PN816220W PD快充芯片特點
2020-12-17 06:20:12
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
(86) ,因此在正常體溫下,它會在人的手中融化。
又過了65年,氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代,制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物,氮化鎵的熔點超過1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點,可以簡化設計,降低GaN快充的開發難度,有助于實現小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發的特點;納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
3至10倍,但需要優化驅動器和控制器拓撲。圖騰柱AC/DC轉換器是一種不適用于硅片的拓撲結構,可受益于GaN的低導通電阻、快速開關和低輸出電容,從而提供三倍高的功率密度。諸如零電壓和零電流開關這樣
2018-11-20 10:56:25
從“磚頭”手機到笨重的電視機,電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間,而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸,但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
,并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日,聯想官方在電商平臺發起氮化鎵快充價格戰,YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價僅需 59.9元。這是一款正兒八經的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
有逆向回復電流(Irr)的問題。因此很適合被設計於高功率密度的電源適配器,並在所有負載範圍操作,都能達到零電壓切換,可有效降低開關的切換損失。圖2 超接面Si與GaN元件的關鍵屬性比較(Rds
2019-09-19 09:05:03
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
卻在這兩個指標上彰顯出了卓越的性能,同時,它還具備某些附加的技術優勢。氮化鎵的原始功率密度比當前砷化鎵和 LDMOS 技術的高很多,且支持將器件技術擴展到高頻應用。氮化鎵技術允許器件設計師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設計的基本技術,在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面:降低損耗最優拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件
2022-11-07 06:45:10
SW3562了支持140W快充輸出的協議芯片,分別是支持1A+1C接口,兩款芯片均支持私有快充協議,滿足20V7A,140W輸出功率。
SW3562支持非常廣泛的快充協議,并支持VOOC4.0私有快
2023-05-25 14:26:23
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
板上看出,得益于使用合封氮化鎵器件,芯片無需輔助散熱措施即可滿足27W的連續輸出,并且合封將控制器和開關管集成在一顆芯片內,初級的元件也十分精簡,可滿足高性價比的氮化鎵快充設計。鈺泰半
2021-11-28 11:16:55
節電流傳感比率、可實現片上智能數字控制。 一直以來,高功率密度電動汽車電力驅動系統是新一代大功率電動汽車發展的主要挑戰,寬禁帶功率器件的應用,將對新一代電動汽車的發展產生重要影響。德國亞琛工業大學
2018-11-05 09:51:35
不同,MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點,又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢,采用硅來做氮化鎵襯底,與碳化硅基氮化鎵相比,硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
系列光隔離探頭現場條件因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優方案的同軸延長線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)。現場連接圖如下:▲圖1:接線
2023-01-12 09:54:23
,占空比高達10%。高壓操作:VDS = 50V大功率:250W(最小)@ Pin = 12.6W(41dBm)高效率:65%(Typ。)@ Pin = 12.6W(41dBm)阻抗匹配Zin
2021-03-30 11:14:59
,占空比高達10%。高壓操作:VDS = 50V大功率:600W(最小)@ Pin = 12.6W(41dBm)高效率:65%(Typ。)@ Pin = 12.6W(41dBm)阻抗匹配Zin
2021-03-30 11:24:16
的設計和集成度,已經被證明可以成為充當下一代功率半導體,其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計,如果全球采用硅芯片器件的數據中心,都升級為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容,開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力,電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后,氮化鎵充電器的開關頻率,已經從 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16
什么是功率密度?功率密度的發展史如何實現高功率密度?
