在插人插座時(shí),CMOS器件與插座之間可能存在大量靜電荷。如果插人插座的第一個(gè)引腳恰巧沒(méi)有連接齊納二極管保護(hù)電路,柵極上的電荷會(huì)穿過(guò)氧化層釋放而損壞器件。
2018-03-29 08:41:208228 對(duì)于模擬CMOS(互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過(guò)壓(信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓)。
2018-08-28 08:53:236606 由靜電荷積累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的靜電電壓帶來(lái)的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項(xiàng)危害在正常工作的電路中是很小的,因?yàn)闁艠O受片內(nèi)齊納二極管保護(hù),它可使電荷損耗至安全水平。
2023-05-08 09:36:04922 12V汽車(chē)電子過(guò)壓&過(guò)流防護(hù)
2015-05-11 15:38:56
分別設(shè)計(jì)一個(gè)過(guò)壓 過(guò)溫 過(guò)流的保護(hù)電路模塊,完成過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì),要求,當(dāng)電流超過(guò)4.2A時(shí)保護(hù)電路輸出高電平,當(dāng)電流重新降至3.6A時(shí)保護(hù)電路的輸出端重新回到低電平;完成過(guò)壓保護(hù)電路設(shè)計(jì),要求,當(dāng)
2020-06-20 15:23:57
`如何合理選擇正確的過(guò)壓保護(hù)器件?不同的過(guò)壓保護(hù)器件其保護(hù)原理各有不同,選擇的時(shí)候應(yīng)結(jié)合其保護(hù)原理、工作條件和使用環(huán)境來(lái)考慮。本文介紹常用的幾種過(guò)壓保護(hù)器件ESD靜電保護(hù)器、壓敏電阻、瞬態(tài)電壓抑制器TVS、陶瓷氣體放電管的選型技巧,幫助工程師正確選擇電路保護(hù)器件。`
2014-12-17 14:50:44
:小型熔斷器的十大要素、好的熔斷器應(yīng)滿(mǎn)足的條件、影響熔斷器性能的六要素;TVS靜電保護(hù)及濾波器件的選擇,極間電容的選擇,大功率TVS的應(yīng)用等等問(wèn)題來(lái)解讀保護(hù)器件發(fā)展、選型、應(yīng)用。過(guò)壓保護(hù)元件的發(fā)展趨勢(shì)
2017-10-10 15:59:37
等領(lǐng)域中的各種設(shè)備,都越來(lái)越趨向于小型化、集成化、高頻化設(shè)計(jì),這些也使得整機(jī)制造廠商對(duì)于過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、浪涌抑制、靜電防護(hù)等電路保護(hù)方案的性能提出了更嚴(yán)苛的要求。在現(xiàn)階段消費(fèi)電子市場(chǎng)上便攜式產(chǎn)品
2015-03-11 15:00:58
;lt;p><br/>雙向觸發(fā)二極管除用來(lái)觸發(fā)雙向晶閘管外,還常用在過(guò)壓保護(hù)、定時(shí)、移相等電路,圖2就是由雙向觸發(fā)二極管和雙向晶閘管組成的過(guò)壓保護(hù)電路。當(dāng)瞬態(tài)電壓
2009-04-26 14:04:09
過(guò)壓保護(hù)電路(OVP)為下游電路提供保護(hù),使其免受過(guò)高電壓的損壞。OVP電路監(jiān)測(cè)外部電源(如:離線(xiàn)電源或電池)的直流電壓,通過(guò)下述兩種方式中的一種保護(hù)后續(xù)電路:撬棍鉗位電路或串聯(lián)開(kāi)關(guān)。撬棍電路對(duì)電源
2021-11-16 07:15:07
`過(guò)壓保護(hù)電路模塊及實(shí)例`
2012-08-20 21:02:34
如圖是一個(gè)過(guò)壓保護(hù)電路,請(qǐng)問(wèn)正常電壓時(shí)如何減小漏電流
2019-03-05 15:29:09
過(guò)壓保護(hù)電路的作用是:若開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部穩(wěn)壓環(huán)路出現(xiàn)故障或者由于用戶(hù)操作不當(dāng)引起輸出電壓超過(guò)設(shè)計(jì)閾值時(shí),為保護(hù)后級(jí)用電設(shè)備防止損壞,將輸出電壓限定在安全值范圍內(nèi)。本篇博文將從省錢(qián)省心的TVS管和可靠高效電路設(shè)計(jì)兩個(gè)方法介紹如何快速設(shè)計(jì)過(guò)壓保護(hù)電路。
2021-11-11 07:23:48
過(guò)壓保護(hù)(OVP)的典型電路可以滿(mǎn)足大多數(shù)應(yīng)用的需求。然而,有些應(yīng)用需要對(duì)基本電路進(jìn)行適當(dāng)修改。比如增大電路的最大輸入電壓,在過(guò)壓情況發(fā)生時(shí)利用輸出電容存儲(chǔ)能量。請(qǐng)問(wèn)要如何設(shè)計(jì)?
