在本教程中，我們將介紹PN二極管和PN結二極管的類型。

什么是PN結二極管？

PN 結或 PN 二極管由具有兩個區域的半導體組成，即 p 區和 n
區，中間有一個結。半導體材料的性質從p型變為n型的結區或過渡區通常非常薄，通常為10-6至 10-4厘米寬取決于濃縮方法。

PN結二極管有哪些類型？

根據構造方法的不同，PN二極管可分為：

生長結二極管：

合金型或熔融結二極管：

擴散結二極管：

外延平面二極管：

生長結二極管 |PN結二極管的類型：

圖1（a）和（b）分別顯示了基本生長結二極管的三維和二維視圖。圖1（c）給出了所有類型通用的pn二極管的電路符號。生長結二極管是通過首先從極純（雜質小于
1/109）熔融的Ge雜質（或Si），不久后通過大量加入p型的熔融Ge雜質，將雜質從n型變為p型。

因此，形成了一個連續的晶體，該晶體部分是p型的，中間有一個結。這樣形成的大晶體被切割成大量小薄片，每個薄片包含一個p區和一個n區，中間有一個結。每個這樣的部分都經過拋光和蝕刻以去除表面雜質，然后在棒材的兩端沉積非整流（歐姆）電極。最后，將電線焊接到這些端電極上。然后對整個組件進行蝕刻并覆蓋防潮潤滑脂，安裝在合適的機械結構中，然后密封在一個小玻璃信封中，引線穿過腳。不透明涂料通常涂在玻璃外殼的外側，以排除入射光。

合金（或熔融）結二極管 |PN結二極管的類型

這是通過將一小點或一小塊銦（三價）放在n型Ge的薄晶圓上形成的，如圖2（a）所示，然后在500的高溫下烘烤該組件一小段時間0C.該溫度高于銦的熔點，但低于Ge的熔點。然后由于加熱，銦點溶解其下方的鍺并形成a-飽和溶液。冷卻后，飽和溶液以足夠的銦含量重結晶，從而將重結晶區域的雜質從n型變為p型。因此，該p型Ge與晶圓的主n型Ge形成pn結。連接引線連接到銦托盤上，形成非整流觸點。通過焊接一條或一圈鍍金線，進一步與鍺晶圓進行非整流接觸。圖2（b）給出了二極管的截面，而圖2（c）給出了三維視圖。

然后對整個組件進行蝕刻，覆蓋防潮油脂，安裝在合適的機械結構中，并密封在一個小玻璃信封中，引線穿過腳。然后將不透明的油漆涂在玻璃燈泡上以避免入射光。

擴散結二極管 |PN結二極管的類型

薄薄的一層SiO2在厚度通常為 0.3mm 的小 （1.5mm x 1.5mm） Si
晶圓的整個表面上熱生長。這個SiO2然后對層進行光蝕刻以形成掩模，并允許p型擴散通過SiO中的開口2.為了這種擴散目的，將硅晶圓置于1000的熔爐中0C
在高硼濃度的氣態氣氛中。晶圓表面產生尖銳的雜質濃度梯度，因此硼擴散到硅晶圓中。

在這種高溫下（10000C），幾個硅原子從它們的晶格位點移出，為雜質原子移動留下空位。再次，一層SiO2在整個晶圓上熱生長，光蝕刻和鋁接觸到p區。晶圓底部的金屬層形成n電極。圖3顯示了擴散PN結二極管的物理結構。

外延平面二極管 |PN結二極管的類型

外延生長是指材料在基底（基）材料上的生長，使得如此生長的材料形成保持相同取向的襯底晶體結構的延續。在外延規劃器件中，在同一材料的重摻雜襯底上生長了非常薄的（單晶）高雜質硅（或Ge）層。然后，這個完整的結構形成了
p 區擴散的 n 區。

圖4顯示了外延平面二極管的基本結構。碳化硅2在頂面熱生長層，光蝕刻，然后與p區域進行鋁接觸。基板底部的金屬層形成連接鉛的n電極。該技術廣泛用于IC芯片的制造。