講解MOS管驅(qū)動電路，包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路
2017-08-01 18:09:47
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所謂半橋驅(qū)動芯片，便是一塊驅(qū)動芯片只能用于控制H橋一側(cè)的2個MOS管：1個高端MOS和1個低端MOS。因此采用半橋驅(qū)動芯片時，需要兩塊該芯片才能控制一個完整的H橋。
2023-01-09 14:32:2611851 眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動，只有G極比S極高一個開啟電壓Vth之后，MOS才會導(dǎo)通（這里指NMOS）。
2023-02-10 10:24:511420 `到驅(qū)動波形Vgs關(guān)閉的時候Vds仍然導(dǎo)通導(dǎo)致，沒有死區(qū)時間 下面是波形 我母線通電30V電壓來測試的CH1是Vgs導(dǎo)通波形 CH2是 Vds波形中間有一段VGS下降了 MOS管還導(dǎo)通這是測兩個低端MOS管Vds的波形 沒有死區(qū)時間 另外我的尖峰脈沖是不是太高了 我上電300V的話會炸管嗎`
2017-08-02 15:41:19
`NMOS管驅(qū)動滿足的電壓是看GS端壓差。還是只看PIN-G對PIN-S正電壓。如下圖紫色是MOS管驅(qū)動，MOS驅(qū)動電壓算7.8V 還是13.2V？`
2021-03-04 09:17:27
MOS管驅(qū)動電壓最大是多少？過驅(qū)動電壓Vod=Vgs-Vth?？蒪ai以理解為：du超過驅(qū)動門限（Vth）的剩余電壓大小。1)只有在你的過驅(qū)動電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會形成，MOS管才會
2021-11-12 08:18:19
自己設(shè)計了一個MOS管驅(qū)動電路，仿真時候上管正常開關(guān)，下管始終關(guān)斷，但是測得上管柵源極之間電壓波形是這樣的，有一個很大的抖動，想請教這是為什么？
2019-11-06 20:46:17
用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。3，MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是
2011-11-07 15:56:56
的限制。必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。這個電路提供了如下的特性：1，用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管；2，用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管；3，gate電壓的峰值限制；4
2018-07-09 17:24:24
一、MOS管驅(qū)動電路綜述 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但
2021-11-12 09:19:30
MOS管驅(qū)動電路設(shè)計秘籍（工作原理+電路設(shè)計+問題總結(jié)）
2023-09-26 06:11:28
一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話， MOS管 開關(guān)速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
相比較，還有一個好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源IC，提高了可靠性。4、驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間圖5隔離驅(qū)動為了滿足如圖 5所示高端MOS管的驅(qū)動，經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動，有時
2018-10-23 15:59:18
在設(shè)計開關(guān)電源或者逆變器時，我們經(jīng)常需要用到MOS管，可是有些朋友對于如何選取MOS管的驅(qū)動電阻不太熟悉，今天本人就分享一份來自網(wǎng)絡(luò)資源的資料，希望對大家有所幫助。
2018-07-11 22:37:16
做了一個mos管控制繼電器，下面線圈驅(qū)動的圖，但是是低端驅(qū)動，據(jù)說不安全，不符合一般電路規(guī)則，怎么樣弄成高端驅(qū)動呢。
2018-12-26 09:35:16
，漏極和源極間的阻抗只有83毫歐，可以認為壓降已經(jīng)很小了。P溝道MOS管開關(guān)電路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G
2019-01-28 15:44:35
高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統(tǒng)里，要得...
