英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求
近日，韓國SK集團會長透露了一項重要信息，即英偉達公司的首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片，這款芯片被命名為HBM4。
HBM4作為高帶寬內存的最新一代產品，具有出色的數據傳輸速度和存儲能力，對于提升計算機系統的整體性能具有重要意義。因此，英偉達作為全球領先的圖形處理器(GPU)制造商，對于HBM4的需求自然不言而喻。
對于SK海力士而言，黃仁勛的這一要求無疑是一項嚴峻的挑戰。然而，作為一家在全球半導體市場中占據重要地位的企業，SK海力士有望通過自身的技術實力和創新能力，滿足英偉達的這一需求。
綜上所述，英偉達向SK海力士提出了提前供應HBM4芯片的要求，這既體現了英偉達對于高性能內存芯片的迫切需求，也展示了SK海力士在全球半導體市場中的重要地位。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
51170瀏覽量
427214 -
計算機
+關注
關注
19文章
7536瀏覽量
88638 -
英偉達
+關注
關注
22文章
3847瀏覽量
91964 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
973瀏覽量
38722 -
HBM4
+關注
關注
0文章
49瀏覽量
72
發布評論請先 登錄
相關推薦
特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛，內存大廠加速HBM4進程
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）近日據韓媒報道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4
特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片
近日，SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉，特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后，選擇其中一家作為其
英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日，英偉達（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應商南韓SK集團會長崔泰源透露，英偉
英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達的首席執行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭
SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內存
在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次引領行業潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海
SK海力士探索無焊劑鍵合技術，引領HBM4創新生產
在半導體存儲技術的快速發展浪潮中，SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正積極探索前沿技術，以推動高帶寬內存（HBM）的進一步演進。據最新業界消息，
英偉達、臺積電與SK海力士攜手，2026年量產HBM4內存，能效顯著提升
科技行業持續向AI時代邁進的浪潮中，英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作，旨在通過組建“三角聯盟”共同推進下一代高帶寬內存（
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存（HBM）市場的領軍企業，
SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士
SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年
SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議，原本預計
剛剛！SK海力士出局！
在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉
SK海力士預計3月量產HBM3E，供貨英偉達
長達半年的嚴格性能評估。據此，SK海力士計劃在今年3月開始量產這款高頻寬記憶體，以供應給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI
SK海力士擬在美國建廠生產HBM芯片
韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠，專注于生產高帶寬內存（HBM）芯片。這一舉措旨在與
工商網監
評論