2.5/3D-IC封裝是一種用于半導體封裝的先進芯片堆疊技術，它能夠把邏輯、存儲、模擬、射頻和微機電系統 (MEMS)集成到一起，是未來封裝的發展方向。作為晶圓代工一哥的臺積電，是半導體技術革新的領頭羊，那么它有哪些前沿的2.5/3D IC封裝技術呢？

臺積電的2.5/3D IC 封裝主要有TSMC-SoIC,InFO，CoWoS三種類型。

TSMC-SoIC

TSMC-SoIC（System on Integrated Chips），能對10納米以下的制程進行晶圓級的集成，最關鍵的創新是采用了無凸點（no-Bump）的鍵合結構。

傳統的3D IC封裝技術通常用微凸點（micro-bumps）作為芯片間的互連結構。然而，微凸點的間距限制了互連密度，因而限制了整體的集成密度和性能。

相比之下，SoIC技術采用了無凸點的直接鍵合技術，這種技術能夠減小芯片間距離，從而彌補了傳統3D IC封裝的短板。

TSMC的SoIC又包含了CoW（Chip-on-Wafer）和WoW（Wafer-on-Wafer）兩種形式。

CoW是將單獨的芯片（Chip）直接鍵合到一個待加工的晶圓（Wafer）上，而WoW則是將整個晶圓與另一個晶圓直接堆疊并鍵合。

InFO

InFO（Integrated Fan-Out），是一種先進的扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術。InFO技術通過在晶圓上實現裸晶的扇出式布線（Fan-Out），使得芯片不需要傳統的基板，直接在芯片的外圍形成更多的I/O連接點。隨著技術的發展，TSMC推出了幾種不同的InFO技術變體，以滿足不同應用的需求，包括InFO-PoP、InFO-oS、InFO-LSI等。

CoWoS

CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是一種先進的2.5D封裝技術，它是將多個不同功能的芯片首先封裝到一個硅轉接板上，利用這個硅轉接板上的高密度布線實現芯片間的互連，然后整個結構再被安裝到一個更大的封裝基板上。CoWoS包括CoWoS-S，CoWoS-R,CoWoS-L. TSMC-SoIC,InFO，CoWoS之間的關系？

審核編輯：劉清