2021-10-29 06:54:59
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)
2021-10-29 07:22:17
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機制MOS管的驅(qū)動應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
提供了如下的特性：1，用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。2，用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。3，gate電壓的峰值限制4，輸入和輸出的電流限制5，通過使用合適的電阻，可以達到
2012-11-12 15:40:55
是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。這個電路提供了如下的特性：1，用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。2，用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。3，gate
2012-12-18 15:37:14
通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。 3、MOS開關(guān)管損失 不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗
2019-02-14 11:35:54
集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。2，MOS管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了
2021-01-11 20:12:24
本帖最后由 Stark揚 于 2018-11-19 14:19 編輯
這是直流逆變成三相交流的機器上應(yīng)用的，這是MOS管的驅(qū)動波形測試，此時MOS管在關(guān)斷，母線電壓48V，驅(qū)動電壓為15V，綠色的是Vgs驅(qū)動電壓，黃色的是Vds漏極源極電壓，請問為什么Vds那么晚才上升，比Vgs晚了那么久
2018-11-19 11:29:47
的強項。下面來介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計中常用的NMOS的電源開關(guān)電路。1、NMOS做電源開關(guān)（低端驅(qū)動，最簡單）由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-09-02 06:15:09
mos電機驅(qū)動電路（一）電機驅(qū)動mos電機驅(qū)動電路首先，單片機能夠輸出直流信號，但是它的驅(qū)動才能也是有限的，所以單片機普通做驅(qū)動信號，驅(qū)動大的功率管如Mos管，來產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動電機，且占空比
2019-12-25 18:24:49
可以幫忙分析下ncp81704mos管驅(qū)動器內(nèi)部工作原理圖嗎？實在不理解，求大神支持
2020-08-10 15:06:56
mos管的驅(qū)動電流如何設(shè)計呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計驅(qū)動管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
描述DC-DC 轉(zhuǎn)換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅(qū)動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計與柵極驅(qū)動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
什么是高低端MOS管？它們的區(qū)別是什么？請各位大神指教，希望能分享相關(guān)資料，非常感謝！
2016-09-01 09:51:08
我做了個高端驅(qū)動的MOS管，然后連的atmega328p。但是現(xiàn)在的問題是低Vgs的時候MOS管不會完全打開。比如這個電路的Vgs大概是在5V左右，但是門極和源極之間測得的電壓只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS管，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
為什選擇高端電流檢測？高端與低端電流檢測電路是怎樣的？
2021-09-29 07:32:01
在要求不高的情況下，電流檢測電路可以通過運放放大轉(zhuǎn)換成電壓，反推算負載的電流大小。其中檢測電流分為高端檢測和低端檢測，高低端檢測都有其各自的優(yōu)缺點。區(qū)別高端檢測：采樣電阻靠近電源正端低端檢測：采樣
2021-07-19 07:20:51
IR2110做MOS管驅(qū)動，低端正常，高端一直高電平是什么原因？
2017-03-25 19:06:03
LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驅(qū)動高端（電源端）N-MOS功率管芯片。內(nèi)部集成有電荷泵，無需外部器件便可以驅(qū)動N-MOS管的導(dǎo)通。LT1910還可以對MOS漏極上串聯(lián)的電流采樣電阻進行檢測。如果MOS漏極電流過流，則自動關(guān)閉MOS驅(qū)動，關(guān)閉的時間由外部電容設(shè)定。LT1910可...