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
2021-03-11 08:12:17
行業標準,成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵,是創造出接近“理想開關”的電路構件,即一個能將最小能量的數字信號,轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
的工作電壓,意味著其功率密度及可工作溫度更高,因而具有高功率密度、低能耗、適合高頻率、支持寬帶寬等特點。[color=rgb(51, 51, 51) !important]預計明年上半年和年底圣誕新年
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅動器的設計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設計的伺服驅動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
組件連手改變電力電子產業原本由硅組件主導的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優勢,因此在服務器、通訊電源及便攜設備充電器等領域
2021-09-23 15:02:11
12月10日入手的一加8T,使用標稱65W WARP閃充的原裝充電器進行充電功率測試。時間充電量 (%)充電功率(W)預計剩余充電時間(分鐘)11:34963.593511
2021-09-14 07:17:13
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優勢,實單歡迎洽談。產品信息型號1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
/2.5A、20V/1.5A,最大30W;USB-C輸出支持5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A,最大65W。雙口綜合最大輸出功率為63W。倍思65W 1AC快充車載
2020-07-20 14:52:44
大功率65W電機開關電源芯片可以選擇哪款型號?首先得有恒流恒壓控制模式,其次得有CS開路保護。滿足這些條件的芯片有銀聯寶開關電源芯片U6101型號,這款芯片可以恒壓控制狀態,也可以恒流控制狀態
2020-03-25 11:38:17
實現功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
充電的話,還需要去淘寶買一個type-c轉聯想方口的一個轉接器。這樣下來,首先來講是可以使用的,但是由于快充協議的不兼容,充電器無法滿血65w為拯救者充電,拯救者原裝充電器是135w。顯而易見是差的很遠的。筆記本正常使用的情況下,電量會保持不變,不會增加也不會減少。性能方面,我看了網上的文章,他用工
2021-09-14 06:06:21
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
大幅降低電流在保護板上的損耗,隨著手機充電功率達到200W,電池端的電流達到20A。傳統硅MOS溫升明顯,甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后,可以無需導熱材料,降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
攜帶都非常方便。性能方面,倍思2C1A 65W PD氮化鎵充電器擁有3個輸出口,分別是兩個USB-C PD快充輸出口和一個USB-A快充輸出口。除了接口多功率大以外,協議的支持也是重要的一環,她支持PD
2021-04-16 09:33:21
通QC5認證100W氮化鎵快充、麥多多100W氮化鎵、OPPO 65W超級閃充氮化鎵充電器、聯想90W氮化鎵快充、努比亞65W氮化鎵充電器、倍思120W氮化鎵+碳化硅PD快充充電器等數十款大功率充電器
2023-06-16 14:05:50
今年3月底魅族的新品發布會發布了PANDAER 67W GaN變速箱潮充,其采用與上一代相同的透明變速箱設計語言,最大輸出功率則由65W提升至67W,USB-A口也升級支持UFCS融合快充。效果
2023-05-30 11:27:26
`PD18W-PD65W快充芯片支持USBPD協議18W快充芯片支持USBPD協議20W快充芯片支持USBPD協議45W快充芯片支持USBPD協議65W快充芯片深圳微電半導體有限公司秦麗
2021-04-07 11:37:29
協議芯片為智融SW2303,這是一款高集成度的 Type-C 口/Type-A 口快充協議芯片,支持 PD、QC、FCP、高低壓 SCP、AFC、SFCP以及PE等主流快充協議,支持光耦反饋和 FB
2023-03-13 21:56:37
氮化鎵快充內部的次級同步整流管,二次降壓電路中的硅MOS全部替換成氮化鎵,實現All GaN的設計,有助于進一步提高轉換效率,提高電源功率密度。同步整流同步整流在充電器中,是一個非常偉大的發明。同步
2021-11-02 09:03:39
PD快充。使用紫米65W USB PD充電器(HA712)給SW6208充電,測得電壓為9.13V,電流為2.09A,充電功率約為19.13W,支持USB PD快充。ANKER A2014充電
2019-09-02 09:43:23
功率密度計算解決方案實現高功率密度和高效率。
誤解2:氮化鎵技術不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產,而且在實驗室測試和大批量客戶應用中,氮化鎵器件展現出具備極高的穩健性。EPC器件已經通過數千億個
2023-06-25 14:17:47
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
解決方案,累計近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優解,進一步提高PD快充的功率密度,提高GaN系統可靠性,茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788,集成
2021-11-12 11:53:21
驪微電子供應PN8213 高頻準諧振交直流轉換芯片可兼容替換NCP1342,提供PN8213 65w氮化鎵芯片方案是芯朋微代理商,更多產品手冊、 應用料資請向驪微電子申請。>>
2022-03-11 14:49:59
供應XPD938APS30 雙口qc3.0快充協議芯片,提供65W和65W以內共享1A+1C方案,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-24 14:00:27
供應XPD938D30 65W和65W以內支持PD3.0的快充協議芯片,是富滿微華南總代理,XPD913 集成同步開關降壓控制器,內置功率 MOS。輸出電壓范圍是 3.3V 到21V,能
2023-04-24 14:07:50
供應XPD938D45 65W和65W以內國產快充協議芯片,單顆芯片實現1C1A模式,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-24 14:34:36
