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全球半導(dǎo)體制造業(yè)邁向新高:SEMI預(yù)測未來兩年產(chǎn)能大幅提升

要長高 ? 2024-06-20 11:09 ? 次閱讀

在數(shù)字化浪潮的推動下,全球半導(dǎo)體制造業(yè)正迎來前所未有的發(fā)展機遇。根據(jù)SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)最新發(fā)布的《世界晶圓廠預(yù)測》季度報告,為了滿足芯片需求持續(xù)增長的需求,全球半導(dǎo)體制造業(yè)的產(chǎn)能預(yù)計將在未來兩年實現(xiàn)顯著增長。

報告指出,到2024年,全球半導(dǎo)體制造業(yè)的產(chǎn)能將提高6%,而在接下來的2025年,產(chǎn)能增幅將達到7%,屆時將實現(xiàn)每月3370萬片晶圓(以8英寸當(dāng)量計算)的歷史最高水平。這一增長勢頭充分顯示出全球半導(dǎo)體行業(yè)對于技術(shù)創(chuàng)新和市場需求的積極響應(yīng)。

其中,前沿產(chǎn)能的增長尤為引人注目。預(yù)計2024年,5納米及以下節(jié)點的產(chǎn)能將增長13%,主要得益于數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練、推理和前沿設(shè)備中生成式人工智能AI)的廣泛應(yīng)用。為了進一步提高處理能效,包括英特爾三星和臺積電在內(nèi)的芯片制造巨頭已經(jīng)開始著手研發(fā)并準(zhǔn)備生產(chǎn)2納米全柵極(GAA)芯片。這一技術(shù)突破預(yù)計將使2025年的前沿總產(chǎn)能增長17%,為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來更大的發(fā)展空間。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示:“從云計算到邊緣設(shè)備,人工智能處理的普及正在推動高性能芯片的開發(fā)競賽,并推動全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能的強勁擴張。這創(chuàng)造了一個良性循環(huán):人工智能將推動半導(dǎo)體內(nèi)容在各種應(yīng)用領(lǐng)域的增長,而這反過來又會鼓勵進一步的投資。”

從地區(qū)角度看,中國大陸半導(dǎo)體制造業(yè)的崛起成為行業(yè)矚目的焦點。預(yù)計未來兩年,中國大陸芯片制造商的產(chǎn)能將保持兩位數(shù)增長。繼2024年增長15%后,2025年將繼續(xù)增長14%,接近行業(yè)總產(chǎn)能的三分之一。這一增長趨勢得益于主要晶圓代工供應(yīng)商如華虹集團、力晶、西安集成、中芯國際和DRAM制造商CXMT等的大力投資。盡管存在超額增長的潛在風(fēng)險,但中國大陸仍在積極投資擴大產(chǎn)能,以減輕近期出口管制的影響。

與此同時,其他主要芯片制造地區(qū)的產(chǎn)能增長相對平穩(wěn)。預(yù)計2025年,中國臺灣的產(chǎn)能將達到580萬片wpm,增長率為4%,位居第二;韓國預(yù)計明年將位居第三,在2024年首次突破500萬wpm大關(guān)后,產(chǎn)能將擴大7%,達到540萬wpm。而日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力也將實現(xiàn)不同程度的增長。

產(chǎn)品類型方面,晶圓代工和HBM(高帶寬內(nèi)存)領(lǐng)域?qū)⒂瓉懋a(chǎn)能擴張。隨著英特爾建立代工業(yè)務(wù)和中國產(chǎn)能的擴大,代工領(lǐng)域的產(chǎn)能預(yù)計將在2024年和2025年分別增長11%和10%,到2026年達到1270萬wpm。同時,為滿足人工智能服務(wù)器對更快處理器不斷增長的需求,HBM得到迅速采用,推動了內(nèi)存領(lǐng)域前所未有的產(chǎn)能增長。預(yù)計2024年和2025年DRAM容量都將增長9%。

相比之下,3D NAND市場復(fù)蘇依然緩慢,預(yù)計在未來兩年內(nèi)產(chǎn)能增長有限。然而,隨著人工智能向邊緣設(shè)備的擴展,主流智能手機的DRAM容量預(yù)計將從8GB增加到12GB,而使用人工智能助手的筆記本電腦將至少需要16GB的DRAM。這一趨勢將對DRAM市場帶來新的需求增長機遇。

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