隨著信號傳輸速度的提高和供電電壓的降低，集成電路對瞬態ESD更加敏感。電路中連接的設備也日益增多，因此保護更廣泛系統中每個設備免受ESD的影響就變得更加重要。那么，為ESD保護選擇正確的元件時需要考慮哪些因素？

隨著物聯網 (IoT) 不斷擴展，分析師預測未來幾年將有多達數十億的電子設備上線。通用電子設備總數甚至更高。這些設備中有許多將在我們生活中發揮重要作用，例如實現家庭自動化的消費設備。還有一些嵌入式裝置可能被深深隱藏起來，難以被察覺，例如嵌入到車輛內部和智能樓宇內部。所有這些設備都容易受到靜電放電 (ESD) 的影響。隨著物聯網的包容范圍逐漸擴大，這數十億設備中的任何一部分都可能變得至關重要。鑒于此，這些設備的ESD保護設計變得更加重要。

即使PCB組裝好并安裝到設備中，ESD仍然是引發故障的主要原因之一。現代化集成設備設計得足夠堅固，以確保在操作過程中幾乎不會發生故障。這對操作條件提出了重大挑戰。雖然工程師能考慮到濕度、溫度和振動等極端環境條件，但大部分ESD仍然是不可預測的。所以，最好的方法是充分保護設備免受靜電放電的影響IEC 61000-4-2等標準按照測試所用放電電壓強度定義了保護級別，比如IEC 61000-4-2針對±2 kV的接觸放電和空氣放電電壓，而第4級（找元器件現貨上唯樣商城）則規定了±8 kV的接觸放電和±15 kV的空氣放電。為確保可重復的結果，這些標準中還精確規定了放電方法和測試瞬態的波形。測試過程中廣泛采用的人體模型在MIL-STD-883和JEDEC JS-001等標準給出了定義。

ESD對電子元件的影響

按照行業慣例，制造商通常采用黃色和黑色警示符來標識靜電敏感設備。集成電路以具有絕緣柵的金屬氧化物半導體晶體管為基礎，是公認的靜電敏感設備。此外，隨著供電電壓不斷降低（廣泛用于降低功耗的技術），元件的固有ESD保護性能會進一步降低。

現在幾乎所有的通用集成電路都基于CMOS工藝，并且許多導軌的供電電壓僅為1V甚至更低。這使得集成電路更容易受到瞬態ESD的影響。一旦集成電路暴露于高電壓和大電流放電條件下，部分可能會立即被破壞或輕微受損，從而極大地縮短了其使用壽命。鑒于受影響的嚴重程度各不相同，評估集成電路的健康狀態就變得更加困難。

瞬態條件可能轉瞬即逝，不造成任何損壞，也可能對互聯造成不可修復地破壞。考慮到基板、引線框架和封裝的性質，很難在集成電路中集成充分的ESD保護功能。因此，必須在外部添加此類保護元件，并放置在能及時攔截放電的位置。通常，這意味著保護須盡可能靠近薄弱點。

隨著設計實踐的改變，了解這些新特性會如何影響所選保護元件的類型至關重要。通常情況下，選擇是多樣性的，但某些設計特性（如高速串行總線）會限制某些ESD元件的有效性或適用性。必須根據待保護信號的特性評估插入損耗和擊穿電壓等參數，以保證保護始終發揮作用。

關于ESD保護元件

ESD保護元件基本上基于半導體或陶瓷材料。其中半導體為瞬態電壓抑制器 (TVS) 的形式，基本上是二極管（圖1），而陶瓷材料則為壓敏電阻的形式。現代壓敏電阻通常為帶有一定電容的多層元件（MLV；圖2），可能很有用，但也可能影響高速總線的切換動作。若插入電容不存在這樣的限制，多層陶瓷電容器 (MLCC) 也適用于ESD保護。

由電容引起的插入損耗是決定采用基于半導體的TVS還是基于陶瓷的MLV元件的關鍵因素。雖然很多情況下這兩種解決方案基本可以互換使用，但具體到應用應考慮各個元件的不同插入損耗，比如對于速度為1 Mb/s信號，保護裝置在0.5 MHz頻率下應具有較低的插入損耗。詳細說明請參見數據表。

此外，壓敏電阻的電容也可作為電路層面抗電磁干擾 (EMI) 措施的一部分。截止到目前，這個特性很少被使用。不過隨著制造商生產技術的改良，能夠更好地控制壓敏電阻的電容公差。因此，電容可作為EMI濾波器的一部分。MLV的電容可從1到100 pF不等，并且超高電容壓敏電阻 (SHCV) 的電容甚至更高，遠超TVS二極管。

不同ESD保護選項比較

由于這兩種元件吸收瞬態過電壓的方式不同，工程師可在許多應用中將TVS和MLV解決方案用作互為替代的方案。它們的尺寸通常相似，占板空間也幾乎相同，而且由于體積小，可靠近潛在的ESD排放點安裝，比如外部接口或充電口。

圖3：ESD技術選型指南

如圖3中的圖表所示，MLV涵蓋的應用領域比TVS二極管更廣，并且有商業級和汽車級兩種規格。以下考慮因素可以幫助設計工程師進行更詳細的比較。

工作電壓：若尺寸相差不大，MLV和TVS的響應時間可能近似（均為幾納秒），并且對過電壓的保護效果類似（見圖4）。不過，TVS二極管的擊穿電壓較低，能更快地限制瞬態電壓，因此更適合電壓較低的應用。

魯棒性：隨著工作溫度的增加，TVS元件的性能會下降。但基于陶瓷材料MLV更為堅固，并且在高達+150℃的溫度下工作性能也不會下降。相比之下，基于半導體的TVS二極管的性能在溫度超過+25℃時就開始下降。

成熟度和成本：這兩種技術都很成熟，但此前MLV的全球產量較低，因此更昂貴。不過，其新開發出了尺寸更小的元件，因此在可穿戴設備等小型應用中更具吸引力。另外，隨著產量的不斷增加，其平均售價已降低到具有可比性和競爭力的水平。

電容和電磁干擾 (EMI) 濾波：由于MLV的寄生電容可在制造過程中控制，不僅可提供ESD保護，還能抑制EMI，可用于取代兩個獨立的元件（TVS二極管和MLCC電容器），從而節省了占板空間。在不增加加工成本的前提下，無法像控制MLV的電容那樣控制TVS二極管的電容。（見圖5）

圖4：TVS和MLV在過電壓事件時的反應

圖5：ESD陷波濾波器的功能

插入損耗：這很大程度上取決于元件的電容和被保護線路上的信號頻率。結果是頻率（比如>1 GHz）越高，相關性更緊密，并需要具有最低電容的解決方案。在較低電壓下，可能TVS二極管更適用，但在較高電壓下，MLV會更具優勢。

漏電流：這一因素并非選擇MLV或TVS二極管的主要設計考慮因素。這兩種技術都存在一定的漏電流，并且相差不大。

物理尺寸：隨著MLV技術的發展，制造工藝變得更加復雜。MLV現在可提供與多層陶瓷電容器 (MLCC) 類似的尺寸，并且有望進一步減小。但需謹記，元件可提供的保護水平仍然與其物理尺寸成正比。目前，01005是TVS和MLV技術可實現的最小封裝尺寸。

可互換性：在低頻和低電壓信號線的應用中，這兩種技術能以相同的占板空間提供類似的ESD保護等級。而隨著應用頻率的增加，TVS會變得更適用。但隨著電壓的升高，MLV則是更好的選擇。設計團隊必須仔細研究應用和可用元件，以確定最合適的技術。

審核編輯 黃宇