ANSYS宣布14納米FinFET制程技術獲聯電認證
ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯華電子（UMC）的先進14納米FinFET制程技術認證。ANSYS和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算（HPC）應用不斷成長的需求。
此次ANSYS取得聯電的認證包括萃取、電源完整性和可靠度、訊號電子遷移（signal EM）以及自發熱（self-heat）分析。聯電的14納米FinFET技術與 28納米技術相較快55%，耗電減少50%，適合需要更多功能、超高效能與超低功耗的應用。
聯電智慧財產開發與設計支援部門總監T.H. Lin表示：「聯電不斷改進設計以支援產品，幫助客戶縮短設計時間并加速產品上市時程。我們與ANSYS合作無間，雙方共同客戶能夠運用ANSYS的多物理場模擬，將設計最佳化，改善效能并減少過度設計（overdesign）。」
ANSYS總經理John Lee表示：「深次微16納米以下的多層次實體效應的相互依存性持續增加，如電源、可靠度和發熱議題，對設計收斂帶來重大挑戰。ANSYS的半導體解決方案架構針對多層次實體最佳化設計，而聯電認證ANSYS解決方案經過嚴格測試和準確規范的確認，有助于雙方共同客戶加速設計收斂。」
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發表于 02-22 14:46
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