三星推出其首款256GB SD Express microSD存儲卡，其傳輸速度為三星現有接口速度的4倍以上

三星1TB UHS-1 microSD存儲卡搭載其最新V-NAND技術，現已投入量產

2024年2月28日 - 三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其256GB1 SD Express2 microSD存儲卡樣品，該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s，此外，1TB3 UHS-1 microSD存儲卡現已進入量產階段。隨著新一代microSD存儲卡產品的推出，三星將著力打造差異化存儲解決方案，更好滿足未來移動計算和端側人工智能應用的需求。

三星電子品牌存儲事業部全球副總裁Hangu Sohn表示：

來自移動計算和端側人工智能應用的需求與日俱增，三星推出的這兩款全新microSD卡為應對這一問題提供了有效解決方案。盡管存儲卡尺寸極小，但能夠帶來SSD（固態硬盤）級別的強大性能和超大容量，幫助用戶充分利用要求嚴格的現代和未來應用。

三星首款SD Express microSD存儲卡，傳輸速度最高可達800MB/s

三星推出了采用SD Express接口的全新高性能microSD卡，這也是與客戶成功合作開發定制產品的成果。

得益于三星的低功耗設計以及為實現產品優良性能和可靠熱管理而專門優化的固件技術，三星SD Express microSD儲存卡能夠以小巧外形尺寸提供與SSD相媲美的性能。傳統microSD存儲卡采用UHS-1接口，讀取速度上限為104MB/s，而SD Express系列產品的最大讀取速度可達985MB/s，但截至目前，SD Express microSD存儲卡尚未投入商用。

三星SD Express microSD存儲卡的順序讀取速度可達800MB/s，是SATA SSD（最高560MB/s）的1.4倍、傳統UHS-1接口存儲卡（最高200MB/s）的4倍以上，能夠在PC和移動設備等多種應用端得到更好的計算體驗。為確保SD Express microSD存儲卡性能穩定、質量可靠，三星采用了動態散熱保護（Dynamic Thermal Guard）技術，即使長時間使用，也能確保存儲卡溫度始終處于理想水平。

1TB UHS-1 microSD存儲卡，搭載先進1Tb V-NAND技術

三星在全新1TB microSD存儲卡上堆疊了八層三星第8代1Tb V-NAND，實現了過去僅能應用于SSD的大容量封裝。全新1TB microSD存儲卡已通過業內測試，即使在極具挑戰性的環境中也能保持穩定可靠。產品具備防水、耐極端溫度、防摔、防磨損、防X射線和防磁?等六重防護特性。

推出時間

256GB SD Express microSD存儲卡將于今年內推出，1TB UHS-1 microSD存儲卡預計將于今年第三季度投入市場。

1 1GB=1,000,000,000字節（10億字節）。實際可用容量可能會少于標識容量。

2 SD Express：全新SD存儲卡接口支持PCIe Gen3x1 協議（基于2019年2月發布的SD 7.1規范），理論傳輸速度可達985MS/s。

3 1TB=1,000,000,000,000字節（1萬億字節）。實際可用存儲容量可能會有所不同。

?對于存儲卡數據恢復過程中出現的任何數據損壞/損失或費用，三星概不負責。六重防護僅針對1TB UHS-1 microSD存儲卡，不包括256GB SD Express microSD存儲卡。1米深度，海水，持續72小時。工作溫度-25℃至85℃（-13°F to 185°F），非工作溫度-40℃至85℃ （-40°F to 185°F）。可承受標準機場X光機器（高達100mGy）。相當于高磁場MRI掃描儀的磁場（高達15,000高斯）?？沙惺芨哌_5米（16.4 英尺）的摔落。最高10,000 次插拔。

審核編輯：劉清