基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:03
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。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
海飛樂(lè)技術(shù)有限公司是一家以快速恢復(fù)二極管（FRD）、快恢復(fù)模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導(dǎo)體芯片及器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為主營(yíng)業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復(fù)二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15
每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
具備控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。在如今興起的新能源電動(dòng)車(chē)中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽車(chē)電子中的核心元件，汽車(chē)引擎、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
2023-02-21 15:53:05
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
強(qiáng)固的壓鑄模模塊簡(jiǎn)化緊湊的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)2021年6月15日—推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出新的、集成的、轉(zhuǎn)換器-逆變器-功率因數(shù)
2021-07-09 06:36:25
。實(shí)際上，CMOS圖像傳感器最初應(yīng)用于工業(yè)圖像處理；在那些旨在提高生產(chǎn)率、質(zhì)量和生產(chǎn)工藝經(jīng)濟(jì)性的全新自動(dòng)化解決方案中，它至今仍然是至關(guān)重要的圖像解決方案。 安森美半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)及定制CMOS圖像傳感器
2018-11-05 15:22:10
關(guān)于安森美半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)及定制CMOS圖像傳感器方案解說(shuō)。
2021-04-07 06:12:04
安森美半導(dǎo)體將于下周在德國(guó)紐倫堡舉辦的Embedded World展示應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)及消費(fèi)的的基于半導(dǎo)體的集成系統(tǒng)方案。我們將重點(diǎn)展示物聯(lián)網(wǎng)(IoT) 及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT) 或工業(yè)4.0，以及
2018-10-11 14:28:55
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個(gè)公認(rèn)的佼佼者。此外，公司的廣泛電源方案組合，包括模塊和碳化硅（SiC）/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
置的I/O、LED驅(qū)動(dòng)器、I2C接口、USB 2.0全速主機(jī)控制器，和用于外部功率MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器，提供領(lǐng)先業(yè)界的功率密度。 圖2：移動(dòng)電源之傳統(tǒng)方案架構(gòu)對(duì)比安森美半導(dǎo)體方案架構(gòu) 支持快速充電
2018-10-11 16:33:03
? 至10m?）的分立MOSFET和模塊、用于電動(dòng)汽車(chē)輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊（IPM）、和用于泵及電機(jī)的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來(lái)，安森美半導(dǎo)體電源方案部正擴(kuò)展針對(duì)
2018-10-25 08:53:48
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪(fǎng)客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
。NCV6500符合車(chē)規(guī)級(jí)。智能無(wú)源傳感器統(tǒng)包方案安森美半導(dǎo)體的智能無(wú)源傳感器（SPS）方案是無(wú)線(xiàn)、無(wú)源的傳感器，能夠?qū)崿F(xiàn)遙感、數(shù)據(jù)采集匯總，以及對(duì)溫度、濕度、距離和壓力的分析。智能無(wú)源傳感器（SPS
2018-10-11 14:08:19
%的市場(chǎng)份額。為了更全面地協(xié)助客戶(hù)，安森美半導(dǎo)體還提供完整的方案，包括整套的開(kāi)發(fā)工具，以便客戶(hù)評(píng)估、開(kāi)發(fā)、驗(yàn)證，并持續(xù)創(chuàng)新。 對(duì)于用于掃描應(yīng)用的圖像傳感器有兩個(gè)關(guān)鍵的技術(shù)指標(biāo)：線(xiàn)性滿(mǎn)井電荷容量(LFW
2018-11-08 16:23:34
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)袖，緊跟市場(chǎng)趨勢(shì)，提供全面的高性能方案，包括超級(jí)結(jié)SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器、電流檢測(cè)放大器、快恢復(fù)二極管，滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)充電樁市場(chǎng)需求并推動(dòng)創(chuàng)新。
2019-08-06 06:39:15
的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來(lái)的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強(qiáng)抵抗ESD的裝置。安森美半導(dǎo)體長(zhǎng)期投入于研發(fā)ESD保護(hù)技術(shù)，通過(guò)先進(jìn)的ESD保護(hù)技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列，使電子元件具備優(yōu)異的電路保護(hù)性能。
2019-05-30 06:50:43
，以支持在整個(gè)低、中和高功率范圍的多樣化應(yīng)用。從用于車(chē)載媒體應(yīng)用到空調(diào)的器件，到用于內(nèi)燃機(jī)(ICE)、混合動(dòng)力和純電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)的高功率方案，安森美半導(dǎo)體正在不斷開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，以幫助支持和加速汽車(chē)技術(shù)
2018-10-30 09:06:50
的技術(shù)和產(chǎn)品，以在實(shí)現(xiàn)智能控制的同時(shí)，得到一款省電、安全和可靠的電表產(chǎn)品。作為提供高性能、高能效硅方案的供應(yīng)商，安森美半導(dǎo)體擁有各種有助于節(jié)能的技術(shù)和產(chǎn)品，可以幫助智能電表廠(chǎng)商設(shè)計(jì)出更加高效省電的產(chǎn)品
2019-05-15 10:57:14
安森美半導(dǎo)體的特色新品(FNP)清單重點(diǎn)介紹最新發(fā)布的一些器件。每一更新包括最新產(chǎn)品的產(chǎn)品類(lèi)別、其獨(dú)特之處的概要和了解更多詳細(xì)信息的鏈接。無(wú)論您正在研發(fā)最新的設(shè)計(jì)還是僅僅出于對(duì)新產(chǎn)品的好奇，這些更新
2018-10-23 09:13:18
是您的理想指南。以下是您將在今天的清單中看到的一些新品。安森美半導(dǎo)體的最近的特色新品的完整清單可在這里找到。EFC4C002NL: 功率MOSFET 用于3節(jié)鋰電池保護(hù), 30V, 2.6m
2018-10-22 09:08:52