2019-02-25 16:07:14
過(guò)壓保護(hù)的備用電路的技巧和竅門(mén)摘要:過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞,在某些特定的應(yīng)用中,基本的過(guò)壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求,通常有以下兩種需求。第一,電路
2009-12-02 15:35:14
過(guò)壓保護(hù)芯片過(guò)壓保護(hù):例如PW2601,輸入電壓范圍4.0V-24V,在4V-24V中,有輸出的輸入工作電壓范圍是:4V-6.5V。相當(dāng)于輸入電壓的耐壓最大到24V。 輸入過(guò)壓保護(hù)閾值: 例如
2021-04-24 14:44:56
過(guò)壓保護(hù):例如PW2601,輸入電壓范圍4.0V-24V,在4V-24V中,有輸出的輸入工作電壓范圍是:4V-6.5V。相當(dāng)于輸入電壓的耐壓最大到24V。 輸入過(guò)壓保護(hù)閾值: 例如PW2601的輸入
2021-04-24 11:21:16
LTC4362-1采用8引腳、2mmx3mmDFN封裝。運(yùn)用準(zhǔn)確度為2% 的5.8V 過(guò)壓門(mén)限檢測(cè)過(guò)壓事件,并在1us (最大值) 時(shí)間內(nèi)快速響應(yīng),以隔離下游組件和輸入。高達(dá)28V 的過(guò)壓保護(hù)由一個(gè)
2021-04-15 08:06:50
概述:LTC4362-2采用8引腳、2mmx3mmDFN封裝。運(yùn)用準(zhǔn)確度為2%的5.8V過(guò)壓門(mén)限檢測(cè)過(guò)壓事件,并在1us(最大值)時(shí)間內(nèi)快速響應(yīng),以隔離下游組件和輸入。高達(dá)28V的過(guò)壓保護(hù)由一個(gè)內(nèi)部雪崩額定的低RDS...
2021-04-14 06:30:26
`【不懂就問(wèn)】如下圖,是反激式開(kāi)關(guān)電源的部分原理圖上半部分的P和NE是直流母線(xiàn)電容的兩端,電路檢測(cè)是否過(guò)壓,下半部分是反激式開(kāi)關(guān)電源的原邊側(cè)部分電路當(dāng)輸入交流300多伏后,經(jīng)過(guò)整流輸入給PN母線(xiàn)約
2018-03-13 10:46:43
`求一個(gè)過(guò)壓欠壓保護(hù)電路,保護(hù)點(diǎn)為9v,16v,輸入為10~14.5.。。。。求電路謝謝了`
2012-07-25 14:49:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯
過(guò)壓欠壓及延時(shí)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)本文對(duì)過(guò)壓欠壓及延時(shí)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)及工作原理給予介紹。該保護(hù)電路具有過(guò)壓、欠壓保護(hù),保護(hù)范圍寬,并
2009-12-23 15:37:21
過(guò)流欠壓測(cè)試
2012-08-20 10:20:24
? 靜電二極管體積比較小,結(jié)電容低,反應(yīng)速度比較快等,當(dāng)ESD靜電二極管并聯(lián)于電路中,電路在正常工作時(shí),它是處于一種(高阻態(tài))截止?fàn)顟B(tài),不會(huì)影響電路正常的工作,那么當(dāng)電路出現(xiàn)了異常的過(guò)壓且達(dá)到擊穿
2022-05-17 17:04:23
靜電保護(hù)元件(ElertroStaticDischarged Protection)防靜電管ESD靜電二極管簡(jiǎn)稱(chēng)ESD,是一種過(guò)壓、防靜電保護(hù)元件,是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件
2017-09-19 15:55:40
靜電保護(hù)器,是一種過(guò)壓、防靜電保護(hù)元件,是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。ESD保護(hù)器件是用來(lái)避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響。可提供非常低的電容,具有優(yōu)異的傳輸線(xiàn)
2017-08-30 16:39:27
二極管TVS可以對(duì)高壓脈沖進(jìn)行吸收和箝端電路可承受的范圍內(nèi),從而消除了由輸入端帶來(lái)的干擾。O.C.P為半導(dǎo)體過(guò)壓型保護(hù)器件,當(dāng)燈珠兩端有靜電和過(guò)電壓時(shí)可瞬間吸收和箝位,把電壓降低,并且當(dāng)LED開(kāi)路損壞
2016-01-19 10:30:56
LM339組成的過(guò)壓、欠壓及過(guò)熱保護(hù)電路
2019-11-04 05:10:14
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
`USB快速充電過(guò)壓保護(hù)設(shè)計(jì)方案隨著科技的發(fā)展,電子設(shè)備越來(lái)越多,其靜電保護(hù)、浪涌保護(hù)也引起了工程師的高度重視, 當(dāng)USB充電口電源出現(xiàn)浪涌電壓、瞬態(tài)電壓、ESD損害時(shí),迅速制動(dòng),提供有效的浪涌保護(hù)
2020-03-17 14:40:53
群里的大神們,請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題,圖片里面USB電源過(guò)壓保護(hù)電路(畫(huà)紅框部分)是如何工作的呢,什么原理,請(qǐng)分析一下啊,非常感謝了!
