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      30W-PD快充協議芯片應用方案

      東莞市中銘電子 ? 2024-08-19 10:56 ? 次閱讀

      30W-PD快充協議芯片應用方案

      一、概述

      該30W-PD快充協議芯片方案由PN8165(A)、PN8307P、AP5811套片組成。PN8165內部集成了準振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源，PN8307P包括同步整流控制器及高雪崩能力內置功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管，AP5811是一款高集成度的快充協議，可支持多種快充協議。

      二、特征


      輸入電壓:90~265V全電壓

      輸出功率:30W

      輸出規格:5V3A,9V3A，12V2.5A，15V2A，20V1.5A效率:滿足CoCV5Tier2能效規范

      通過PD3.1認證(TID:9260)

      支持BC1.2/QC2.0/QC3.0/SCPA/AFC/PD2.0

      /PD3.1/PPS/Apple5V2.4A快充協議


      三、電路原理圖

      wKgZombCtBCAFW8jAAJJ2kgNStU552.png
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