產(chǎn)品在測試時或者生產(chǎn)中、后期出現(xiàn)ESD事件導(dǎo)致顯示屏損傷的情況,而是產(chǎn)品受EOS損傷的情況卻屢屢發(fā)生。EOS事件帶來的破壞往往是永久性的物理損傷,比如導(dǎo)致T-CON或Driver IC等芯片的I/O-GND短路,甚至短路后長時間通電出現(xiàn)的過熱,會導(dǎo)致內(nèi)部芯片或者模組本身被燒毀,從而出現(xiàn)嚴(yán)重的客訴問題。

一、EOS產(chǎn)生原因及測試標(biāo)準(zhǔn)

EOS的產(chǎn)生原因有很多,不只是產(chǎn)品在生產(chǎn)制造、測試中會出現(xiàn),產(chǎn)品在用戶日常使用中也會頻繁出現(xiàn),比如常見的帶電拔插操作、開關(guān)電源瞬間切換、雷擊磁場干擾等都會帶有EOS耦合到產(chǎn)品。而顯示屏模組作為產(chǎn)品的一個組件,EOS的來源更多的是來自主機(jī)板端或者測試設(shè)備的耦合干擾。當(dāng)然,在生產(chǎn)制造中帶電測試也是EOS來源之一,比如測試中員工帶電拔插connector,以及插錯轉(zhuǎn)接板等情況。

在針對EOS測試模擬中,業(yè)界最為廣泛使用的標(biāo)準(zhǔn)為IEC 61000-4-5 雷擊(lightning)、浪涌(surge)模擬測試。在顯示屏模組產(chǎn)品中,由于EOS事件產(chǎn)生原因不涉及到雷擊直接干擾,所以客戶要求均是以低壓浪涌模擬測試。測試波形常見為電壓波形1.2/50μs和電流波形8/20μs,測試設(shè)備等效輸出阻抗最常見為2Ω,即測試設(shè)備輸出10V浪涌電壓,理論最大脈沖電流為5A。但是在IEC 61000-4-5測試標(biāo)準(zhǔn)文件中,只有針對實驗測試設(shè)備及環(huán)境的設(shè)定規(guī)范,并沒有給出具體統(tǒng)一的測試標(biāo)準(zhǔn)電壓,所以廠商會根據(jù)不同的產(chǎn)品型號及應(yīng)用場景制定相應(yīng)的浪涌測試等級。在眾多的廠商測試規(guī)范中,晶焱總結(jié)了針對顯示屏模組常見的測試標(biāo)準(zhǔn)如下:

1. 適用于高速信號通信線路常見的浪涌電壓測試標(biāo)準(zhǔn)為11V ~ 25V (8/20μs by 2Ω),常見的測試接口有LVDS、V-by-one(VBO)、MIPI、eDP以及Touch SPI / I2C。

2. 適用于電源線路的測試常見的浪涌電壓測試標(biāo)準(zhǔn)為15V ~ 40V (8/20μs by 2Ω),常見的測試電源信號有DVDD、VDD1V8、VDDIO、VCI、VCC、ELVSS/ELVDD、AVDD、VSP/VSN、VGH/VGL等,但是由于模組產(chǎn)品的多樣性,部分產(chǎn)品電源線路測試等級可能更高,比如部分TV or monitor產(chǎn)品會要求測試90V for TCON or Driver IC 3.3V VCC/VDD power line。

當(dāng)然模組廠商們肯定不會僅僅停留在完成現(xiàn)有的基礎(chǔ)測試等級,大部分廠商會在通過客戶要求的測試標(biāo)準(zhǔn)后,不斷加高測試電壓直至模組相應(yīng)線路失效,以此記錄下線路最大浪涌電壓耐受值供內(nèi)部參考,用于對比不同IC型號及TVS保護(hù)方案的差異,以及不斷完善EOS測試標(biāo)準(zhǔn)。

二、EOS防護(hù)方案推薦


在選擇TVS方案時,可以根據(jù)TVS產(chǎn)品的IPP電流值大小,來預(yù)估計算TVS本身能夠抵抗住浪涌電壓的最大等級,以8/20μs by 2Ω設(shè)備輸出波形來計算,TVS最大浪涌保護(hù)電壓即Vsurge = IPP*2Ω+Vc_surge,其中Vc_surge為浪涌測試鉗位電壓值,該值越低,TVS越能防止后端IC先于浪涌電壓擊穿,即TVS保護(hù)效果越好。

晶焱科技針對顯示屏模組產(chǎn)品有著豐富的TVS保護(hù)方案供選擇,常見的保護(hù)方案如下:

