衡阳派盒市场营销有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

碳化硅(SiC)肖特基二極管行業全景調研及投資價值戰略咨詢報告

鄧柳梅 ? 來源:jf_56701542 ? 2024-10-15 16:44 ? 次閱讀

2024年09月25日 Global Info Research調研機構發布了《全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管行業總體規模、主要廠商及IPO上市調研報告,2024-2030》。本報告研究全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管總體規模,主要地區規模,主要企業規模和份額,主要產品分類規模,下游主要應用規模等。統計維度包括收入和市場份額等。不僅全面分析全球范圍內主要企業競爭態勢,收入和市場份額等。同時也重點分析全球市場主要廠商(品牌)產品特點、產品規格、收入、毛利率及市場份額、及發展動態。歷史數據為2019至2023年,預測數據為2024至2030年。

調研機構:Global Info Research電子半導體行業研究中心

報告頁碼:160

SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD)具有很小的總電荷(Qc),低開關損耗且高速開關工作。因此,它被廣泛用于電源PFC電路中。此外,與硅基快恢復二極管的trr(反向恢復時間)會隨溫度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,從而改善了電路性能。制造商能夠減小工業設備和消費類電子產品的尺寸,非常適合在功率因數校正電路和逆變器中使用。

與硅二極管相比,碳化硅二極管效率更高,抗高溫性能更優,能夠在更高頻率和更高電壓的條件下工作。由于碳化硅二極管的恢復時間比硅二極管更快,因此非常適合需要從阻斷快速過渡到導通狀態的電流。SiC二極管的發熱情況也不像硅二極管那樣高,因此可用于溫度更高的應用中,且效率更高。

根據本項目團隊最新調研,預計2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產值達到2249百萬美元,2024-2030年期間年復合增長率CAGR為23.5%。

全球市場主要碳化硅二極管生產商包括意法半導體英飛凌、Wolfspeed、三安光電(三安集成)、微芯科技和羅姆等,按收入計,2023年全球前六大廠商占有大約76%的市場份額。

從產品類型方面來看,650V碳化硅肖特二極管占有重要地位,按收入計,2023年市場份額為53%。同時就應用來看,汽車領域在2030年份額大約是80%,未來幾年CAGR大約為27.79%。

汽車是碳化硅功率器件最大的下游市場。2023年全球新能源汽車總銷量達到了1465.3萬輛,同步增長35.4%。其中中國新能源汽車銷量達到949.5萬輛,占全球銷量的64.8%,新能源汽車產銷量已連續8年位居全球第一。美國和歐洲2023年全年新能源汽車銷量分別為294.8萬輛和146.8萬輛,同比增速分別為18.3%和48.0%。

中國市場,目前SiC二極管主要廠商是三安光電(三安集成)、瑞能半導體科技股份有限公司、深圳基本半導體有限公司、中電科55所(國基南方)、華潤微電子、銀河微電和揚杰科技等。中國市場近幾年非常活躍,新進入者眾多,預計未來六年競爭會更加激烈。

生產層面,2023年,歐洲是最大生產地區,占有大約46%的市場份額,之后是北美大約24%,中國和日本分別占有15%和10%的市場份額。預計中國市場產量占比2030年將由目前的15%達到23%。

根據不同產品類型,碳化硅 (SiC) 肖特基二極管細分為:650V碳化硅SBD、 1200V碳化硅SBD、 其他類型

根據碳化硅 (SiC) 肖特基二極管不同下游應用,本文重點關注以下領域:汽車及交通、 充電樁工業領域、 能源及電網、 UPS/數據中心、 軌道交通、 其他應用

本文重點關注全球范圍內碳化硅 (SiC) 肖特基二極管主要企業,包括:意法半導體、 英飛凌、 Wolfspeed、 羅姆、 安森美、 微芯科技、 富士電機、 Navitas (GeneSiC)、 東芝Qorvo (UnitedSiC)、 三安光電(三安集成)、 Littelfuse (IXYS)、 中電科55所(國基南方)、 瑞能半導體科技股份有限公司、 深圳基本半導體有限公司、 SemiQ、 Diodes Incorporated、 KEC、 強茂股份、 安世半導體、 威世科技、 株洲中車時代電氣、 華潤微電子、 揚杰科技、 銀河微電、 Cissoid、 SK powertech

