***聯(lián)電日前遭美國司法部起訴，被指控與福建晉華共謀竊取美光商業(yè)機密，引發(fā)各界關(guān)注。聯(lián)電昨晚正式發(fā)布聲明表示，對于任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責(zé)，將全力并積極地自我防衛(wèi)！

以下為聲明全文：

聯(lián)華電子是國際公認、***起家的半導(dǎo)體公司。38年來，在全球的供應(yīng)鏈上，已經(jīng)成為不可或缺的一員，先進量產(chǎn)技術(shù)達14奈米。對比之下，美光公司爭執(zhí)所涉及的DRAM技術(shù)，是32奈米，在聯(lián)華電子的計劃啟動當(dāng)時，已經(jīng)是落后幾個世代的技術(shù)。

社會上有一個錯誤的印象，認為聯(lián)華電子沒有任何DRAM的知識或經(jīng)驗，這不是事實，而且是極端的不實。從1996年到2010年，聯(lián)華電子積累了近15年制造DRAM產(chǎn)品的經(jīng)驗。甚至在某個時間點上，聯(lián)華電子內(nèi)部DRAM團隊人數(shù)，超過150人。聯(lián)華電子是一個有組織的企業(yè)機構(gòu)，藉由堅實而穩(wěn)定的團隊，掌握并保存了豐富的DRAM知識和經(jīng)驗。舉個例子來說，現(xiàn)任聯(lián)華電子共同總經(jīng)理之一的簡山杰，是1996年時開發(fā)DRAM產(chǎn)品的RAM制程開發(fā)經(jīng)理。

另一個實例則是：Alliance公司是1996年第一個獲得聯(lián)華電子公司授權(quán)合作DRAM伙伴之一，該公司是一家總部位于美國的DRAM芯片設(shè)計公司，藉由聯(lián)華電子的技術(shù)進行DRAM制造。除了傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)外，2009年聯(lián)華電子更成功開發(fā)了屬于自己的嵌入式DRAM制程技術(shù)，這比制造標準型DRAM的過程要復(fù)雜得多。

聯(lián)華電子同意與晉華公司聯(lián)合開發(fā)DRAM制程，這是一個與聯(lián)華電子晶圓專工服務(wù)完全分開的單獨項目，在做成決策當(dāng)時，只是一個符合所有合理商業(yè)考慮的單純商業(yè)交易，已經(jīng)向政府正式提出申請，主管機關(guān)亦已于2016年4月核準整個項目。值得一提的是，那時還未聽說有美中貿(mào)易戰(zhàn)。

自從聯(lián)華電子開始為晉華公司開發(fā)DRAM制程技術(shù)，履行合約義務(wù)，聯(lián)華電子已經(jīng)花費了新臺幣數(shù)億元。盡管這個項目的研發(fā)團隊成員接近300人，但只有不到10%的人曾在美光公司工作過。

相反于美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象，聯(lián)華電子的DRAM技術(shù)基礎(chǔ)里的組件設(shè)計，是完全不同于美光公司的設(shè)計。簡而言之，聯(lián)華電子開發(fā)的記憶胞架構(gòu)是3x2布局的儲存單元，這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的。

另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發(fā)了25奈米的DRAM技術(shù)。事實是，美光公司在2010年初，購買了***的瑞晶公司和日本的爾必達公司的25奈米DRAM技術(shù)。

聯(lián)華電子不要「在報刊上」進行這場訴訟，但聯(lián)華電子要向我們的客戶和投資人保證，聯(lián)華電子對于任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責(zé)，將全力并積極地自我防衛(wèi)。

為什么美國經(jīng)濟間諜法可以管到中國***和大陸的企業(yè)和個人？

***交通大學(xué)教授林志潔表示，在美國經(jīng)濟間諜法中，采取的就是擴大領(lǐng)域管轄的原則，在這些情形下，發(fā)生于美國境外的經(jīng)濟間諜或營業(yè)秘密侵害行為，美國也有管轄權(quán)。 此外，美國承認組織體犯罪，聯(lián)電公司本身，可以作為刑事行為人和被告。

林志潔說，美國聯(lián)邦經(jīng)濟間諜法處罰未遂犯，只要「著手」即可，不需要拿到東西才算，所以開始竊取就已經(jīng)具備可罰性。 另外，聯(lián)邦經(jīng)濟間諜法也處罰共謀。 如果A和B共謀竊取C的營業(yè)秘密，且知道這個營業(yè)秘密將會裨益外國政府，A和B也確實去竊取了，A和Ｂ都會成立經(jīng)濟間諜犯罪及共謀經(jīng)濟間諜犯罪。