2015-08-30 10:40:33
1.瞬態(tài)總線(xiàn)電壓會(huì)嚴(yán)重破壞集成電路。一個(gè)集成電路可以處理的最大電壓由設(shè)計(jì)流程決定,尤其是,一些小的CMOS結(jié)構(gòu)器件能處理的電壓很低。瞬態(tài)或持續(xù)的過(guò)壓條件將永久破壞設(shè)備。瞬態(tài)總線(xiàn)電壓會(huì)嚴(yán)重破壞集成電路
2019-07-10 09:12:53
對(duì)于模擬CMOS(互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過(guò)壓(信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓)。了解這兩大危害,用戶(hù)便可以有效應(yīng)對(duì)。靜電由靜電荷積累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的靜電
2018-04-04 17:01:56
對(duì)于模擬CMOS(互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過(guò)壓(信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓)。了解這兩大危害,用戶(hù)便可以有效應(yīng)對(duì)。靜電由靜電荷積累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的靜電
2018-10-29 14:49:19
一、過(guò)壓保護(hù) 過(guò)壓保護(hù)是指被保護(hù)線(xiàn)路電壓超過(guò)預(yù)定的最大值時(shí),使電源斷開(kāi)或使受控設(shè)備電壓降低的一種保護(hù)方式。 過(guò)壓保護(hù)應(yīng)用 常見(jiàn)的過(guò)壓保護(hù)元器件或設(shè)備有防雷器、壓敏電阻、避雷器等。在通信電源領(lǐng)域
2021-09-14 07:13:11
當(dāng)開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部穩(wěn)壓線(xiàn)路出現(xiàn)故障或者由于用戶(hù)操作不當(dāng)引起輸出過(guò)壓現(xiàn)象時(shí),過(guò)壓保護(hù)電路進(jìn)行保護(hù)以防止損壞后級(jí)線(xiàn)路。目前應(yīng)用比較普遍的過(guò)壓保護(hù)電路有哪些?
2021-03-11 07:16:13
對(duì)于模擬CMOS(互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過(guò)壓(信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓)。了解這兩大危害,用戶(hù)便可以有效應(yīng)對(duì)。 靜電 由靜電荷積累(V=q/C=1kV/nC/pF
2018-10-22 16:02:37
CURSOR來(lái)進(jìn)行,由于存在人工誤差,建議連續(xù)測(cè)試10次,取10次的平均值。(8)硬件過(guò)流點(diǎn)測(cè)試時(shí),故障記錄誤差不用考查。判定標(biāo)準(zhǔn):十次測(cè)量后的平均值滿(mǎn)足規(guī)格書(shū)要求,則合格,否則不合格。變頻器過(guò)壓保護(hù)
2018-04-04 10:21:25
測(cè)試時(shí),故障記錄誤差不用考查。判定標(biāo)準(zhǔn):十次測(cè)量后的平均值滿(mǎn)足規(guī)格書(shū)要求,則合格,否則不合格。變頻器過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)測(cè)試測(cè)試說(shuō)明:變頻器過(guò)壓點(diǎn)也同樣分為軟件過(guò)壓點(diǎn)和硬件過(guò)壓點(diǎn)(對(duì)應(yīng)此時(shí)的過(guò)壓點(diǎn)是針對(duì)直流母線(xiàn)
2018-04-08 09:19:31
軟件過(guò)壓點(diǎn)測(cè)試方法:利用WWL-LDG直流高壓電源通過(guò)母線(xiàn)排非常緩慢給變頻器供電,變頻器不帶電機(jī),此時(shí)在變頻器運(yùn)行過(guò)程中緩慢調(diào)高母線(xiàn)電壓,直至變頻器報(bào)過(guò)壓故障。測(cè)試要點(diǎn):(1)利用WWL-LDG
2018-04-08 10:22:17
軟件過(guò)壓點(diǎn)測(cè)試方法:利用WWL-LDG直流高壓電源通過(guò)母線(xiàn)排非常緩慢給變頻器供電,變頻器不帶電機(jī),此時(shí)在變頻器運(yùn)行過(guò)程中緩慢調(diào)高母線(xiàn)電壓,直至變頻器報(bào)過(guò)壓故障。測(cè)試要點(diǎn):(1)利用WWL-LDG直流
