近日，國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會批準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法》等 20 項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，并予以公布。據(jù)悉，這 20 項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)將于 2018 年 8 月 1 日實(shí)施。

其中，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司(以下簡稱“兆易創(chuàng)新”)的兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)也包含在內(nèi)。2015 年 9 月，兆易創(chuàng)新提出的“串行 NAND 型快閃存儲器接口規(guī)范”和“串行 NOR 型快閃存儲器接口規(guī)范”立項(xiàng)申請獲得工信部審批。2016 年 1 月，兆易創(chuàng)新將完成的標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿提交至電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所。

在 NAND Flash 方面，兆易創(chuàng)新于 2012 年底創(chuàng)新的推出全球第一顆高性能、低成本的 SPI 接口 NAND Flash，并制定了自己的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。由于此產(chǎn)品相比傳統(tǒng)的并行 NAND Fash 具備成本低、易集成、性能高和兼容性好的特點(diǎn)，在市場上取得了良好反響，眾多系統(tǒng)廠商如國內(nèi)華為海思、中興、展訊、RDA 以及全球 Broadcom、Marvel、MTK、Mstar 等主芯片很快大量采用。

在 NOR Flash 方面，兆易創(chuàng)新專注于 Flash 技術(shù)以及產(chǎn)品的開發(fā)，在細(xì)分領(lǐng)域不斷推出最具全球競爭力的產(chǎn)品。目前已經(jīng)成為 SPI 接口 NOR Flash 領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商之一，市場份額達(dá)到國內(nèi)第一、全球第三，客戶包括Intel、Samsung、Toshiba、華為、聯(lián)想和中興等國內(nèi)外大廠。

NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。

全球存儲發(fā)展史

存儲器，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為3400億美金，存儲器就占了768億美元。對于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來說，存儲器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲器細(xì)分，又可分為DRAM、NAND Flash和Nor Flash三種，其中DRAM主要用來做PC機(jī)內(nèi)存（如DDR）和手機(jī)內(nèi)存（如LPDDR），兩者各占三成。

DRAM領(lǐng)域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機(jī)之前的五家，分別是：三星（韓）、SK海力士（韓）、奇夢達(dá)（德）、鎂光（美）和爾必達(dá)（日），五家公司基本控制了全球DRAM供給，終端產(chǎn)品廠商如金士頓，幾乎沒有DRAM生產(chǎn)能力，都要向它們采購原材料。

其中三星充分利用了存儲器行業(yè)的強(qiáng)周期特點(diǎn)，依靠政府的輸血，在價格下跌、生產(chǎn)過剩、其他企業(yè)削減投資的時候，逆勢瘋狂擴(kuò)產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)一步下殺產(chǎn)品價格，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn)，世人稱之為“反周期定律”。在存儲器這個領(lǐng)域，三星一共祭出過三次“反周期定律”，前兩次分別發(fā)生在80年代中期和90年代初，讓三星從零開始，做到了存儲器老大的位置。但三星顯然覺得玩的還不夠大，于是在2008年金融危機(jī)前后，第三次舉起了“反周期”屠刀。

2007 年初，微軟推出了狂吃內(nèi)存的Vista操作系統(tǒng)，DRAM廠商判斷內(nèi)存需求會大增，于是紛紛上產(chǎn)能，結(jié)果Vista 銷量不及預(yù)期，DRAM 供過于求價格狂跌，加上08 年金融危機(jī)的雪上加霜，DRAM 顆粒價格從2.25 美金雪崩至0.31 美金。就在此時，三星做出令人瞠目結(jié)舌的動作：將2007 年三星電子總利潤的118%投入DRAM 擴(kuò)張業(yè)務(wù)，故意加劇行業(yè)虧損，給艱難度日的對手們，加上最后一根稻草。

于是，DRAM價格一路飛流直下，08年中跌破了現(xiàn)金成本，08年底更是跌破了材料成本。2009年初，第三名德系廠商奇夢達(dá)首先撐不住，宣布破產(chǎn)，歐洲大陸的內(nèi)存玩家就此消失。2012年初，第五名爾必達(dá)宣布破產(chǎn)，曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場50%以上份額的日本，也輸?shù)袅俗詈笠粡埮啤?/p>

至此，DRAM領(lǐng)域最終只剩三個玩家：三星、海力士和鎂光。爾必達(dá)破產(chǎn)后的爛攤子，在2013年被換了新CEO的鎂光以20多億美金的價格打包收走。20億美金實(shí)在是個跳樓價，5年之后，鎂光市值從不到100億美元漲到460億，20億美元差不多是它市值一天的振幅。

除了DRAM之外，存儲器另外一個領(lǐng)域NAND Flash，也面臨類似的情況。NAND Flash市場的玩家，有三星、東芝/閃迪、美光、SK 海力士，四家總共占市場99%份額。相比DRAM市場，多了一個東芝/閃迪。NAND Flash主要用在兩個領(lǐng)域，一個是手機(jī)的閃存，另外一個是固態(tài)硬盤SSD。

