本文主要是關(guān)于NOR Flash的相關(guān)介紹，并著重對NOR Flash燒寫flash鎖死現(xiàn)象進行了詳盡的闡述。

NOR Flash

NOR FLASH 是很常見的一種存儲芯片，數(shù)據(jù)掉電不會丟失.NOR FLASH支持Execute ON Chip，即程序可以直接在FLASH片內(nèi)執(zhí)行。這點和NAND FLASH不一樣。因此，在嵌進是系統(tǒng)中，NOR FLASH很適合作為啟動程序的存儲介質(zhì)。

NOR FLASH的讀取和RAM很類似，但不可以直接進行寫操縱。對NOR FLASH的寫操縱需要遵循特定的命令序列，終極由芯片內(nèi)部的控制單元完成寫操縱。從支持的最小訪問單元來看，NOR FLASH一般分為 8 位的和16位的（當然，也有很多NOR FLASH芯片同時支持8位模式和是16 位模式，具體的工作模式通過特定的管腳進行選擇） 。 對8位的 NOR FLASH芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片來說，一個地址對應(yīng)一個BYTE（8-BIT）的數(shù)據(jù)。例如一塊8-BIT的NOR FLASH，假設(shè)容量為4個 BYTE.那芯片應(yīng)該有8個數(shù)據(jù)信號D7-D0 和2個地址信號，A1-A0.地址0x0對應(yīng)第0個 BYTE，地址0x1對應(yīng)于第1BYTE，地址0x2對應(yīng)于第2個 BYTE，而地址0x3則對應(yīng)于第3 個BYTE對16位的 NOR FLASH芯片，或是工作在16-BIT模式的芯片來說，一個地址對應(yīng)于一個HALF-WORD（16-BIT）的數(shù)據(jù)。例如，一塊16-BIT的 NOR FLASH，假設(shè)其容量為4個BYTE.那芯片應(yīng)該有16 個數(shù)據(jù)信號線D15-D0 和1個地址信號A0.地址 0x0對應(yīng)于芯片內(nèi)部的第0個 HALF-WORD，地址0x1對應(yīng)于芯片內(nèi)部的第1個 HALF-WORD. FLASH一般都分為很多個SECTOR，每個SECTOR包括一定數(shù)目的存儲單元。對有些大容量的FLASH，還分為不同的BANK，每個BANK包括一定數(shù)目的SECTOR.FLASH的擦除操縱一般都是以SECTOR，BANK或是整片F(xiàn)LASH為單位的。

燒寫NOR Flash，F(xiàn)lash鎖死怎么辦

Flash鎖死是由于在Flash的密碼部分寫入了密碼，如果在燒寫的過程中，受到干擾就有機會導(dǎo)致Flash鎖死，如果試了下面的方法仍舊沒能解鎖，只有更換芯片。C2000燒寫的過程（clear） -----》erase----》depletion ------》program------》 verify。如果在Erase的時候，芯片強行斷電，供電不穩(wěn)定導(dǎo)致類似于強行短點的情況，時鐘不穩(wěn)定，那么FLASH的密碼段有可能成為隨機值或全0.

解決方法

1、確認一下是不是有程序放在FLASH的密碼區(qū)，如果是那么查看.out中對應(yīng)地址的數(shù)據(jù)，就是密碼。

2、斷電，上電用CCS---》memory看看FLASH區(qū)是不是全0，用GEL功能中的Code Security Module -》Unlock_CSM解鎖

3、每次聯(lián)編完成，先不要燒FLASH，先看看.out文件對應(yīng)密碼的地址是否被使用，確保PASSWDS的used為0

4、若已經(jīng)鎖死，不要更改DSP的源程序，使用CCS3.3在線CPU仿真模式，View--》Memory看密碼區(qū)燒進的數(shù)據(jù)

NorFlash程序燒寫的解鎖

一塊空板子（flash是空的）是可以通過K9正常讀寫flash的，但當flash中已經(jīng)寫入程序后，在測試過程中很容易出現(xiàn)不能通過K9重新燒寫flash。

我做了一下實驗，在一塊可以正常讀寫的板子上向flash中正常啟動地址寫入一個文本文件，讓板子不能正常啟動，這時候再用K9擦除flash時會報“無法停止目標板上的器件”，在設(shè)置中選用“特殊停止”可以清除“無法停止目標板器件”的錯誤，但K9會一直停在“初始化flash“狀態(tài)，嘗試K9各種配置組合都不能再繼續(xù)下去了。再焊一片空flash到板子上，K9又可以繼續(xù)燒寫flash。我做了幾次這樣的試驗，可以確定當flash非空而程序又不正確時，會重現(xiàn)上述過程。

