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蘋果A13芯片將采用臺積電第二代7nm工藝 并率先采用EUV光刻技術

半導體動態 ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-05-13 16:39 ? 次閱讀

彭博報道稱,臺積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測試生產階段,并且計劃在本月進行量產。預計A13芯片將采用臺積電的第二代7nm工藝,并且率先采用EUV光刻技術。

現階段還無法確認A13處理器預計采用架構設計,但預期將比照A11 Bionic或A12 Bionic采用獨立類神經網絡操作數件,藉此提升裝置端學習等人工智能技術應用。

目前包含華為旗下海半導體打造的Kirin 980,以及Qualcomm Snapdragon 855均以臺積電7nm制程生產,而蘋果A12 Bionic處理器則是在更早時候便7nm FinFET制程生產,意味臺積電已經累積不少7nm FinFET制程生產制作經驗,因此將使A13處理器能以更高良率制作,同時也可能藉由極紫外光微影技術 (EUV)進一步提升7nm制程精度。

而先前同樣也宣布投入7nm制程發展的三星,后續則是在腳步進展稍慢一些,因此用于今年的Exynos 9820處理器是以8nm LLP FinFET制程打造,但三星有可能會進一步投入7nm EUV FinFET制程技術,藉此追趕臺積電發展腳步,并且可能藉此瓜分臺積電代工訂單。

此外,彭博新聞也提及下一款iPhone產品代號為D43,預期會是iPhone XS后繼機種,而iPhone XR后繼機種代號則是N104,同時將在新機各自增加一組鏡頭,意味新款iPhone XS將會采用三鏡頭設計,而新款iPhone XR則會搭載雙鏡頭模塊,藉此提升相機拍攝效果,同時也預期加入更多拍攝功能。

在相關說法中,更透露新款iPhone將會加入類似華為、三星在旗艦新機搭載的反向無線充電功能,代表新款iPhpne將可反向為搭載無線充電盒的AirPods充電,甚至也可能支援幫Apple Watch充電。

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