在向SDRAM 中的任何行發(fā)出 READ或 WRITE 命令之前，必須先打開該行。這是通過 ACTIVE 命令完成的。ACTIVE 命令的目的是打開或者說激活（active）bank中的一行并將數(shù)據(jù)從 DRAM 移動到bank的靈敏放大器。下圖說明了 ACTIVE 命令的執(zhí)行情況。

來自地址總線的地址 A11-A0存儲在所選bank的行地址鎖存器和譯碼器中。地址位BA選擇bank及其行地址鎖存器和解碼器。

然后，將整個數(shù)據(jù)行讀入靈敏放大器中。與 DRAM 類似，與ACTIVE 命令相關(guān)的兩個timing是:行地址到列地址延遲 (tRCD)和行有效時間 tRAS。

tRCD是激活命令將數(shù)據(jù)從DRAM單元陣列移動到保持整個數(shù)據(jù)行的感測放大器所需的時間。在tRCD之后，可以發(fā)出某列讀或?qū)懺L問命令，通過輸入/輸出buffer和數(shù)據(jù)總線在感測放大器和內(nèi)存控制器之間移動數(shù)據(jù) 。

行地址到列地址延遲tRCD,應(yīng)除以時鐘周期，向上取整到最接近的整數(shù)，以確定ACTIVE命令后讀寫的最早時鐘邊沿。例如，具有125 MHz 時鐘(周期為8納秒)，20 納秒的tRCD產(chǎn)生2.5 個時鐘周期,四舍五入為 3。

向同一rank中不同行發(fā)出的ACTIVE 命令只能在先前激活的行被預充電后發(fā)出。

行激活時間，tRAS，是必須經(jīng)過的最小時間,這之后才能向打開的行發(fā)出PRECHARGE命令。所以，tRAS也稱為作為激活到預充電時間。