場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種半導體器件，廣泛應用于電子電路中，用于放大、開關、調節等功能。場效應管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。場效應管具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等特點，被廣泛應用于模擬和數字電路中。

場效應管的三個電極分別是：柵極（Gate）、漏極（Drain）和源極（Source）。下面將詳細介紹這三個電極的作用和特點。

1. 柵極（Gate）

柵極是場效應管的控制電極，它的作用是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。柵極與溝道之間存在一個非常薄的絕緣層，通常由二氧化硅（SiO2）制成。柵極電壓的變化會影響溝道的導電性，從而改變漏極和源極之間的電流。

柵極的工作原理可以類比為一個水壩的閘門。當柵極電壓為零或負電壓時，溝道處于關閉狀態，漏極和源極之間的電流幾乎為零。當柵極電壓增加到一定值時，溝道打開，允許電流通過。柵極電壓越高，溝道的導電性越好，漏極和源極之間的電流也越大。

柵極的電壓變化范圍通常在0到正電壓之間，具體取決于場效應管的類型和參數。例如，N溝道增強型場效應管（N-Channel Enhancement Mode FET）的柵極電壓需要大于其閾值電壓（Threshold Voltage，簡稱Vth）才能打開溝道。而P溝道增強型場效應管（P-Channel Enhancement Mode FET）的柵極電壓需要小于其閾值電壓才能打開溝道。

2. 漏極（Drain）

漏極是場效應管的輸出電極，它的作用是接收從源極流向的電流。漏極通常連接到電路中的負載或下一級放大器的輸入端。漏極的電流大小取決于柵極電壓和源極電壓，以及場效應管的參數。

漏極的電流與柵極電壓之間的關系可以用以下公式表示：

I_D = (V_GS - V_th) * I_DSS * (1 - (V_DS / (V_GS - V_th)))

其中，I_D是漏極電流，V_GS是柵極電壓，V_th是閾值電壓，I_DSS是飽和漏極電流，V_DS是漏極到源極的電壓。

當柵極電壓大于閾值電壓時，溝道打開，漏極電流開始增加。隨著柵極電壓的增加，漏極電流也會增加。但是，當漏極電壓達到一定值時，溝道將進入飽和狀態，漏極電流不再隨柵極電壓的增加而增加。

3. 源極（Source）

源極是場效應管的輸入電極，它的作用是提供電流給漏極。源極通常連接到電路中的參考地或電源的負極。源極的電流與漏極電流相等，因為場效應管的工作原理是控制漏極和源極之間的電流。

源極的電壓對場效應管的工作狀態有一定影響。當源極電壓較低時，溝道的導電性較好，漏極電流較大。但是，當源極電壓降低到一定程度時，溝道將進入截止狀態，漏極電流將減小。這種現象稱為“體效應”（Body Effect）。

除了柵極、漏極和源極這三個主要電極外，場效應管還有一些其他電極，如體電極（Body）和襯底電極（Substrate）。體電極通常與源極相連，用于穩定場效應管的工作狀態。襯底電極是半導體材料的底部，用于支撐整個器件。

場效應管的工作原理和特性使其在電子電路中具有廣泛的應用。例如，在模擬電路中，場效應管可以用于放大信號、調節增益、實現負反饋等。在數字電路中，場效應管可以用于實現邏輯門、存儲單元、開關等。此外，場效應管還廣泛應用于射頻電路、功率放大器、傳感器等領域。

總之，場效應管的三個電極——柵極、漏極和源極——共同決定了場效應管的工作原理和特性。通過改變柵極電壓，可以控制漏極和源極之間的電流，實現對電路的控制和調節。場效應管的高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等特點使其在電子電路中具有廣泛的應用。