物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 的迅猛發(fā)展是關(guān)鍵的行業(yè)大趨勢(shì)之一，而無(wú)線(xiàn)互聯(lián)是IoT的重要構(gòu)建塊。安森美半導(dǎo)體提供符合Sub-GHz、2.4 GHz、Sigfox、Thread、Zigbee、藍(lán)牙低功耗
2019-08-09 08:45:52
的LDO。完整文本如下：大家好，我是Majid Kafi，在安森美半導(dǎo)體擔(dān)任系統(tǒng)電源方案總經(jīng)理，專(zhuān)注于系統(tǒng)級(jí)無(wú)線(xiàn)充電電源方案。我很高興地宣布NCP6401的面市，該首款15 W接收器，采用嵌入式ARM
2018-10-29 08:53:40
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
我家的電動(dòng)車(chē)充電器充不上點(diǎn)了。。。。。插在電動(dòng)車(chē)上就顯示充滿(mǎn)狀態(tài)，但是電動(dòng)車(chē)沒(méi)電了。。。 這到底是怎么回事？？充電器上的公頭和電動(dòng)車(chē)的母頭接觸良好。。。充電器輸出也有50V左右的電壓但就是充不上電 一直顯示綠燈（未充電狀態(tài)），這道底是咋回事啊在線(xiàn)等留下QQ504546386知道的告訴我一下
2012-01-20 09:15:49
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿(mǎn)好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。 BOM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節(jié)省15%成本 加快上市等于減少了時(shí)間成本 半導(dǎo)體廠(chǎng)商通常都通過(guò)參考設(shè)計(jì)為其器件提供廣泛的支持。對(duì)于上面提到的OBC應(yīng)用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
碳化硅（SiC）即使在高達(dá)1400℃的溫度下，仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應(yīng)用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線(xiàn)路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級(jí)下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC ) 發(fā)布專(zhuān)門(mén)用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
對(duì)比 我們采用雙脈沖的方法來(lái)比較一下基本半導(dǎo)體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
半導(dǎo)體產(chǎn)品采用的是也是平面柵MOSFET結(jié)構(gòu)。基于平面柵結(jié)構(gòu)，派恩杰已經(jīng)發(fā)布了650V-1700V各個(gè)電壓平臺(tái)的SiC MOSFET，而且已經(jīng)順利在新能源龍頭企業(yè)批量供貨，實(shí)現(xiàn)“上車(chē)”。
2022-03-29 10:58:06
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動(dòng)車(chē)的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車(chē)廠(chǎng)商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車(chē)充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ?b class="flag-6" style="color: red">在正半周期（VAC大于0）的時(shí)候，T2為主開(kāi)關(guān)管。 當(dāng)T2開(kāi)通時(shí)，電感L儲(chǔ)能，電流
2023-02-28 16:48:24
器件包括主開(kāi)關(guān)MOSFET：C3M0065100K； 輸出碳化硅二極管：C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET：C2M1000170D方案能廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)汽車(chē)充電、通信
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成員。 相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航怠！ 』?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
碳化硅（SiC） MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT和汽車(chē)功率模塊（APM）等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案，以專(zhuān)知和經(jīng)驗(yàn)支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能，加快開(kāi)發(fā)周期。本文將主要介紹針對(duì)主流功率等級(jí)的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，國(guó)內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，在國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件制造商中率先完成了質(zhì)量管理體系---汽車(chē)行業(yè)生產(chǎn)件與相關(guān)服務(wù)件的組織實(shí)施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
系列電源模塊，支持多種柵極輸出電壓，可靈活應(yīng)用于碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 設(shè)計(jì)緊湊， 通用性強(qiáng)。原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，用于汽車(chē)功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用。可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛(ài)好電子
2023-02-20 15:15:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:178360 2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專(zhuān)門(mén)用于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用的器件。
2018-06-21 16:08:423772 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專(zhuān)門(mén)用于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用的器件。
2018-12-04 16:32:183134 。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。
2020-03-19 09:07:442553 ）宣布執(zhí)行一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，總價(jià)值可達(dá)5,000萬(wàn)美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX碳化硅（SiC）材料，用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。 GTAT總裁兼首席執(zhí)行官Greg
2020-03-20 08:51:173691 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），發(fā)布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。
