據(jù)臺積電高管透露，他們對于使用阿斯麥的下一代“High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻）”設備并非必需，該設備主要應用于研發(fā)中的A16芯片制造技術(shù)，預計將于2027年面世。

盡管High NA EUV光刻機有望使芯片設計尺寸縮減達三分之二，但芯片制造商需要權(quán)衡利弊，考慮其高昂的成本及ASML老款設備的可靠性問題。

臺積電的主管Kevin Zhang在阿姆斯特丹舉行的一場會議中提到，雖然公司的A16工廠有可能采用此項技術(shù)，但目前仍處于討論階段。當前，臺積電已是ASML常規(guī)EUV光刻機的最大用戶。

“這項技術(shù)值得肯定，但定價確實令人困擾，”Zhang指出，臺積電的A16生產(chǎn)線將延續(xù)2納米生產(chǎn)節(jié)點，這個項目預期于2025年開始量產(chǎn)。他同時表示，“待High NA EUV技術(shù)開始發(fā)揮作用之際，關(guān)鍵在于實現(xiàn)最佳的經(jīng)濟效益和技術(shù)水平之間的平衡。”

現(xiàn)階段，預計每臺High NA設備的造價將高達3.5億歐元（約合3.78億美元），而ASML常規(guī)EUV設備的價格則為2億歐元。

英特爾在上個月宣布，他們已經(jīng)成功組裝了ASML新型High NA EUV光刻工具，這被視為其超越競爭對手的重要步驟。