問題描述：某STM32客戶反饋， 當(dāng)STM32F407V芯片頻繁的正常通斷電的時候，F(xiàn)LASH 會被非法改寫，出現(xiàn)各種各樣的異常（整片被擦除、中斷向量表被改寫、寫保護(hù)被清除等等）。

經(jīng)過與跟客戶溝通了解到 :

?他們是延續(xù)之前的項(xiàng)目，進(jìn)行的一些軟硬件簡單修改。之前的項(xiàng)目沒有出現(xiàn)過類似的問題。

?確認(rèn)通斷電的時間是足夠，即斷電后所有的VDD都回到0；上電的時序也正常。

?原理圖參考了ST相關(guān)開發(fā)板的參考設(shè)計(jì)。

?測量工作時的電壓，除了發(fā)覺上電時會有一些抖動外，其它一切正常。嘗試讓他們改善上電電路，去掉這一抖動，再次實(shí)驗(yàn)，仍然出現(xiàn)類似的問題。

到這里似乎跟硬件沒關(guān)聯(lián)了， 接著對客戶代碼進(jìn)行刪減又做了如下實(shí)驗(yàn)：

1，去掉APP 部分代碼，僅僅留下IAP代碼。做相同的實(shí)驗(yàn)，問題再現(xiàn)。

2，進(jìn)一步刪減程序，去掉程序中所有跟flash以及OPTION BYTE 相關(guān)的部分，做相同的

實(shí)驗(yàn)，問題依舊。

3，沒招，再刪，最后僅僅留下下面程序：

客戶反應(yīng)只要調(diào)用了delay_init函數(shù)就會出問題，不調(diào)用就不會出問題（僅僅做了一天的實(shí)驗(yàn)）。到這里似乎跟軟件有關(guān)系了，我們進(jìn)一步分析發(fā)現(xiàn)他們改寫了我們的systick的config函數(shù)，那么我就做下一個實(shí)驗(yàn)。

1，改為標(biāo)準(zhǔn)庫中的systick例程，去掉寫保護(hù)，加一個GPIO定時翻轉(zhuǎn)程序。同時在燒錄之后，加上寫保護(hù)，做相同的實(shí)驗(yàn)，問題再現(xiàn)。

2，改為標(biāo)準(zhǔn)庫中的systick例程，去掉寫保護(hù)，加一個GPIO定時翻轉(zhuǎn)。同時在燒錄之后，加上寫保護(hù)，做相同的實(shí)驗(yàn)，問題還是再現(xiàn)。

3，到這里我們有點(diǎn)懷疑是芯片真的有損傷了。我們又用cubemx生成了一個GPIO翻轉(zhuǎn)和systick的延時，做相同的實(shí)驗(yàn)，問題照舊。

4，到此，我們一方面請芯片設(shè)計(jì)人員做進(jìn)一步確認(rèn)，看看芯片是否真的壞了。同時，我們抱著懷疑一切的態(tài)度，請客戶的硬件工程師再次確認(rèn)他們的硬件和原理圖的一致性，我們懷疑他們的硬件是否有裝錯的元器件。主要集中在MCU周邊。最后他們的工程師反饋，STM32的PDR_ON腳，板子上裝的元器件跟原理圖不一致。他們把R47和R48都裝了，那么相當(dāng)于在PDR_ON上是一個0.6v的電壓，也就是關(guān)斷了MCU內(nèi)部復(fù)位。

真是山窮水盡疑無路，柳暗花明又一村，看來問題應(yīng)該跟內(nèi)部復(fù)位有關(guān)。

查看STM32F407數(shù)據(jù)手冊，可以看到相關(guān)信息。

從上面規(guī)格書來看，STM32F407V的內(nèi)部復(fù)位電路可以選擇性開啟或關(guān)閉，如果選擇關(guān)閉mcu內(nèi)部的復(fù)位電路，需要在外部接一個復(fù)位監(jiān)測電路保證VDD達(dá)到正常工作電壓之前一直使MCU處于復(fù)位狀態(tài)。而這里，客戶本意并不想關(guān)閉內(nèi)部復(fù)位，外部也沒有相應(yīng)的電源監(jiān)測復(fù)位電路。既然這樣,根據(jù)手冊描述，PDR_ON腳接到VDD即可。具體到這里，去掉R48這個1k歐姆的電阻。重做實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，異常消失。

結(jié)論

其實(shí)之前也碰到過另外西安客戶發(fā)生過頻繁上電不工作的情況。因他們是使用了舊的數(shù)據(jù)手冊，沒有把PDR_ON腳拉到VDD 所致。

對于ST MCU來說，這個PDR_ON引腳有的封裝是被引出來了，有的封裝沒有引出，如果沒有引出的是默認(rèn)使能內(nèi)部復(fù)位功能，如果引出的話，大家也要當(dāng)心有的型號是拉低使能內(nèi)部復(fù)位；有的是拉高使能內(nèi)部復(fù)位，設(shè)計(jì)和使用時注意這點(diǎn)。