2018-04-09 09:12:17
藤倉(cāng)自動(dòng)化——在使用的過(guò)程中如何了解欠壓和過(guò)壓保護(hù)電路? 為了所有電氣和電子設(shè)備的良好運(yùn)行,建議允許電壓在規(guī)定的范圍內(nèi)。電源中的電壓波動(dòng)肯定會(huì)對(duì)連接的負(fù)載產(chǎn)生不利影響。這些波動(dòng)可能是由于電壓浪涌
2023-01-16 14:41:52
中的電源保護(hù)。 關(guān)鍵詞: CMOS; 欠壓保護(hù) 1.引言 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等系統(tǒng)中電壓的穩(wěn)定尤為重要,欠壓、過(guò)壓保護(hù)是必不可少的,因此通過(guò)在芯片內(nèi)部集成過(guò)壓、欠壓保護(hù)電路來(lái)提高電源的可靠性
2018-08-27 15:54:31
DN408- 多功能電壓監(jiān)控器簡(jiǎn)化了過(guò)壓和欠壓故障的檢測(cè)
2019-07-23 17:04:32
如何實(shí)現(xiàn)智能音箱的過(guò)壓保護(hù)設(shè)計(jì)?
2022-01-14 07:22:34
鍵盤(pán)、鼠標(biāo)等等,因?yàn)閁SB采用熱插撥系統(tǒng),它極易受到由人體靜電或空氣放電的影響,造成USB集成電路故障。 現(xiàn)代電腦越來(lái)越多的采用低功率邏輯芯片,大多數(shù)USB集成電路都是以CMOS工藝為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)和制造
2013-12-30 10:09:38
VFD過(guò)壓故障在VFD常規(guī)使用中相當(dāng)常見(jiàn)。由于多種原因,該故障可能出現(xiàn)在不同的地方和時(shí)間。解決問(wèn)題的第一步是確定故障發(fā)生的時(shí)間和地點(diǎn)。上電,減速,加速,正常運(yùn)行或空閑時(shí)都可能發(fā)生VFD過(guò)壓故障
2021-03-16 14:32:11
電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平,且低壓電路不會(huì)出現(xiàn)過(guò)載或損壞。在功率路徑控制電路中,電阻分壓器有助于設(shè)置電源欠壓和過(guò)壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗(yàn)證電路常見(jiàn)于汽車(chē)系統(tǒng)、便攜式電池供電
2021-11-30 07:00:00
對(duì)敏感型電子信號(hào)輸入實(shí)施過(guò)壓保護(hù)的可靠新方法
2021-01-06 07:18:24
`防雷過(guò)壓器件分為鉗位型過(guò)壓器件和開(kāi)關(guān)型過(guò)壓器件,開(kāi)關(guān)型過(guò)壓器件就是我們熟知的防雷器件:陶瓷氣體放電管、半導(dǎo)體放電管和玻璃放電管;鉗位型過(guò)壓器件有瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、貼片壓敏電阻和ESD靜電
2017-07-28 11:11:38
``電源部分的保護(hù)方案 在開(kāi)關(guān)電源部分, 推薦的過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)方案如下: TVS管AK6和AK10系列是具有極高額定電流的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),特別為保護(hù)AC和DC輸入電路免受瞬態(tài)電壓損壞
2020-07-06 15:15:08
開(kāi)關(guān)電源常用保護(hù)電路-過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓以及軟啟動(dòng)保護(hù)電路
2016-06-22 08:31:16
`手機(jī)USB充電過(guò)壓保護(hù)解決方案在為手機(jī)充電電路提供過(guò)壓保護(hù)方面,在考慮到遠(yuǎn)高于6?V的電壓情形,如靜電放電(ESD),其瞬間的應(yīng)力電壓可能高達(dá)幾千伏甚至十幾千伏,這種情形下,可以施加瞬態(tài)電壓
2020-01-10 15:49:53
`手機(jī)USB快速充電過(guò)壓保護(hù)設(shè)計(jì)方案在為手機(jī)充電電路提供過(guò)壓保護(hù)方面,在考慮到遠(yuǎn)高于6?V的電壓情形,如靜電放電(ESD),其瞬間的應(yīng)力電壓可能高達(dá)幾千伏甚至十幾千伏,這種情形下,可以施加瞬態(tài)電壓
2019-12-23 08:57:12
電源保護(hù)對(duì)電路以及元器件很重要嗎?電源防護(hù)中的過(guò)壓保護(hù)該怎樣去實(shí)現(xiàn)呢?
