來源：Silicon Semiconductor

非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關應用。

ROHM（羅姆）開發了100V擊穿肖特基勢壘二極管 (SBD)，可為汽車、工業和消費應用中的電源和保護電路提供“業界領先”的反向恢復時間 (trr)。

盡管存在多種類型的二極管，但高效SBD越來越多地用于各種應用。特別是具有溝槽MOS結構的SBD，其VF低于平面型，可在整流應用中實現更高的效率。然而，溝槽MOS結構的一個缺點是它們的trr通常比平面拓撲差，導致用于開關時的功率損耗更高。

為此，ROHM開發了一個新系列，采用專有的溝槽MOS結構，可同時降低VF和IR（處于權衡關系），同時實現同類領先的trr。

YQ系列是ROHM首款采用溝槽MOS結構的YQ系列，它擴展了現有的四種傳統SBD產品陣容，并針對各種要求進行了優化。該專有設計實現了同類領先的15ns trr，從而將trr損耗降低了約37%，總體開關損耗比一般溝槽型MOS產品低約26%，有助于降低應用功耗。與傳統平面型SBD相比，新結構還改善了VF和IR損耗。當用于正向偏置應用（例如整流）時，這會降低功率損耗，同時還降低熱失控風險，而熱失控是SBD的主要問題。因此，它們非常適合需要高速開關的裝置，例如汽車LED頭燈的驅動電路和xEV中容易產生熱量的DC-DC轉換器。

展望未來，羅姆將努力進一步提高從低電壓到高電壓的半導體器件的質量，同時加強其廣泛的產品陣容，以進一步降低功耗并實現更大的小型化。

SBD溝槽MOS結構

溝槽MOS結構是通過在外延片層中使用多晶硅形成溝槽來減輕電場集中的。這降低了外延晶圓層的電阻，從而在正向施加電壓時實現更低的VF。同時，在反向偏壓期間，電場集中最小化，從而大大降低IR。因此，與傳統產品相比，YQ系列將VF和IR提高了約7%和82%。

與典型的溝槽MOS結構相比，由于寄生電容（器件中的電阻成分）較大，trr比平面型MOS結構差，YQ系列通過采用獨特的結構設計，實現了業界領先的15ns trr。這使得開關損耗減少約26%，有助于降低應用功耗。

應用實例

? 汽車LED頭燈

? xEV DC-DC轉換器

? 工業設備電源

? 燈光

審核編輯 黃宇