2021-02-19 14:03:151886 的開(kāi)關(guān)性能，能效和系統(tǒng)可靠性更高。在快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)，包括5G、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、電信和服務(wù)器領(lǐng)域，對(duì)這些特性的要求很高。 安森美半導(dǎo)體的新一代1200 V碳化硅（SiC）二級(jí)管，符合車(chē)規(guī)AECQ101和工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，是電動(dòng)汽車(chē)充電樁及太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電
2021-05-13 14:43:021886 基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線(xiàn)運(yùn)行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線(xiàn)。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊專(zhuān)用產(chǎn)線(xiàn)，采用先進(jìn)碳化硅專(zhuān)用封裝工藝技術(shù)，打造
2021-12-31 10:55:432796 
在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車(chē)的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 億美元的新工廠(chǎng)。隨著新能源汽車(chē)的加速滲透，碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè)，均發(fā)表了對(duì)行業(yè)發(fā)展的積極展望，并計(jì)劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠(chǎng)間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開(kāi)。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 毛利率分別為48.3%和49.3%。 去年8月，安森美將品牌名稱(chēng)由此前的安森美半導(dǎo)體變更為安森美，并確立了 新的企業(yè)目標(biāo)——成為智能電源和感知技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。 安森美的智能電源解決方案包括碳化硅、IGBT、MOSFET等產(chǎn)品陣容，使電動(dòng)車(chē)更輕、續(xù)航里程更遠(yuǎn)，并賦能高能效的快速充電
2022-11-21 20:10:10558 本文推薦基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中，可以有效降低熱損耗，提高工作效率，同時(shí)也可以減小變壓器等器件的體積。
2022-12-14 14:58:15429 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 的智能電源產(chǎn)品和方案廣泛應(yīng)用于充電樁，當(dāng)中包括Elite SiC碳化硅方案、IGBT電源模塊以及門(mén)極驅(qū)動(dòng)器等。豐富的參考設(shè)計(jì)和支持工具能助工程師簡(jiǎn)化
2023-02-10 11:15:02363 2021年6月8日—推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布一對(duì)1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊
2023-02-20 15:45:01
1 碳化硅模塊上車(chē)高濕測(cè)試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車(chē)時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車(chē)上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開(kāi)始
2023-02-21 09:26:452 APM32系列模塊助力所有類(lèi)型的電動(dòng)汽車(chē)實(shí)現(xiàn)更快充電和更遠(yuǎn)續(xù)航里程 2022年9月29日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，今天宣布推出三款基于碳化硅
2023-02-21 09:17:411 和碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管，SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊，SiC碳化硅裸芯片這四類(lèi)
2023-02-21 10:16:472090 汽車(chē)碳化硅模塊是一種用于汽車(chē)電力傳動(dòng)系統(tǒng)的電子器件，由多個(gè)碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成，可以實(shí)現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開(kāi)關(guān)，適用于電動(dòng)車(chē)的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:222180 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 緯湃科技首席執(zhí)行官Andreas Wolf說(shuō)：“高能效碳化硅功率半導(dǎo)體正處于需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化硅價(jià)值鏈。通過(guò)這項(xiàng)投資，我們?cè)谖磥?lái)十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)都能確保該項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的供應(yīng)。”
2023-06-06 15:03:47602 
來(lái)源：安森美 博格華納將集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模塊中，用于主驅(qū)逆變器解決方案，以提高電動(dòng)汽車(chē)的性能 Viper 800V碳化硅逆變器 近日
2023-07-20 18:01:24663 
安森美半導(dǎo)體已完成其在韓國(guó)富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠(chǎng)的擴(kuò)建。該工廠(chǎng)將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)個(gè)200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長(zhǎng)，安森美美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇用
2023-10-26 17:26:58746 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 中國(guó)區(qū)汽車(chē)市場(chǎng)技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專(zhuān)家吳桐博士 近日就碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)以及完善產(chǎn)業(yè)鏈背后 安森美的公司業(yè)績(jī)、 運(yùn)營(yíng)模式、市場(chǎng)前景與產(chǎn)業(yè)合作等內(nèi)容
2023-11-01 19:15:02394 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì)，2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
龍頭廠(chǎng)商 理想汽車(chē) 簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。 隨著汽車(chē)行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入，高壓純電動(dòng)車(chē)因其能效更高、續(xù)航里
2023-12-22 08:20:01284 
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