1. 針對信號傳輸線路保護(hù)方案,主要選擇TVS產(chǎn)品的電容參數(shù)不能太高,同樣IPP電流值要足夠大。常見方案為DFN2510封裝產(chǎn)品AZ1013-04F和AZ1213-04F 或者SOT23-6封裝產(chǎn)品AZ1513-04S for LVDS port;DFN2510封裝產(chǎn)品AZ1243-04F for V-by-one(VBO)、MIPI、eDP以及DFN1006封裝產(chǎn)品AZ5515-02F for Touch SPI / I2C。


Part No. Application Package Cap.
(pF Typ.)
VRWM
(V)
VC_ESD (V)
@8kV
VC_SURGE (V)
@5A
IPP (A)
AZ1013-04F LVDS DFN2510P10E 2 3.3 7.8 5.2 15
AZ1213-04F LVDS DFN2510P10E 2.1 3.3 6.5 5.2 20
AZ1513-04S LVDS SOT23-6L 2 3.3 7.5 5.8 30
AZ1243-04F VBO/MIP/eDP DFN2510P10E 0.5 3.3 8.5 6.5 7.5
AZ5515-02F IC/SP DFN1006P3x 0.8 5 10 7 11

表1. TVS保護(hù)方案參數(shù)表(信號線路)


2. 針對電源線路保護(hù)方案,主要是選擇合適的IPP電流值以及較低的鉗位電壓值的產(chǎn)品。由于電源線路較多且電壓值大小不等,晶焱科技針對不同工作電壓開發(fā)了一系列的產(chǎn)品以滿足客戶多樣的選擇。中、大型尺寸顯示屏常見的如TV、monitor、notebook以及tablet等產(chǎn)品模組, TVS方案主要是DFN1610(0603)封裝為主;而針對如smart watch,mobile phone等產(chǎn)品的小尺寸顯示屏模組,TVS方案主要是以DFN1006(0402)小封裝或者CSP0603(0201)超小封裝為主。

Part No Application Package VRWM (V) VC_ESD(V) @8kV VC_Surge (V) @5A IPP (A)
AZ6112-01F 1.2V Power DFN1006P2E 1.2 5 3.5 12
AZ6118-01F 1.8V Power DFN1006P2X 1.8 4.5 4.2 15
AZ6518-01F 1.8V Power DFN1610P2E 1.8 3.6 3.0 65
AZ6A25-01B 2.5V Power CSP0603P2Y 2.5 4.5 4.0 16
AZ6225-01F 2.5V Power DFN1006P2E 2.5 5 4 20
AZ6425-01F 2.5V Power DFN1610P2E 2.5 4 3 80
AZ5A03-01M 3.3V Power MCSP0603P2YS 3.3 4.5 4.5 36
AZ5883-01F 3.3V Power DFN1006P2E 3.3 5 4.5 42
AZ3103-01F 3.3V Power DFN1610P2E 3.3 4.8 5.3 80
AZ5A15-01M 5V Power MCSP0603P2YS 5 6.5 6.5 25
AZ5815-01F 5V Power DFN1006P2E 5.5 6 5.5 40
AZ3105-01F 5V Power DFN1610P2E 5 6 6.4 80
AZ4A07-01B 7V Power CSP0603P2Y 7 13.5 11 7
AZ4107-01F 7V Power DFN1006P2X 7 10 9.2 12
AZ4507-01F 7V Power DFN1610P2E 7 10 8.5 100
AZ4308-01M 8V Power MCSP1006P2YS 7.9 8.8 8.2 35
AZ4510-01F 10V Power DFN1610P2E 10 13 12.5 80
AZ4512-01F 12V Power DFN1610P2E 12 15 14.5 38
AZ4514-01F 14V Power DFN1610P2E 14 18 17.5 32
AZ4516-01F 16V Power DFN1610P2E 16 20.5 21 60
AZ4520-01F 20V Power DFN1610P2E 20 25.5 25.5 24
AZ4524-01F 24V Power DFN1610P2E 24 30 30 50
AZ4528-01F 28V Power DFN1610P2E 28 34.5 35 45
AZ4536-01F 36V Power DFN1610P2E 36 44 45 14

表2. TVS保護(hù)方案參數(shù)表(電源線路)

為了維護(hù)和提升品牌的口碑和價值,不斷提高產(chǎn)品的EOS保護(hù)等級和完善EOS防護(hù)設(shè)計是大勢所趨,也是廠商提高產(chǎn)品競爭力不可或缺的能力,晶焱可利用豐富的ESD和EOS防護(hù)經(jīng)驗達(dá)成現(xiàn)在及未來的設(shè)計目標(biāo),也避免主芯片隨著制程工藝演進(jìn)越來越脆弱的問題,助力每個客戶創(chuàng)造更加完美的產(chǎn)品。

審核編輯 黃宇

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