分析上述現(xiàn)像，不難發(fā)現(xiàn)是因為向片內(nèi)燒寫了非法的代碼，導(dǎo)致芯片上電運行后異常，影響仿真器連接。問題的根本是無法停止內(nèi)核，如果能停止內(nèi)核，那一切都好辦的多。通常情況下，CNW5602這種比較高性能ARM芯片支持比較多的啟動模式。于是我建議這位客戶切換芯片的啟動模式，不過這位用戶告訴我，板上只設(shè)計了從NorFlash啟動；并且由于是BGA的片子，也沒法設(shè)置跳線。沒有什么別的好辦法，難道說必須再次把Flash芯片取下然后換塊空的？

后面實在沒什么辦法，他把板寄給了我，要我?guī)兔ε?/p>

既然無法切換啟動模式，那是否可以從源頭解決問題，讓NorFlash中數(shù)據(jù)不能被芯片讀取出來？

于是就有了如下的方法：

我這邊又試了下，之前發(fā)的方式有些時候不行。下面是比較穩(wěn)定的操作方法：

加載附件中的初始化宏。這個文件我有改動，在最開始加了個５秒的延時，最后加了擦除整個Flash的命令序列。

短接Flash的RESET引腳到地，重新上電；

進入仿真器自檢界面，點擊自檢，在彈出第一個延時5秒時，斷開RESET接地設(shè)置，然后進行后續(xù)的自檢。執(zhí)行初始化宏的最后操作時，會執(zhí)行擦除Flash的命令。（如果能出現(xiàn)第1個5秒的延時，說明器件已經(jīng)停下來了）。

執(zhí)行完成后，重新上電，基本就能正常連接了。

可能在第3步操作時，成功的次數(shù)比較小，多試幾次。我這邊燒了這個隨機數(shù)文件，出現(xiàn)無法停止的問題。最后是用此方法解決的。

正常燒時，請用原來的初始化文件。

上述方法其實有點復(fù)雜，并不需要在初始化宏中插入擦除序列。可以直接點擊擦除按鈕，要在第1個5秒延時，斷開RESET引腳即可，因為此時芯片已經(jīng)停下，后續(xù)就可以調(diào)用算法擦除芯片。

第一個５秒延時的作用是預(yù)留時間斷開NorFlash的RESET引腳，恢復(fù)Flash正常工作。這樣仿真器才能正常的執(zhí)行后續(xù)的初始化序列和擦除算法。

這個方法的原理是先讓Flash芯片一直處于復(fù)位狀態(tài)，芯片不能讀取代碼，自然就不能從NorFlash啟動。待芯片啟動完成后，仿真器再去連接，此時就可以連接并停止內(nèi)核，可以執(zhí)行各種讀取Memory的操作。在停止內(nèi)核后，可以讓Flash恢復(fù)正常工作，此時仿真器再去擦除Flash。

NOR Flash的燒寫方式

8-BIT FLASH 燒寫驅(qū)動實例 - HY29F040

HY29F040是現(xiàn)代公司的一款8-BIT的NOR FLASH.在這個小節(jié)里，我們以這個芯片為例子，先容如何對8-BIT NOR FLASH進行操縱。

HY29F040的容量為512K-BYTE，總共包括8 個SECTOR，每個SECTOR 的容量是64K-BYTE.該芯片支持SECTOR擦除，整片擦除和以BYTE 為基本單位的寫操縱.HY29F040的命令定義如表-1所示。

下面，我們來看看如何實現(xiàn)基本的擦除和編程操縱。在本節(jié)后面的描述中，我們使用了下面的2 個定義：

U32 sysbase; //該變量用來表示 FLASH 的起始地址

#define SysADDR8（sysbase， offset） （（volatile U8*）（sysbase）+（offset）） //用來方便對指定的 FALSH 地址進行操縱

先解釋一下 SysAddr8 的定義。這個宏定義了一個 BYTE（8-BIT）指針，其地址為（sysbase + offset）。假設(shè) FLASH 的起始地址為0x10000000，假如要將0xAB寫到FLASH的第一個BYTE中往，可以用下面的代碼：

*SysAddr8（0x10000000， 0x1） = 0xAB;

留意：

在本節(jié)后面的描述中，SYSBASE代表的是 FLASH的起始地址，而SysAddr8中的OFFSET則代表了相對于FLASH起始地址的BYTE偏移量.OFFSET也是8-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。

整片擦除操縱

整片擦除操縱共需要6個周期的總線寫操縱

1 – 將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

2 – 將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

3 – 將 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555

4 – 將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

5 – 將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

6 – 將 0x10 寫到 FLASH 地址 0x5555

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x80; //將值 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x10; //將值 0x10 寫到 FLASH 地址 0x5555