Nor Flash市場比較特別，雖然價格也在漲，但邏輯卻不太一樣。在功能機(jī)時代，手機(jī)對內(nèi)存的要求不高，NOR Flash憑借著NOR+PSRAM的XiP架構(gòu)，得到廣泛應(yīng)用。但到了智能機(jī)時代，大量吃內(nèi)存的APP涌現(xiàn)，NOR的容量小成本高的缺點(diǎn)就暴露無疑，逐漸被NAND給取代，市場不斷萎縮，三星、鎂光、Cypress等公司都逐步退出NOR市場。

但就在各大廠商關(guān)停NOR產(chǎn)線的同時，NOR卻迎來了第二春。最主要的是AMOLED屏幕需要帶一塊NOR Flash來做電學(xué)補(bǔ)償，AMOLED顯示屏的滲透率正在加速，尤其是蘋果采用了之后，所以NOR的需求就一下子被帶動起來。市場的NOR供應(yīng)有限，導(dǎo)致另外一批廠商，如***的旺宏、華邦，以及大A股的明星兆易創(chuàng)新迅速崛起。

中國存儲產(chǎn)業(yè)近況

近兩年來存儲行業(yè)的強(qiáng)勢價格走勢，已經(jīng)極大地影響了國內(nèi)智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)乃至整個 IC 芯片行業(yè)的發(fā)展。現(xiàn)在不論是資本方、產(chǎn)業(yè)鏈還是終端的消費(fèi)者，對內(nèi)存相關(guān)的消息都異常地敏感和警惕。

就存儲器產(chǎn)業(yè)而言，要能成為國際市場中擁有影響力的廠商，尖端技術(shù)、知識產(chǎn)權(quán)和大規(guī)模量產(chǎn)能力是必要條件。而這些必要條件的建立可能需要數(shù)十年的時間。由此可見，存儲器產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門檻相當(dāng)高，目前中國內(nèi)存芯片制造商對美光、 三星及 SK 海力士等主要廠商尚不構(gòu)成威脅。

在移動終端設(shè)備中，NAND Flash 是必不可少的組件之一，而且也是最昂貴的組件之一。舉個例子來說，蘋果新推出的 iPhone X 具有 64G 和 256G 兩個版本，而中國地區(qū)的售價分別高達(dá)人民幣 8388 元、9688元。

一直以來，蘋果主要從日本東芝、美國西部數(shù)據(jù)、韓國SK海力士和三星電子等頂級內(nèi)存芯片廠商那里為 iPhone 采購 NAND Flash 芯片。據(jù)研究公司 CINNO 的分析師 Sean Yang 表示，蘋果是全球最大的 NAND Flash 芯片客戶，2017年蘋果的總需求達(dá)到 1.6 億片，占全球需求的 15%。

前段時間，據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞此前報(bào)道透露，蘋果正與清華紫光集團(tuán)旗下的長江存儲科技公司就 NAND Flash 采購進(jìn)行協(xié)商。長江存儲被視為中國在存儲領(lǐng)域趕超并挑戰(zhàn)諸如三星電子、東芝、SK海力士、美光和英特爾等市場領(lǐng)導(dǎo)者的希望。

據(jù)了解，長江存儲于2016年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上正式成立，公司主要股東包括中國集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和紫光集團(tuán)、湖北政府等，目前為清華紫光集團(tuán)的子公司。設(shè)計(jì)的 NAND Flash 產(chǎn)品以為 32 層為主。

長江存儲的首個 NAND Flash 生產(chǎn)線位于武漢市，一期投資 240 億美元，占地面積 1968 畝，包含 3 座全球單座潔凈面積最大的 3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房。據(jù)悉，一號生產(chǎn)及動力廠房已經(jīng)在2017年9月封頂。目前正在進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，預(yù)計(jì)2018年4月搬入機(jī)臺設(shè)備，力爭第三季度量產(chǎn)。

除了武漢長江存儲的32層3DNAND閃存值得關(guān)注，福建晉華的32納米DRAM利基型產(chǎn)品，以及合肥長鑫(睿力)的19納米DRAM也正在發(fā)力。

福建晉華專注利基型內(nèi)存的開發(fā)，主攻消費(fèi)型電子市場，有望憑借著中國本有的龐大內(nèi)需市場壯大自身產(chǎn)能，甚至在補(bǔ)貼政策下，預(yù)估最快2018年底可能將影響國際大廠在中國市場的銷售策略，并且有機(jī)會取得技術(shù)IP走向國際市場。

合肥長鑫直搗國際大廠最核心的移動式內(nèi)存產(chǎn)品。中國品牌手機(jī)出貨已占全球逾四成，倘若LPDDR4能順利量產(chǎn)并配合補(bǔ)貼政策，中國政府進(jìn)口取代的策略即可完成部分階段性任務(wù)。

國產(chǎn)存儲器想要真正逆襲，依然面臨諸多挑戰(zhàn)，一個是技術(shù)差距，另一個是制作水平的薄弱。2018將成為中國存儲器發(fā)展的關(guān)鍵年，希望在強(qiáng)有力的政策支持下，加上國內(nèi)廠商的不懈努力，中國存儲器能在不久的將來真正引領(lǐng)世界。