英特爾完成高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，將用于14A制程
芯片巨頭英特爾于18日宣布，在其俄勒岡州研究機(jī)構(gòu)中成功組裝了全球首臺用于商業(yè)領(lǐng)域的高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻機(jī)。
半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）于去年底在社交媒體上發(fā)布照片，揭示已向英特爾提供第一套高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。如今英特爾宣布已完成組裝，這無疑展示了其在行業(yè)中的領(lǐng)先地位。
英特爾正在實(shí)施一項(xiàng)為期四年的五個制程節(jié)點(diǎn)發(fā)展計(jì)劃，預(yù)計(jì)最尖端的工藝將達(dá)到Intel 18A級別。在此基礎(chǔ)上，英特爾計(jì)劃在Intel 14A制程中正式引入高數(shù)值孔徑EUV技術(shù)。據(jù)分析師預(yù)測，這套設(shè)備的售價(jià)可能高達(dá)2.5億歐元。
英特爾近期表示，將在2027年前推出14A和Intel 14A-E兩個制程。
英特爾強(qiáng)調(diào)，目前正在對高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備TWINSCAN EXE:5000進(jìn)行校準(zhǔn)，該設(shè)備與公司晶圓廠內(nèi)的其他技術(shù)相結(jié)合，有望實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有EUV設(shè)備更小的特征尺寸，縮小至原來的1.7倍。
此外，英特爾還計(jì)劃購買下一代TWINSCAN EXE:5200B系統(tǒng)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
英特爾
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
10007瀏覽量
172327 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
608瀏覽量
86145 -
半導(dǎo)體設(shè)備
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
362瀏覽量
15175
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
日本與英特爾合建半導(dǎo)體研發(fā)中心，將配備EUV光刻機(jī)
英特爾將在日本設(shè)立先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心，配備EUV光刻設(shè)備，支持日本半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)本土研發(fā)能力。 據(jù)日經(jīng)亞洲（Nikkei Asia）9月3日報(bào)導(dǎo)，美國處理器大廠英特爾已
今日看點(diǎn)丨ASML今年將向臺積電、三星和英特爾交付High-NA EUV；理想 L9 出事故司機(jī)質(zhì)疑 LCC，產(chǎn)品經(jīng)理回應(yīng)
1. ASML 今年將向臺積電、三星和英特爾交付High-NA EUV ? 根據(jù)報(bào)道，芯片制造設(shè)備商ASML今年將向臺積電、英特爾、三星交付最新的高
發(fā)表于 06-06 11:09
?912次閱讀
臺積電轉(zhuǎn)變態(tài)度？秘密訪問ASML總部引發(fā)行業(yè)關(guān)注
宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域，已有數(shù)臺設(shè)備投入其芯片制造部門使用。據(jù)透露，英特爾正計(jì)劃在即將推出的18
Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意，未采用高NA EUV光刻機(jī)
在全球四大先進(jìn)制程代工巨頭（包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)
買臺積電都嫌貴的光刻機(jī)，大力推玻璃基板，英特爾代工的野心和危機(jī)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）此前，臺積電高級副總裁張曉強(qiáng)在技術(shù)研討會上表示，“ASML最新的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)（high-NA EUV）價(jià)格實(shí)在太高了，臺積電目前的極紫外設(shè)備（
ASML考慮推出通用EUV光刻平臺
范登布林克指出，更高的數(shù)值孔徑能提高光刻分辨率。他進(jìn)一步解釋說，Hyper NA 光刻機(jī)將簡化先進(jìn)制程生產(chǎn)流程，避免因使用 High NA 光刻機(jī)
臺積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利
英特爾完成首臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)安裝，助力代工業(yè)務(wù)發(fā)展
知情人士透露，由于ASML高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備產(chǎn)能有限，每年僅能產(chǎn)出5至6臺，因此英特爾將獨(dú)享初始庫存，而競爭對手三星和SK海力士預(yù)計(jì)需等到明年下半年才能獲得此設(shè)備。
英特爾率先推出業(yè)界高數(shù)值孔徑 EUV 光刻系統(tǒng)
來源：Yole Group 英特爾代工已接收并組裝了業(yè)界首個高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻
英特爾突破技術(shù)壁壘：首臺商用High NA EUV光刻機(jī)成功組裝
英特爾的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正致力于對這臺先進(jìn)的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行細(xì)致的校準(zhǔn)工作，以確保其能夠順利融入未來的生產(chǎn)線。
阿斯麥(ASML)公司首臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)突破性成果
)光刻機(jī)，并已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一重要成就，不僅標(biāo)志著ASML公司技術(shù)創(chuàng)新的新高度，也為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展帶來了新的契機(jī)。目前，全球僅有兩臺高數(shù)值孔徑EUV
單模光纖數(shù)值孔徑一般是多少
單模光纖是一種用于光通信和光傳感的關(guān)鍵元件，具有優(yōu)異的傳輸性能和高帶寬。其中，數(shù)值孔徑是單模光纖重要的參數(shù)之一。本文將詳細(xì)介紹單模光纖的數(shù)值孔徑，包括定義、計(jì)算方法、影響因素等內(nèi)容，以
ASML推出首款2nm低數(shù)值孔徑EUV設(shè)備Twinscan NXE：3800E
所謂低數(shù)值孔徑EUV，依然是行業(yè)絕對領(lǐng)先。
ASML 首臺新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝
ASML 官網(wǎng)尚未上線 Twinscan NXE:3800E 的信息頁面。 除了正在研發(fā)的 High-NA EUV 光刻機(jī) Twinscan EXE 系列，ASML 也為其 NXE 系列傳統(tǒng)數(shù)值孔徑
英特爾成為全球首家購買3.8億美元高數(shù)值孔徑光刻機(jī)的廠商
英特爾最近因決定從荷蘭 ASML 購買世界上第一臺高數(shù)值孔徑(High-NA)光刻機(jī)而成為新聞焦點(diǎn)。到目前為止，英特爾是全球唯一一家訂購此類
工商網(wǎng)監(jiān)
評論