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不對稱半橋AHB拓撲技術——東科DK8715AD全合封解決方案解析

東科半導體 ? 2024-04-18 08:23 ? 次閱讀

電源設計中,不對稱半橋AHB拓撲技術適用于單電壓輸入的場景,而對于寬電壓輸入的應用,則需要增加PFC級以實現更好的性能。該技術在寬電壓輸出方面表現優越,特別適用于需要高度可調性的場合,相較于LLC技術更為適合PD等應用場景。


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不對稱半橋AHB拓撲技術集成了LLC和反激的優點,實現了初級側零電壓開關(ZVS)和次級側零電流開關(ZCS),提高了系統的效率。通過采用電感與電容雙儲能元件,可以有效減小變壓器體積,從而提高系統的整體緊湊性。


另外,二次側同步整流技術使電壓應力較小,有效降低了系統成本。整體外圍結構簡單,易于調試,并且對電磁干擾(EMI)的壓力較小。


東科半導體推出了一款市面唯一的All-in-One全合封不對稱半橋解決方案DK8715AD,采用三合一設計,單芯片集成AHB控制+半橋驅動+半橋GAN器件,實現了優異的總線控制功能,提供卓越的性能和效率。由于其超高的集成度,相較于其余方案,其外圍元件大幅減少,調試難度低,有效降低了系統成本壓力,整體成本遠低于競品方案。


東科半導體DK8715AD


東科半導體DK8715AD是一顆基于不對稱半橋架構,集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關芯片,其能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管ZVS,副邊整流管ZCS,從而提高電源系統效率。同時軟開關還可以降低功率管應力,內置全范圍抖頻電路,從而減小開關損耗并改善電磁干擾。


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DK8715AD支持最高800KHz開關頻率,前段帶有升壓PFC的情況下推薦功率為150W(高功率密度小體積應用場景),待機功耗小于50mW,具備自適應死區和關斷算法,無需外圍調節,外圍極致精簡,同時具備無鹵素特性,符合ROHs要求,并內置高壓啟動和X電容放電電路,可為系統提供更高的性能和可靠性。DK8715AD自適應四種負載模式,有效提高各負載段效率,通過搭載DK8715AD,可使設備效率最高可達95.4%。


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DK8715AD典型應用圖


DK8715AD內置了兩顆650V增強型GaN HEMT,采用半橋驅動和AHB控制,內置半橋驅動電路以及不對稱半橋控制電路。上管部分采用自適應關斷技術,能夠在需要時實現自動關斷操作,而下管部分則采用自適應死區技術,有效地避免死區效應的發生。同時配備了多功能引腳,這些引腳可以用于退磁檢測、輸出OVP、Brown in/out等功能,還具有CS負壓采樣功能從而提高驅動穩定性。


DK8715AD外圍精簡,可極大簡化AC-DC轉換器的設計和制造,尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK8715AD 具備完善的保護功能:包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC 過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等。


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DK8715AD采用DFN8*8的封裝形式,適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、電視電源、兩輪電動車充電器、通信電源、LED電源等領域之中。


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與一元硬幣實觀對比。


方案總結


不對稱半橋AHB拓撲技術整合了LLC和反激的優點,實現了初級側零電壓開關(ZVS)和次級側零電流開關(ZCS),從而提高了系統的效率,有效減小變壓器體積,提高系統的整體集成度。另外,二次側同步整流技術降低了系統成本,外圍結構簡單,易于調試,并對電磁干擾(EMI)的壓力較小。


DK8715AD是一款基于不對稱半橋架構的全合封解決方案,集成了AHB控制、半橋驅動和兩顆650V增強型GaN HEMT,具備高達800KHz的開關頻率,待機功耗小于50mW,具備自適應死區和關斷算法。DK8715AD可在較大負載范圍內實現原邊功率管ZVS和副邊整流管ZCS,外圍設計精簡,簡化了AC-DC轉換器設計,降低了系統成本壓力,適用于高功率密度快速充電器、適配器、電源等領域,同時具備全面的保護功能,確保產品穩定性和可靠性。

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