2021-07-30 06:49:34
LT1910高端MOS管驅(qū)動IC具有哪些參數(shù)應(yīng)用？
2021-11-03 06:11:06
電流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在
2016-11-24 15:27:49
我想用PWM驅(qū)動一個mos管，但是multisim仿真一直出錯，我不是很清楚這個電路哪里有問題，想請教一下大家
2018-12-24 19:39:34
橋設(shè)置死區(qū)的地方，本來應(yīng)該低電平的，卻有一個足以驅(qū)動MOS管的脈沖電壓，導(dǎo)致MOS管發(fā)熱嚴重。想問問各位大神，是什么原因，有什么辦法解決呢？謝謝。圖中的畸變還不算厲害，但強電電壓上去后，就很高了。
2016-06-23 08:25:22
STM32芯片3.3vIO口如何驅(qū)動MOS管電路？
2022-02-28 07:50:04
的驅(qū)動電路。ZG2233高端的工作電壓可達600V,低端Vcc的電源電壓范圍寬8V?20V,靜態(tài)電流約300uAo該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導(dǎo)通，輸入通道HIN內(nèi)建了一個200K下拉電阻，LIN
2021-06-30 11:26:30
ZG6248是一款高性價比的帶SD此功能的MOS管、IGBT管柵極驅(qū)動專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸 入處理電路、死區(qū)時控制電路、欠壓保護、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動電路，專用于無^電機
2021-06-30 11:17:09
，雖然PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是用NMOS。MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣點電流就會
2015-12-21 15:35:48
極接Vcc的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是用NMOS。 MOS開關(guān)管損失 不管是NMOS還是
2016-12-26 21:27:50
最近的項目打算使用MOS管高端驅(qū)動IC芯片，目前選型是IR2117，由于平時硬件涉及不多，有個疑惑希望大家?guī)兔獯穑?b class="flag-6" style="color: red">MOS管驅(qū)動IC是不是只能工作在PWM模式下？如果被控MOS管長時間處于打開
2020-12-13 21:28:35
導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。3，MOS開關(guān)管損失 不管是
2020-09-08 23:04:34
關(guān)于MOS的高端驅(qū)動和低端驅(qū)動
2020-12-09 09:54:08
有兩個MOS管串聯(lián)，起到雙向?qū)ń刂棺饔茫笥覂蛇吺请姵睾碗娫础?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動用tlp250這樣可以嗎，如果可以，那電池電源和驅(qū)動的電源需要隔離還是共地也可以。
2017-11-08 16:07:52
1.直接驅(qū)動 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-11-16 11:43:43
急求，哪位大神有MOS管的驅(qū)動電路，我要用TPC8058弄一個大電流的開關(guān)電路，有資料的話分享一下謝謝
2018-01-31 08:47:00
@[TOC]驅(qū)動一個MOS管1 如何驅(qū)動一個MOS管1.1 推挽電路直接上菜，這就是大名鼎鼎的推挽電路了，學(xué)過單片機的小伙伴們是不是很熟悉，沒錯就是IO口內(nèi)部的推挽電路，也叫圖騰柱電路，古代部落對于
2022-02-28 13:41:37
如下圖，采用單片機他激方式驅(qū)動霧化片，有時驅(qū)動MOS管會很燙，有什么方式實現(xiàn)軟開關(guān)驅(qū)動，并且頻率隨時調(diào)整或者通過自激振蕩諧振在陶瓷片的諧振頻率上，求高手回答！ 一定要軟開關(guān)驅(qū)動，保證MOS管不燙。
2019-04-09 09:18:12
，用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。2，用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。3，gate電壓的峰值限制4，輸入和輸出的電流限制5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。6，PWM
2019-05-28 08:30:00
一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因為
2019-04-29 08:00:00
怎樣去計算MOS管柵極的驅(qū)動電流呢？如何對MOS管的驅(qū)動波形進行測試呢？
2021-09-28 07:36:15
貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。 3、MOS管開關(guān)管損失 不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)
2018-10-18 18:15:23
的。 MOS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接地的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了?！ MOS的特性
2018-12-03 14:43:36
有做過無刷電機驅(qū)動的小伙伴嗎？驅(qū)動mos管發(fā)熱嚴重求解決方法
2018-07-21 16:41:17
PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是用NMOS。MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣點電流就會在這個電阻上
2019-02-22 10:46:45
`大家好，我在做一個簡單的低端驅(qū)動，使用mos管驅(qū)動電磁閥，電路及參數(shù)如下圖，mos管G極信號是0-12V。現(xiàn)在的問題是當mos管打開時，DS兩端電壓會逐漸上升，至6v左右，下圖中黃線為控制信號，紫線為DS電壓。請問這種現(xiàn)象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了?！ MOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOS管可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電
2018-10-26 14:32:12
，實際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-11-28 12:08:27
