本文介紹了干法刻蝕側壁彎曲的原因及解決方法。
什么是側壁彎曲?
如上圖,是典型的干法刻蝕時,側壁彎曲的樣子,側壁為凹形或凸形結構。而正常的側壁幾乎是垂直的,角度接近 90°。
什么原因導致了側壁彎曲? 1,離子從光刻膠掩模邊緣散射,以特定角度進入刻蝕區域,導致側壁形貌的偏差。這種散射取決于掩模的傾斜角度,如果角度較大,散射更顯著。
2,離子在鞘層中的散射:如果工藝壓力過高,在等離子體鞘層中,離子的碰撞和散射頻率增加,導致離子軌跡偏離,進而引起側壁彎曲。
3,生成的聚合物分布不均:聚合物通常在孔頂部沉積得更好,而在深度較大的區域沉積較差。這種分布不均導致特征的頂部受保護,而側壁底部容易受到攻擊,進而形成彎曲的側壁。
解決方案
1,光刻膠的形貌盡量做的陡直,不要坡度太大
2,工藝腔壓力不要太大,降低工藝腔壓力,減少散射,改善側壁形貌。
3,控制保護氣體比例,確保側壁的聚合物保護層均勻分布。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
原文標題:干法刻蝕側壁彎曲的原因及解決方法
文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
相關推薦
無功補償故障可能由多種原因引起,以下是一些常見的故障原因及其解決方法:
發表于 01-29 14:25
?126次閱讀
碳化硅(SiC)作為一種高性能材料,在大功率器件、高溫器件和發光二極管等領域有著廣泛的應用。其中,基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關鍵作用,本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅
發表于 01-22 10:59
?118次閱讀
材料的現象. 是一種物理納米干法刻蝕, 當離子束與基板表面碰撞時, 破壞表面存在的原子間結合力(數 eV左右), 將表面的原子拋出.
發表于 12-26 15:21
?273次閱讀
什么是刻蝕?刻蝕是指通過物理或化學方法對材料進行選擇性的去除,從而實現設計的結構圖形的一種技術。蝕刻是半導體制造及微納加工工藝中相當重要的步驟,自1948年發明晶體管到現在,在微電子學和半導體領域
發表于 12-20 16:03
?325次閱讀
離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學作用相結合的過程,其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中,離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如果離子入射角在側壁的不同位置存在
發表于 12-17 11:13
?304次閱讀
在芯片制造過程中的各工藝站點,有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料,如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點殘留物去除掉,“刻蝕
發表于 12-16 15:03
?516次閱讀
本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過程中相當重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法
發表于 12-06 11:13
?493次閱讀
本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動、產物揮發性與刻蝕速率,表面形貌等。 ? 聚合物沉積?:工藝過程中產生的聚合物會在表面沉積
發表于 12-03 10:48
?493次閱讀
本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機理。 干法刻蝕SiO2的化學方程式怎么寫?刻蝕的過程是怎么樣的?干法刻氧化硅的化學方程式? 如上圖,以F系氣體刻蝕
發表于 12-02 10:20
?550次閱讀
? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數。 干法刻蝕中可以調節的工藝參數有哪些?各有什么作用? 1,溫度:晶圓表面溫度,溫度梯度 晶圓表面溫度:控制刻蝕表面的化學反應速率和產物的揮發性 溫度梯度
發表于 12-02 09:56
?667次閱讀
本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。 什么是低溫等離子體刻蝕,除了低溫難道還有高溫嗎?等離子體的溫度?? ? 等離子體是物質的第四態,并不是只有半導體制造或工業領域中才會有等離子體
發表于 11-16 12:53
?348次閱讀
主要介紹幾種常用于工業制備的刻蝕技術,其中包括離子束刻蝕(IBE)、反應離子刻蝕(RIE)、以及后來基于高密度等離子體反應離子的電子回旋共振等離子體刻蝕(ECR)和電感耦合等離子體
發表于 10-18 15:20
?791次閱讀
今天我們要一起揭開一個隱藏在現代電子設備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場對微觀世界的深入探秘,更是一次對半導體芯片制造藝術的奇妙之旅。
發表于 08-26 10:13
?1629次閱讀
刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側壁容易產生橫向刻蝕造成
發表于 04-12 11:41
?5455次閱讀
刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側壁,是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側壁非常垂直,底部平坦。這是理想的
發表于 03-27 10:49
?786次閱讀
評論