采用氮化鎵應(yīng)用模塊實(shí)現(xiàn)DCDC的設(shè)計(jì)
GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
ti
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
7987瀏覽量
212935 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9745瀏覽量
138885 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
59文章
1646瀏覽量
116617
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別？
同功率下體積更小，且散熱更優(yōu)秀，輕松實(shí)現(xiàn)小體積大功率。
既然氮化鎵這么好？為什么不早點(diǎn)用？
原因很簡(jiǎn)單：之前氮化鎵技術(shù)不成熟，成本也相對(duì)更高
發(fā)表于 01-15 16:41
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片介紹
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開(kāi)關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開(kāi)關(guān)速度和高頻率的開(kāi)關(guān)能力，能夠迅速地切換
25W氮化鎵電源芯片U8722BAS的主要特征
在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開(kāi)辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵（Gallium Nitride，簡(jiǎn)稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，使其成為實(shí)現(xiàn)高效電力轉(zhuǎn)換的重要選擇。
氮化鎵晶圓在劃切過(guò)程中如何避免崩邊
9月，英飛凌宣布成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。這一突破將極大地推動(dòng)氮化鎵
“鑫威源”實(shí)現(xiàn)高性能氮化鎵激光芯片研制及產(chǎn)線通線試產(chǎn)
此次通線試產(chǎn)的成功，不僅展示了武漢鑫威源在氮化鎵激光芯片技術(shù)領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力，也標(biāo)志著企業(yè)在實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化方面邁出了關(guān)鍵一步
碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。氮化鎵的帶隙
氮化鎵和砷化鎵哪個(gè)先進(jìn)
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二元對(duì)立問(wèn)題，因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)
氮化鎵和碳化硅哪個(gè)有優(yōu)勢(shì)
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)兩者優(yōu)勢(shì)的比較： 氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢(shì) 高頻應(yīng)用性能優(yōu)越 ：
芯干線科技CEO說(shuō)氮化鎵
氮化鎵是一種由氮和鎵結(jié)合而來(lái)的化合物，其中氮在元素周期表排序第7位，鎵排序第31位，7月31日世界氮化鎵
氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展
本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化
淺談光耦與氮化鎵快充技術(shù)的創(chuàng)新融合
氮化鎵快充技術(shù)主要通過(guò)將氮化鎵功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中，以提高充電效率和充電速度。光耦技術(shù)作為一種能夠?qū)㈦娦盘?hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)并實(shí)現(xiàn)
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
聯(lián)想發(fā)布的兩款新品——小新105 W三口氮化鎵充電器和拯救者C170W氮化鎵充電器采用，分別主打日常出行和性能電競(jìng)，為消費(fèi)者帶來(lái)全新的快充體
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與
AI的盡頭或是氮化鎵？2024年多家廠商氮化鎵產(chǎn)品亮相，1200V高壓沖進(jìn)市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）氮化鎵是最新的第三代半導(dǎo)體材料，最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成，2019年開(kāi)啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。經(jīng)過(guò)五六年的培育，氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論