?。?)直接驅(qū)動 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-12-24 14:39:02
`做了一個無刷直流電機驅(qū)動板，但是現(xiàn)在MOS管發(fā)熱太嚴（MOS管型號CSD18540）。測試波形如下圖。想問一下有沒有大佬知道怎么解決散熱問題？（增加散熱片沒什么效果）`
2020-03-26 16:46:00
如圖 5所示高端MOS管的驅(qū)動，經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動，有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過交流，同時也能防止磁芯
2018-10-22 15:45:25
驅(qū)動)。但是，雖然PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是用NMOS。MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣
2017-08-15 21:05:01
PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是用NMOS。MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣點電流就會
2017-12-05 09:32:00
： Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過Vh。 Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現(xiàn)隔離，同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通?！ 2和R3提供了PWM
2019-01-09 13:49:26
通常是沒有的?！ ?、MOS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了
2018-11-27 13:44:26
Rg具體會影響到那些參數(shù)？我個人的理解是①這個電阻對MOS管的開關(guān)頻率有關(guān)，決定了對mos管的輸入輸出電容的充放電時間②匹配集成驅(qū)動的驅(qū)動能力，電阻越到，集成驅(qū)動所需的最大驅(qū)動電流也就越小。大家有什么看法，請教一下
2017-06-05 11:28:22
小弟最近用2104和59n25搭了一個單橋電機驅(qū)動（用于pwm調(diào)速），現(xiàn)在用12v電源供電，一切正常，但這個電路最終要應(yīng)用在12到50v之間（給MOS管驅(qū)動電機的電壓），查閱2104手冊，發(fā)現(xiàn)
2014-11-25 21:25:51
MOS管的驅(qū)動對其工作效果起著決定性的作用。在設(shè)計時既要考慮減少開關(guān)損耗，又要求驅(qū)動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個平衡點，即驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計，請問該如何進行優(yōu)化呢？可以通過哪些措施來優(yōu)化？
2019-02-14 09:44:37
ncp81074a這個mos管的驅(qū)動看不太懂，為啥珊級要加兩個電阻，OUTL和OUTH不是是驅(qū)動兩個mos管嗎？只用一個電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源IC，提高了可靠性。四、驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間圖5 隔離驅(qū)動為了滿足如圖5所示高端MOS管的驅(qū)動，經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動，有時為了滿足安全隔離也
2019-09-25 07:30:00
MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。選擇NMOS or PMOS？在選擇這兩種MOS管之前，需要弄清兩個問題：1.高端驅(qū)動 2.低端驅(qū)動...
2021-10-29 08:16:03
作者：姜維老師（張飛實戰(zhàn)電子高級工程師）Mos管驅(qū)動有多種方式，有專用驅(qū)動芯片驅(qū)動，也有用其他的器件搭建的驅(qū)動，下面就講解下目前比較流行的幾種驅(qū)動方式。最簡單的方式就是電源管理芯片直接驅(qū)動，電源芯片
2021-06-28 16:44:51
高端MOS管柵極驅(qū)動技術(shù)研究_余海生
2017-01-07 21:39:44
12 問題。 【問題分析】 上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負壓會把驅(qū)動的電位拉到負電位，
2017-11-15 14:31:120 MOS管相比三極管來講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動大功率的負載時，發(fā)熱量就會小很多。MOS管的驅(qū)動與三極管有一個比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動型的元件，如果驅(qū)動電壓達不到要求，MOS就會不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻變大而造成過熱。
2020-06-26 17:03:0073269 
滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。 于是我設(shè)計了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。 電路圖如下： 圖1 用于NMOS的驅(qū)動電路 圖2 用于PMOS的驅(qū)動電路 這里我只針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析： Vl和Vh分別是低端
2020-12-30 14:44:0224418 
LTC1157：3.3V雙微功耗高端/低端MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 20:13:345 設(shè)計MOS管的驅(qū)動電路需要考慮電路的穩(wěn)定性、可靠性、功耗以及電路的動態(tài)特性等因素。下面將詳細介紹一種常見的MOS管驅(qū)動電路方案，包括驅(qū)動器的選擇、電源設(shè)計、輸入信號的處理等方面。 驅(qū)動器的選擇
2023-12-20 14:33:33311 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢，合理的驅(qū)動方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412
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