SECTOR 擦除操縱

SECTOR的擦除操縱共需要6個周期的總線寫操縱

1 – 將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

2 – 將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

3 – 將 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555

4 – 將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

5 – 將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

6 – 將 0x30 寫到要擦除的 SECTOR 對應(yīng)的地址

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x80; //將值 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， addr） = 0x30; //將值 0x30 寫到要擦除的 SECTOR 對應(yīng)的地址

BYTE 編程操縱

寫一個BYTE 的數(shù)據(jù)到FLASH中往，需要 4個周期的總線寫操縱

1 – 將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

2 – 將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

3 – 將 0xA0 寫到 FLASH 地址 0x5555

4 – 將編程數(shù)據(jù)（BYTE）寫到對應(yīng)的編程地址上往

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xA0; //將值 0xA0 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， addr） = data; //將一個 BYTE的數(shù)據(jù)寫到期看的地址

6. 16-BIT FLASH 燒寫驅(qū)動實例 - SST39VF160

SST39VF160是SST公司的一款16-BIT的NOR FLASH. 在這個小節(jié)里， 我們以SST39VF160為例子， 先容如何對16-BIT NOR FLASH進行操縱。對8-BIT FLASH的操縱很好理解，但對16-BIT FLASH的操縱理解起來要晦澀很多。我盡力描述得清楚些。

SST39VF160的容量為2M-BYTE ， 總共包括512個SECTOR， 每個SECTOR 的容量是4K-BYTE. 該芯片支持SECTOR擦除，整片擦除和以 HALF-WORD 為基本單位的寫操縱.SST39VF160 的命令定義如表-2 所示。在表 2 中，由于所有命令都是從FLASH的角度來定義的。 所以， 所有的地址都是HALF-WORD地址， 指的是16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。

在本節(jié)后面的描述中，我們使用了下面的2個定義：

U32 sysbase; //該變量用來表示 FLASH 的起始地址

#define SysAddr16（sysbase， offset） （（volatile U16*）（sysbase）+（offset）） //用來方便對指定的 FALSH 地址進行操縱

SysAddr16（sysbase， offset）首先定義了一個16-BIT HALF-WORD的指針，指針的地址為sysbase，然后根據(jù)offset做個偏移操縱。 由于HALF-WORD指針的地址是2個BYTE對齊的， 所以每個偏移操縱會使得地址加2. 終極， SysAddr16 （sysbase， offset）相當于定義了一個HALF-WORD的指針，其終極地址為（sysbase + 2offset） 。在使用SysAddr16 的時候，將sysbase設(shè)置成 FLASH 的起始地址，offset 則可以理解為相對于 FLASH 起始地址的 HALF-WORD 偏移量或是偏移地址。假設(shè) FLASH 的起始地址為 0x10000000，SysAddr16（0x10000000， 0）指向 16-BIT FLASH 的第 0 個 HALF-WORD， SysAddr16（0x10000000， 1指向16-BIT FLASH的第1 個HALF-WORD.依次類推。假如要將0xABCD分別寫到FLASH 的第0個和第 1個HALF-WORD 中往，可以用下面的代碼：

*SysAddr16（0x10000000， 0x0） = 0xABCD;

*SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD;

接下來，我們分別從ARM處理器的角度和FLASH的角度來具體分析一下。

從 ARM 的角度來看：

假設(shè) FLASH 的起始地址為 0x10000000，由于 ARM 處理器知道 FLASH 的地址空間為 0x10000000 ~ （0x10000000 +FLASH容量 – 1），所以在對這個地址空間進行訪問的時候，會設(shè)置好FLASH的片選信號，并將低位的地址輸出到 地址信號上。以*SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD 為例。從ARM 處理器的角度來看，該操縱是把0xABCD寫到地址0x10000002上往。所以ARM處理器終極會在它的地址信號An-A0輸出地址0x2，同時會在D15-D0 上輸出0xABCD.

從 FLASH 的角度來看：

還是以 *SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD 為例，F(xiàn)LASH看到的地址是多少呢？接著分析.ARM 處理器在執(zhí)行操縱的時候，會設(shè)置好相應(yīng)的FLASH片選使能信號，并在ARM的地址信號An-A0上輸出 0x2.由于 ARM和 16-BIT FLASH的地址信號的連接是錯開一位的， 所以， FLASH終極在自己的地址An-A0上看到的信號是0x1， 相當于將ARM

處理器輸出的地址往右做了一個移位操縱，恰好對應(yīng)的是FLASH的第1 個HALF-WORD.同時，F(xiàn)LASH會在自己的D15-D0上看到數(shù)據(jù)0xABCD.

