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X-FAB近期宣布通過背照式技術(shù)增強圖像傳感器性能

MEMS ? 來源:MEMS ? 2024-04-09 09:19 ? 次閱讀

X-FAB向醫(yī)療、汽車和工業(yè)客戶展示結(jié)合了更高靈敏度、更大像素尺寸和更大傳感面積的代工路線。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,全球領(lǐng)先的模擬/混合信號和特色工藝代工廠X-FAB,近期宣布其光學(xué)傳感器產(chǎn)品線有了重大補充。該公司的CMOS圖像傳感器制造能力,現(xiàn)在能夠提供與其流行的XS018 180nm CMOS半導(dǎo)體工藝相關(guān)的背照式(BSI)技術(shù)。

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背照式CMOS圖像傳感器剖面架構(gòu)圖

通過背照式技術(shù),CMOS圖像傳感器的性能特征可以得到顯著增強。這意味著后端工藝金屬層不會阻擋入射光到達感光像素,從而將填充因子提高至100%。這在低照度情況下非常有益——因為可以實現(xiàn)更高的像素感光度。背照式技術(shù)還提供了額外的優(yōu)勢,即由于光路較短而顯著減少相鄰像素之間的串?dāng)_,從而實現(xiàn)更好的成像質(zhì)量。

盡管,用于300mm晶圓的小像素背照式技術(shù)方案很常見,但用于200mm晶圓的具有融合大像素排列的背照式技術(shù)選項卻很少,特別是在需要額外定制的時候。新的X-FAB背照式技術(shù)帶來了新的可能性,使CMOS圖像傳感器能夠滿足最苛刻的應(yīng)用期望,例如X射線診斷設(shè)備、工業(yè)自動化系統(tǒng)、天文研究、機器人導(dǎo)航、車輛前置攝像頭等。

利用具有高讀出速度和低暗電流的X-FAB 180nm圖像傳感器技術(shù)平臺:XS018,將生產(chǎn)具有多種Epi選項的CMOS圖像傳感器。可以添加ARC層,然后根據(jù)特定客戶的要求進行調(diào)整。隨附的X-FAB支持包涵蓋了從初始設(shè)計到工程樣品發(fā)貨的完整工作流程,其中包括全面的PDK。

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X-FAB光學(xué)傳感器技術(shù)營銷經(jīng)理Heming Wei表示:“背照式技術(shù)在現(xiàn)代CMOS圖像傳感器中變得越來越普遍,因為它能夠通過將光敏元件放置在靠近光源的位置并避免不必要的電路障礙來提高成像質(zhì)量。事實證明,這在光線不足的環(huán)境中非常有用?!?/p>

Heming Wei補充說:“雖然CMOS圖像傳感器市場大部分增長是在消費電子設(shè)備領(lǐng)域,但現(xiàn)在工業(yè)、汽車和醫(yī)療市場出現(xiàn)了大量機會。通過使用X-FAB的背照式代工解決方案,目前可以妥善處理這些市場中存在的問題,并提供引人注目的產(chǎn)品特性,將更高的靈敏度、更大的成像面積和更大的像素容量結(jié)合在一起?!?/p>



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:X-FAB通過背照式技術(shù)增強圖像傳感器性能

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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