外延工藝解決了什么問題？

只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？ 對(duì)于硅而言，硅外延生長(zhǎng)技術(shù)開始的時(shí)候，真是硅高頻大功率晶體管制做遇見困難的時(shí)刻。從晶體管原理來看，要獲得高頻大功率，必須做到集電區(qū)擊穿電壓要高，串聯(lián)電阻要小，即飽和壓降要小。前者要求集電區(qū)材料電阻率要高，而后者要求集電區(qū)材料電阻率要低，兩省互相矛盾。如果采用集電極區(qū)材料厚度減薄的方式來減少串聯(lián)電阻，會(huì)使硅片太薄易碎，無法加工，若降低材料的電阻率，又與第一個(gè)要求矛盾，而外延技術(shù)的發(fā)展則成功地解決了這一困難。

解決方案：在電阻極低的襯底上生長(zhǎng)一層高電阻率外延層，器件制作在外延層上，這樣高電阻率的外延層保證了管子有高的擊穿電壓，而低電阻的襯底又降低了基片的電阻，從而降低了飽和壓降，從而解決了二者的矛盾。此外，GaAs等Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族以及其他分子化合物半導(dǎo)體材料的氣相外延、液相外延等外延技術(shù)也都得到很大的發(fā)展，已成為絕大多數(shù)書微波器件、光電器件、功率器件等制作不可缺少的工藝技術(shù)，特別是分子束、金屬有機(jī)氣相外延技術(shù)在薄層、超晶格、量子阱、應(yīng)變超晶格、原子級(jí)薄層外延方面的成功應(yīng)用，為半導(dǎo)體研究的新領(lǐng)域“能帶工程”的開拓打下了夯實(shí)的基礎(chǔ)。

外延技術(shù)的7大技能

1、可以在低（高）阻襯底上外延生長(zhǎng)高（低）阻外延層。

2、可以在P（N）型襯底上外延生長(zhǎng)N（P）型外延層，直接形成PN結(jié)，不存在用擴(kuò)散法在單晶基片上制作PN結(jié)時(shí)的補(bǔ)償?shù)膯栴}。

3、與掩膜技術(shù)結(jié)合，在指定的區(qū)域進(jìn)行選擇外延生長(zhǎng)，為集成電路和結(jié)構(gòu)特殊的器件的制作創(chuàng)造了條件。

4、可以在外延生長(zhǎng)過程中根據(jù)需要改變摻雜的種類及濃度，濃度的變化可以是陡變的，也可以是緩變的。

5、可以生長(zhǎng)異質(zhì)，多層，多組分化合物且組分可變的超薄層。

6、可在低于材料熔點(diǎn)溫度下進(jìn)行外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)速率可控，可以實(shí)現(xiàn)原子級(jí)尺寸厚度的外延生長(zhǎng)。

7、可以生長(zhǎng)不能拉制單晶材料，如GaN，三、四元系化合物的單晶層等。

一言以蔽之，外延層比襯底材料更易于獲得完美可控的晶體結(jié)構(gòu)，更利于材料的應(yīng)用開發(fā)。

審核編輯：黃飛