新的功率集成模塊將在Electronica展展出，配以最新的智能功率模塊、MOSFET、IGBT和集成的電機驅動器，用于電源轉換和電機控制。

2018年11月8日 —推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出了新的電源模塊，在高度集成和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能，增添至公司已然強固的電源半導體器件陣容。

太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）逆變級和工業(yè)變頻驅動器（VFD）等應用中的功率級通常由分立的IGBT/MOSFET集成專用的驅動器和額外的分立器件構成。安森美半導體新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模塊（PIM） 提供緊湊、高度集成的方案，采用易于貼裝的封裝，節(jié)省空間和降低成本，極大地減輕設計人員的挑戰(zhàn)。

這些器件采用Q1和Q2封裝，用于30 KW和50 KW逆變器，集成場截止溝槽IGBT和快速恢復二極管，提供更低的導通和開關損耗，并使設計人員能夠在低VCE（SAT）和低EON / EOFF損耗之間折衷，以充分優(yōu)化電路性能。直接鍵合銅（DBC）基底支持大電流，最大限度地降低寄生電感的影響，令設計人員實現高的開關速度，以及以12.7 mm的爬電距離提供3000 Vrms的隔離電壓。

此外，安森美半導體還推出了新的、充分優(yōu)化的、超緊湊的智能功率級（SPS）多芯片模塊FDMF3170，用于服務器、數據中心、人工智能加速器和電信設備中的DC-DC 降壓轉換器。它集成兩個基于安森美半導體PowerTrench?技術的高性能功率MOSFET，和一個具有高精度電流傳感器的智能驅動器以實現最佳的處理器性能。

在Electronica展會的電源轉換和電機控制技術演示

這兩個新的電源模塊將在Electronica展會期間在安森美半導體展臺演示，突顯基于半導體的高能效方案對于開發(fā)成功的電源轉換和電機控制（PCMC）設計至關重要。展臺演示將重點展現安森美半導體的方案在工業(yè)電源、太陽能和電機驅動器開創(chuàng)了領先地位，并將包括一個機器人展示以及太陽能和電池儲能裝置。

安森美半導體提供最廣泛的電源半導體器件陣容，采用創(chuàng)新的封裝格式，支持全球邁向更清潔、高可靠性和具性價比的能源設計。該陣容包括基于先進寬禁帶（WBG）材料的器件、用于所有電機類型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全集成的驅動器。這些器件一起顯著提高現代應用所需的高能效、可靠、緊湊和低成本的電源方案，持續(xù)推動能源革命。

關于安森美半導體

安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片（SoC）及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國防應用的獨特設計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，一套強有力的守法和道德規(guī)范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業(yè)務網絡。