最新研究發(fā)現金屬鉑可擁有半導體特性
日本研究人員最新研究發(fā)現，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，可以擁有類似硅等半導體的特性。
研究人員認為，這一發(fā)現挑戰(zhàn)了對于半導體材料的傳統認知，有助于推動相關領域發(fā)展。傳統意義上，金屬和半導體被嚴格區(qū)分，金屬一般導電性能好，而半導體介于絕緣體和導體之間，導電性可受控制。用硅等常見半導體材料制造的晶體管廣泛應用于各種電子設備中。京都大學研究小組發(fā)現，在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，它可以像半導體一樣，通過外部電壓控制電阻。此外，研究人員還發(fā)現鉑能夠大幅調節(jié)和控制“自旋軌道耦合”這一效應。
自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用，在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應。研究小組稱，這一發(fā)現與傳統的固體物理學常識不符，將有助于電子學和自旋電子學領域的發(fā)展。這一研究成果已發(fā)表在新一期英國《自然·通訊》雜志上。
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原文標題：新技術可讓金屬鉑“化身”半導體
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本帖最后由 濟世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
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工商網監(jiān)
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