CIN的選擇
雖然不及CL對(duì)輸出穩(wěn)定性的影響大,但CIN也是電容值越大、ESR越小則輸出穩(wěn)定性越好,紋波也越小。大到某種程度,降低輸出紋波的效果會(huì)變小,從防止對(duì)輸入側(cè)的電磁干擾(EMI)的意義上說(shuō),電容值應(yīng)從CL的一半左右開(kāi)始探討較好。
圖22同樣顯示了使圖23中的CIN變化時(shí)輸入側(cè)紋波大小會(huì)發(fā)生怎樣的變化。雖然是一般不常進(jìn)行確認(rèn)的數(shù)據(jù),但對(duì)降低EMI是很重要的數(shù)據(jù)。CIN不會(huì)因ESR太小而輸出振蕩,所以盡量使用低ESR電容為宜。
RFB1, RFB2的選擇
使用FB(反饋)產(chǎn)品時(shí),RFB1、RFB2用于決定輸出電壓,對(duì)同一輸出電壓有時(shí)可考慮多種組合。此時(shí)選擇RFB1+RFB2=150kΩ~500kΩ比較妥當(dāng)。這里成為問(wèn)題的是輕負(fù)載時(shí)的效率和重負(fù)載時(shí)的輸出穩(wěn)定性。因?yàn)榱飨騌FB1、RFB2的電流沒(méi)有被作為輸出功率使用,而視作DC/DC轉(zhuǎn)換器的損失,所以要想提高輕負(fù)載時(shí)的效率的話(huà),要將RFB1、RFB2設(shè)定得大一些(RFB1+RFB2<1MΩ左右)。而要想提高重負(fù)載時(shí)的瞬態(tài)響應(yīng)的話(huà),則要做好輕負(fù)載時(shí)的效率差的準(zhǔn)備。
CFB的選擇
CFB是紋波反饋調(diào)整用電容器相位補(bǔ)償電容,該值也會(huì)影響負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。根據(jù)L值,表10中的CFB值為最佳值。過(guò)小于該值或過(guò)大于該值工作穩(wěn)定性都差。
圖中以XC9220C093為例說(shuō)明了CFB的影響。在圖26的電路中,RFB1=82kΩ時(shí),fZFB=10kHz的CFB為390pF左右。(圖23=39pF)、(圖24=390pF)和(圖25=1000pF)是對(duì)改變CFB時(shí)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的比較。39pF的話(huà),負(fù)載變重時(shí)電壓急劇下降,電壓恢復(fù)到恒定狀態(tài)的時(shí)間短,而1000pF的話(huà),負(fù)載變重時(shí)的瞬間電壓下降雖小,但電壓恢復(fù)到恒定狀態(tài)的時(shí)間長(zhǎng)。
圖
表10 決定最優(yōu)CFB的標(biāo)準(zhǔn)fZFB
圖21. XC9220C093負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(IOUT=0mA?200mA, CFB=39pF)
圖22. XC9220C093負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(IOUT=0mA?00mA,CFB=390pF)
圖23. XC9220C093負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(IOUT=0mA?200mA,CFB=1000pF)FB=1000pF)
圖24. XC9220C093 圖23~圖25的測(cè)試電路
圖25所示為加上RFB1和fZFB時(shí)標(biāo)準(zhǔn)CFB的值。
圖25. RFB1與CFB的關(guān)系
附錄.主要外設(shè)元件列表
列表
(1)FET
(2)SBD
(3)線(xiàn)圈
(4)陶瓷電容
(5)有機(jī)高分子固體電解電容
(6)鋁電解電容
-
電阻
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CFB
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原文標(biāo)題:【應(yīng)用指南--設(shè)計(jì)秘笈6】CIN、CFB該如何選擇?電阻RFB1、RFB2的選擇方法又是什么?
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