在直拉法(cz)和區熔法(Fz)制成的單晶硅錠中內生微缺陷都由V/G控制,其中,V是結晶前沿晶體生長速率,G是晶體中固液界面附近的軸向溫度梯度。
如果V/G低于臨界值,則形成的缺陷為A型漩渦缺陷或B型漩渦缺陷;如果V/G高于臨界值,則A/B型缺陷消失,新的缺陷類型出現。這種新缺陷被稱作D類缺陷或V類缺陷。V/G的臨界值與缺陷形成的關系可以用圖表示,由圖中可知,V/G的臨界值為為0.13mm/minK。
A型漩渦缺陷 也稱為刃型位錯,它們是晶體中最常見的位錯類型之一。
A型位錯涉及晶體平面的局部錯位,其中一個半平面被插入到另一個半平面之間。
這種錯位導致晶體內部的應力分布不均,可能影響材料的塑性變形和斷裂行為。
B型漩渦缺陷 也稱為螺型位錯,B型位錯是晶體中的另一種常見位錯類型。
它們由螺旋狀排列的原子平面組成,看起來像是一個螺旋樓梯。
B型位錯可以沿著晶體的特定方向移動,影響材料的塑性變形和斷裂。
D類缺陷
這個術語通常不用于描述晶體中的點缺陷,而是用于描述位錯的一種類型,即線缺陷。
D類位錯是一種特殊的位錯,其中原子或離子的排列在晶體中形成類似啞鈴的形狀。
它們通常與位錯的移動和材料的塑性變形有關。
V類缺陷
V類缺陷指的是晶體中的空位,即原子或離子缺失的地方。
空位是最常見的點缺陷之一,它們可以在材料的制造過程中產生,也可以在材料的使用過程中由于原子的熱振動而形成。
空位可以影響材料的許多物理性質,如電導率、熱導率和機械強度。
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原文標題:什么是A/B型缺陷和D/V類缺陷
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