一、前言

MOS管有N溝道MOS和 P溝道MOS等，N溝道MOS是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極D和源極S。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅絕緣層，在漏極和源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極作為柵極G，在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。本期，合科泰給大家介紹一款N溝道MOS管HKTQ80N03，它可用于開關(guān)電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等上面。

二、特性

這款產(chǎn)品具有很好的電學(xué)特性（VDS=30V,RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10 V,ID=20A），它的漏源電壓30V，柵源電壓±10V，連續(xù)漏極電流80A，漏源導(dǎo)通電阻0.0052歐姆，最小柵極閾值電壓1V，最大柵極閾值電壓2.5V, 耗散功率37mW，整機(jī)重量約0.012克，非常輕巧。HKTQ80N03的導(dǎo)通電阻非常低，耗散功率低，非常適用于低功耗應(yīng)用， 可用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，連續(xù)漏極電流非常大，適用于DC到DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用等。

HKTQ80N03采用的整機(jī)表面貼裝的PDFN3333封裝技術(shù)，這款產(chǎn)品具有很小的體積，很薄，非常適用于體積小的電子設(shè)計(jì)方案，滿足很多終端客戶對小型化、功能系統(tǒng)化、模塊化封裝等設(shè)計(jì)要求。

HKTQ80N03產(chǎn)品的散熱性能好，產(chǎn)品具有非常出色的熱傳導(dǎo)性能、電氣性能和機(jī)械強(qiáng)度。

三、應(yīng)用

合科泰生產(chǎn)的HKTQ80N03管子具有穩(wěn)定、可靠、低功耗、開關(guān)速度快等特點(diǎn)，可用于電源、BMS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)、功率放大器和充電器等應(yīng)用，產(chǎn)品在電路中具有開關(guān)、調(diào)節(jié)電壓和電流、信號(hào)放大、電路保護(hù)等作用。

以35W快充等應(yīng)用為例，HKTQ80N03管子在這些產(chǎn)品里面得到了非常廣泛的運(yùn)用。比如，NMOS產(chǎn)品在35W快充產(chǎn)品中，通常對N-MOS管這個(gè)開關(guān)管的低檔要求是：30V/ 20A/10mΩ/ PDFN3333，合科泰可用于VBUS開關(guān)的N-MOS管封裝是PDFN5X6和PDFN3333，HKTQ50N03與HKTQ80N03這兩款產(chǎn)品可滿足要求。

電池管理系統(tǒng)的主要功能是實(shí)現(xiàn)電池單元的智能化管理及維護(hù)，通過狀態(tài)監(jiān)測、異常故障保護(hù)等來監(jiān)管電池狀態(tài)。在鋰電池保護(hù)板上，MOS管的主要作用是檢測過充電、充放電時(shí)過電電流、短路時(shí)過電電流等，NMOS產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)中。

NMOS可作為電池組的主開關(guān)，同時(shí)，NMOS類型也通過電荷泵用于高端開關(guān)。在電池管理系統(tǒng)中，通常會(huì)利用MOSFET的開關(guān)特性去控制電池對外供電主回路的切斷和閉合，在一些不間斷電源的場景上，需要電池管理系統(tǒng)在微控制器重啟或者升級過程中，MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)不發(fā)生變化，并維持原有的狀態(tài)。合科泰可用于電池管理系統(tǒng)上的N-MOS管封裝是PDFN5X6和PDFN3333，HKTQ50N03與HKTQ80N03這兩款產(chǎn)品可滿足要求。

N溝道MOS管的應(yīng)用包括用于低電壓設(shè)備，如使用電機(jī)和直流電源的全橋和B6橋布置，有助于將電機(jī)的負(fù)電源反向切換。N溝道MOS管在飽和區(qū)和截止區(qū)工作，它就像一個(gè)開關(guān)電路，這些MOS管用于將LAMP投影儀或LED進(jìn)行ON/OFF切換。在大電流應(yīng)用中，N溝道MOS管是非常適合的，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)車控制器等應(yīng)用上，N溝道MOS管的應(yīng)用也很多，合科泰HKTQ50N03與HKTQ80N03這兩款產(chǎn)品可滿足要求。（更多產(chǎn)品信息，請點(diǎn)擊原文鏈接）

審核編輯：劉清