在IBM新一代的FlashSystem存儲設備中，將利用磁阻RAM（MRAM）來做寫緩存，而不再使用傳統的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存儲器技術之一，但與NAND閃存或英特爾的3D XPoint存儲設備相比，它的密度嚴重受限。 到目前為止，MRAM大多都應用在嵌入式系統中，MRAM可以取代小型閃存芯片或電池供電的DRAM和SRAM緩存。

Everspin是目前唯一的MRAM芯片供應商，其目前可用的256Mb芯片和1Gb芯片將在今年年底前提供樣品，從而推動產能提升。他們不再在飛思卡爾提供的晶圓上自己制造，而是與GlobalFoundries來進行合作，以便在他們的22nm FD-SOI工藝上制造MRAM。容量的增加使得MRAM在大數據處理系統中更具有吸引力，盡管目前它們的容量仍然太小而不能用作主存存儲器。

IBM現有的FlashSystem設備使用自定義外形尺寸和系統級別的掉電保護設計，以及基于FPGA的控制器。 新系統切換到標準的2.5“U.2尺寸，這需要在每個設備級別實現掉電保護。IBM發現使用足夠大的超級電容以保持FPGA控制器能夠運行足夠長時間以刷新寫緩存的DRAM是不切實際的。但MRAM固有的非易失性可以解決對超級電容的需求。

用于IBM FlashSystem的新SSD具有64層 3D TLC NAND閃存，可用存儲容量高達19.2TB，使其成為密度最高的基于TLC的SSD之一。 這些SSD使用20通道NAND接口和4通道PCIe 4.0主機接口，可以在雙端口2 + 2模式下運行。 IBM的控制器還提供可選的透明壓縮，具有典型的3：1壓縮比和符合FIPS 140標準的加密。