通過上面的分析，我們知道 SysAddr16 中指定的 offset 的值就是 16-BIT FLASH 在自己的地址 An-A0 上看到的值。所以，我們可以很方便的通過 SysAddr16（sysbase， offset） 對 FLASH 進行操縱，其中 sysbase 代表 FLASH 起始地址，offset 則代表了FLASH 的第幾個HALF-WORD（HALF-WORD偏移量或偏移地址） 。

留意：

1. 在本節(jié)后面的描述中，SysAddr16中的 SYSBASE代表的是FLASH的起始地址，而SysAddr16中的 OFFSET則代表了相對于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量或偏移地址.OFFSET 的值也是16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的值。

2.在SST39VF160的命令定義中，所有的地址都是針對FLASH的HALF-WORD地址，指的是在FLASH自己的地址信號An-A0上看到的地址。

整片擦除操縱

整片擦除操縱共需要6個周期的總線寫操縱

1 – 將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555

2 – 將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

3 – 將 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

4 – 將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555

5 – 將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

6 – 將 0x0010 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0080; //將值 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0010; //將值 0x0010 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

SECTOR 擦除操縱

SECTOR的擦除操縱共需要6個周期的總線寫操縱

1 – 將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555

2 – 將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

3 – 將 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

4 – 將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555

5 – 將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

6 – 將 0x0030 寫到要擦除的 SECTOR 對應(yīng)的 HALF-WORD地址

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0080; //將值 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， addr 》》 1） = 0x0030; //將值 0x0030 寫到要擦除的 SECTOR 對應(yīng)的

HALF-WORD地址

留意：

上面的代碼中第6個操縱周期中的ADDR 是從ARM處理器的角度來看的BYTE地址，由于在擦除的時候，用戶希看指定的是從 ARM 的角度看到的地址，這樣更方便和更直觀。而在 SysAddr16 的宏定義中，OFFSET 表示的是相對于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量，或是FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。所以需要執(zhí)行一個右移操縱，把ADDR轉(zhuǎn)換成 HALF-WORD 地址。

舉例說明，SST39VF160 每個 SECTOR 的大小是 4K-BYTE.從 ARM 處器的角度和用戶的角度來看，SECTOR-0 相對于FLASH起始地址的BYTE地址是0x0;從FLASH來看SECTOR-0 的HALF-WORD地址是0x0.從ARM處理器的角度和用戶的角度來看， FLASH SECTOR-1相對于FLASH起始地址的BYTE地址0x1000; 從FLASH來看， SECTOR-1的HALF-WORD地址應(yīng)該是（0x1000 》》 1） = 0x800.

假如要擦除SECTOR-0，上面代碼的第6條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x0 》》 1） = 0x0030;

假如要擦除SECTOR-1，上面代碼的第6條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x1000 》》 1） = 0x0030;

HALF-WORD 編程操縱

寫一個HALF-WORD的數(shù)據(jù)到FLASH中往，需要4個周期的總線寫操縱

1 – 將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555

2 – 將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

3 – 將 0x00A0 寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555

4 – 將編程數(shù)據(jù)（HALF-WORD）寫到對應(yīng)的 HALF-WORD地址

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00A0; //將值 0x00A0 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， addr 》》 1） = data; //將數(shù)據(jù)寫到對應(yīng)的 HALF-WORD 地址

留意：

上面的代碼中第4個操縱周期中的ADDR是從ARM處理器的角度來看的BYTE地址， 由于在執(zhí)行寫操縱的時候，用戶希看指定的是從 ARM 的角度看到的地址，這樣會更方便和更直觀。而在 SysAddr16 的宏定義中，OFFSET表示的是相對于FLASH起始地址的HALF-WORD偏移量。 所以需要執(zhí)行一個右移操縱， 把它轉(zhuǎn)換成HALF-WORD

地址。

舉例說明，假如要數(shù)據(jù) 0x0123 寫到地址 0x0 往，對應(yīng)的是 FLASH 的第 0 個 HAFL-WORD，對應(yīng)的 HALF-WORD 地址應(yīng)該是0x0，上面代碼的第4條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x0 》》 1） = 0x0123;

假如要數(shù)據(jù)0x4567寫到地址0x2往， 對應(yīng)的是FLASH的第1個 HALF-WORD， 對應(yīng)的HALF-WORD地址應(yīng)該是0x1， 上面代碼的第4條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x2 》》 1） = 0x4567;

假如要數(shù)據(jù)0x89AB寫到地址0x4往， 對應(yīng)的是FLASH的第2個HALF-WORD， 對應(yīng)的HALF-WORD地址應(yīng)該是0x2，上面代碼的第4條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x4 》》 1） = 0x89AB;

假如要數(shù)據(jù) 0xCDEF 寫到地址 0x6 往，對應(yīng)的是 FLASH 的第 3 個 HALF-WORD，對應(yīng)的 HALF-WORD 地址應(yīng)該是0x3，上面代碼的第4條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x6 》》 1） = 0xCDEF;

結(jié)語

關(guān)于NOR Flash的相關(guān)介紹就到這了， 如有不足之處歡迎指正。

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