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    147

    文章

    9702

    瀏覽量

    167554
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2887

    瀏覽量

    62937
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2824

    瀏覽量

    49274
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優勢與性能

    碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件包括肖特
    的頭像 發表于 11-25 16:28 ?931次閱讀

    光伏板碳化硅二極管怎么選

    選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
    的頭像 發表于 09-29 14:33 ?518次閱讀
    光伏板<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>二極管</b>怎么選

    SiC二極管的工作原理和結構

    SiC二極管,即碳化硅二極管,作為第三代半導體材料的重要應用之一,其工作原理和結構在電力電子領域具有獨特的重要性。以下將詳細闡述SiC
    的頭像 發表于 09-10 15:09 ?1249次閱讀

    SiC二極管概述和技術參數

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化
    的頭像 發表于 09-10 14:55 ?1426次閱讀

    STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書

    電子發燒友網站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 09-05 11:36 ?0次下載

    肖特基二極管與其他二極管的區別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢壘二極管,是一種具有特殊結構和優異性能的半導體器件。它與其他類型的二極管(如普通二極管
    的頭像 發表于 07-24 15:05 ?7286次閱讀

    華燊泰:碳化硅二極管低能耗和高效率的秘密#SiC碳化硅 #第三代半導體 #肖特基二極管

    肖特基二極管碳化硅
    秦仲弘
    發布于 :2024年07月19日 16:54:37

    Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二極管,提升開關電源設計能效和可靠性

    新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結構設計,額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?120
    的頭像 發表于 07-05 09:36 ?738次閱讀
    Vishay威世新型第三代1200 V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>,提升開關電源設計能效和可靠性

    為什么SiC肖特基二極管不一樣

    在高功率應用中,碳化硅SiC)的許多方面都優于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是,與硅快速恢復二極管相比,純 SiC 肖特基
    的頭像 發表于 07-02 12:43 ?392次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>不一樣

    SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊

    近日,半導體器件領域企業SemiQ宣布,其QSiC?產品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(
    的頭像 發表于 06-14 11:36 ?451次閱讀
    SemiQ推出高性能1700V <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>和雙<b class='flag-5'>二極管</b>模塊

    瑞能半導體推出一種帶隙大于傳統硅基肖特基二極管的半導體器件

    碳化硅SiC肖特基二極管是一種帶隙大于傳統硅基肖特基二極管的半導體器件。
    的頭像 發表于 04-11 10:27 ?849次閱讀
    瑞能半導體推出一種帶隙大于傳統硅基<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>的半導體器件

    為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

    在高功率應用中,碳化硅SiC)的許多方面都優于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是,與硅快速恢復二極管相比,純 SiC 肖特基
    的頭像 發表于 04-01 04:50 ?405次閱讀
    為什么所有的<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>都不一樣

    碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管SiC Diode)、碳化硅晶體
    發表于 02-29 14:23 ?1727次閱讀

    具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

    北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管(SBD)的性能
    的頭像 發表于 02-19 11:23 ?1538次閱讀
    具有低導通電阻的GaN-on-<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>設計
    迪威百家乐娱乐平台| 大发888娱乐新澳博| 金利娱乐城代理| 赌场百家乐官网投注公式| 百家乐庄闲比率| 威尼斯人娱乐城网址是| 百家乐官网发牌千数| 百家乐游戏网址| 大发888娱乐捕鱼游戏| 澳门百家乐官网技术| 网络百家乐金海岸破解软件| ,| 新东方百家乐官网的玩法技巧和规则| 百家乐的各种打法| 太阳城网上娱乐| 百家乐风云论坛| 娱乐城免费领取体验金| 大发888娱乐城电脑版下载| 百家乐官网合法| 恒利百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐官网冯式打法| 百家乐翻天粤语版| 免费百家乐官网奥秘| 游戏百家乐庄闲| 国际百家乐官网规则| 百家乐学院教学视频| 青海省| 优博百家乐yobo88| 来凤县| 赌百家乐澳门| 皇冠投注网| 百家乐网上投注网站| 狮威亚洲娱乐城| 百家乐平台要多少钱| 西平县| 百家乐打印机分析| 山阳县| 实战百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐官网澳门百家乐官网澳门赌场 | 郑州百家乐官网高手| 大发888|