供應XPD938DP45 65W和65W以內移動電源多協議快充芯片,提供xpd938芯片參數,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-24 14:48:33
供應XPD938DP60 65W pps快充協議芯片-A+C共享電源方案 ,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-24 16:06:14
供應XPD977 65W和65W以內移動電源多協議快充芯片-多功能USB三端口控制器,XPD977 是一款集成 USB Type-C、USB PowerDelivery(PD
2023-04-25 11:44:53
供應XPD977BP18 移動電源多協議快充芯片-65W共享1C2A方案,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-25 14:22:14
供應XPD977A 支持華為FCP/SCP 快充協議-65W和65W以內共享1C2A方案 ,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-25 14:29:56
供應XPD977BV 65W和65W以內多快充協議充電芯片-XPD977芯片參數,XPD977 是一款集成 USB Type-C、USB PowerDelivery(PD
2023-04-25 14:44:51
供應XPD977DP45 65W和65W以內支持vivo快充協議芯片-芯片xpd977參數 ,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-25 16:19:41
供應XPD767 65W和65W以內多協議快充芯片-深圳富滿代理 ,XPD767 是一款集成 USB Type-C、USB Power elivery(PD) 3.0
2023-04-26 09:27:36
供應XPD767BP18 支持三星pps快充協議芯片-65W和65W以內多口互聯,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
供應XPD767D30A 65W和65W以內多口充協議芯片-多口互聯車載充電器方案,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:40:40
供應XPD767DP45 65W和65W以內車載快充協議芯片-多口互聯車載充電器方案,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 11:14:31
供應XPD767D65 65W快充協議芯片-多口互聯適配器方案,更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 11:44:56
供應XPD767D6518 65W和65W以內充電器多協議快充芯片-深圳富滿代理商 ,更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-26 14:26:20
安森美65W氮化鎵PD充電器芯片 產品介紹:NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調制)控制器,旨在簡化高性能脫機功率變換器的設計。NCP13
2023-07-05 15:24:23
深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片,原裝,庫存現貨熱銷 NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片特性集成高壓啟動電路,帶停電檢測集成X2電容放電
2023-07-05 15:38:22
深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC,原裝現貨 型號:NCP1342品牌:安森美封裝:SOIC-8 ,SOIC-9 
2023-07-11 11:31:20
去年3月,努比亞發布了旗下首款氮化鎵充電器,功率達65W三口(2C1A),此后又推出了120W三口(2C1A)氮化鎵充電器、45W雙口(1A1C)氮化鎵充電器、65W單口氮化鎵充電器、Candy多彩氮化鎵充電器等等。
2021-02-20 14:47:012140 ,亞成微一直活躍在氮化鎵快充產業鏈,致力為客戶提供高可靠性的高功率密度USB PD快充解決方案。 近期,亞成微推出了一款基于自研主控芯片RM6601SN + 同步整流芯片RM3410T的 65W高功率密度氮化鎵快充方案,方案采用專有驅動技術,直驅E-MODE
2021-03-05 18:02:364465 氮化鎵快充已然成為了當下一個非常高頻的詞匯,在氮化鎵快充市場迅速增長之際,65W這個功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點,從而率先成為了各大品牌的必爭之地,ncp1342替代料PN8213氮化鎵充電器主控芯片,適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。
2022-05-09 16:42:312428 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 安克最新推出了一系列全氮化鎵快充產品,充電頭網本次拆解的是一款GaNPrime系列 65W全氮化鎵快充插座。全氮化鎵技術在原邊使用氮化鎵的同時,副邊同步整流也使用氮化鎵,利用氮化鎵的性能優勢,進一步
2023-02-21 14:06:271 智融65W 氮化鎵 充電器+充電寶二合一全套解決方案!
2023-06-13 09:10:591256 杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片,滿足65W快充應用伴隨著65W氮化鎵快充的發展,電源技術在不斷迭代。從傳統控制器+驅動器+氮化鎵開關管,多顆芯片的原邊方案,再到控制器直驅氮化鎵兩顆芯片的電源
2022-04-18 16:51:57824 杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片,滿足65W快充應用
2022-04-18 11:13:2826 65W PD快充方案不但可以支持手機的大功率快速充電還可以支持20V輸出,可以為電腦充電,具有通用性好的優點,搭配氮化鎵,體積可以做到很小,驪微電子推出65w快充方案
2022-06-10 17:06:30
以及PE等主流快充協議。結合自身在多口氮化鎵快充上積累的的開發經驗,智融基于SW2303再次推出一套65W單口氮化鎵快充方案,滿足部分客戶對單口多協議快充方案的需求
2022-07-29 16:46:40
PD快充在日常生活種已非常普及,ST推出的內置氮化鎵(GAN)MOS的 緊湊型控制芯片,尺寸僅為5*6mm, 工作頻率最高可達240K,非常適合用于PD快充及緊湊型電源。VIPERGAN65介紹
2023-03-22 16:40:45
產品特色: 本產品是低成本、已量產的65W多口氮化鎵PD快充頭,可以與市場上18~65W的產品需求兼容,由于極優的價格,本產品與市場上的低功率充電器成本沒有顯著的價格差距,可以拿下
2023-04-12 17:34:59
評論
查看更多