Power Master Semiconductor推出了第二代 1200V eSiC MOSFET，以滿足直流電動汽車充電站、太陽能逆變器、儲能系統 (ESS)、電機驅動器和工業電源等一系列應用對更高效率、高功率密度、強可靠性和耐用性的需求。

1200V eSiC MOSFET 為系統提供了顯著的優勢，包括功率密度增加、效率提高、冷卻要求降低(這是由于其功率損耗顯著降低所致)。SiC MOSFET 越來越受歡迎，尤其是對于需要更高功率密度、效率和彈性的可再生能源系統和電動汽車充電系統。

直流電動汽車充電站是一種 3 級充電器，它通過模塊化結構提高其功率水平，以滿足電動汽車更快充電時間和更大電池容量的需求。直流電動汽車充電提供一致的電流輸出，涵蓋廣泛的直流輸出電壓(200V 至 900V)和負載曲線。

第二代 1200V eSiC MOSFET 的關鍵性能系數 (FOM) 比上一代提升了高達 30%，包括柵極電荷 (QG)、輸出電容儲能 (EOSS)、反向恢復電荷 (QRR) 和輸出電荷 (QOSS)。最新的 SiC MOSFET 技術對電源轉換應用具有顯著優勢，包括降低功率損耗，從而實現更小、更輕、更高效的系統，并且需要的冷卻更少。

1200V eSiC MOSFET Gen2 具有出色的開關性能，并且已經過全面的雪崩能力測試。通過顯著降低米勒電容 (QGD)，最新版本的開關損耗與前代產品相比顯著降低了 44%。

新一代 1200V eSiC MOSFET 的問世代表著在創建環保高效電力系統方面取得了重大進步。Power Master Semiconductor 對 1200V eSiC Gen2 MOSFET 將對高性能應用產生重大影響充滿信心。