2022-01-27 07:26:30
`顯示端口防靜電防過(guò)流保護(hù)方案描述:此方案可提供顯示接口的靜電放電和過(guò)電流保護(hù),避免因頻繁的插拔電纜所造成的短路和 ESD 損害,顯示接口使用的是 3.3V 差分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸,每條通道最高可運(yùn)
2017-04-19 10:31:13
對(duì)于模擬CMOS(互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過(guò)壓(信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓)。了解這兩大危害,用戶(hù)便可以有效應(yīng)對(duì)。
2021-03-09 08:34:53
。而且,兩種方法都沒(méi)有提供針對(duì)過(guò)高電壓的保護(hù)——這種保護(hù)需要更多的電路,包括一個(gè)高電壓窗口比較器和充電泵。欠壓、過(guò)壓和電源反向保護(hù) LTC4365 是一款獨(dú)特的解決方案,可精巧和穩(wěn)健地保護(hù)敏感電路免遭
2022-05-09 14:49:27
方法都沒(méi)有提供針對(duì)過(guò)高電壓的保護(hù)——這種保護(hù)需要更多的電路,包括一個(gè)高電壓窗口比較器和充電泵。欠壓、過(guò)壓和電源反向保護(hù)LTC4365 是一款獨(dú)特的解決方案,可精巧和穩(wěn)健地保護(hù)敏感電路免遭意料之外的高
2019-03-24 11:17:53
`這兩款板子經(jīng)常燒mos管,制程調(diào)查沒(méi)有發(fā)現(xiàn)異常,靜電防護(hù)措施也做得到位,會(huì)不會(huì)是電路設(shè)計(jì)上存在缺陷?Mos損壞主要原因:過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀;過(guò)壓----------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿;靜電----------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電;`
2016-03-02 08:17:52
180到250v過(guò)壓欠壓保護(hù),3到5分鐘延時(shí)
2018-12-19 20:20:32
我的設(shè)備工作電壓是115VAC/400Hz,現(xiàn)在要做過(guò)壓和欠壓兩種浪涌試驗(yàn),過(guò)壓浪涌是180伏、100ms,欠壓浪涌是70V、50ms。請(qǐng)問(wèn)我如何處理我的設(shè)備才能通過(guò)這兩項(xiàng)試驗(yàn)?請(qǐng)各位前輩指點(diǎn)迷津,不甚感激!
2009-07-14 20:00:08
電池保護(hù)板充電過(guò)壓和放電過(guò)壓之后如何恢復(fù)
2014-07-27 13:35:43
` 本帖最后由 電子微創(chuàng)意 于 2019-12-5 16:23 編輯
電源路徑的保護(hù)在產(chǎn)品中非常常見(jiàn),防反接和過(guò)壓保護(hù)尤為常見(jiàn)。下圖是TI的一個(gè)12V防反接和過(guò)壓保護(hù)的電路。這個(gè)板子我已經(jīng)打樣了5塊,歡迎大家參與討論這個(gè)電路的原理,改進(jìn)以及注意事項(xiàng),空板免費(fèi)送3塊!`
2019-12-05 16:12:14
如何防止放大器輸出出現(xiàn)過(guò)壓的電路?
2021-04-12 06:02:42
DC-DC芯片,最高輸入電壓為28V,正常輸入電壓為24V,如何設(shè)計(jì)過(guò)壓保護(hù)電路呢?謝謝。
2019-10-10 09:00:47
一個(gè)簡(jiǎn)單易用的防反接,防過(guò)壓的電路,只需要兩個(gè)器件就可以防反接,防過(guò)壓,具體看看這個(gè)電路
2019-08-30 09:35:55
求分析下這些12V,5V電壓值是怎么算出來(lái)的? 還有欠壓20V,過(guò)壓28V又是怎么來(lái)的? 如何保護(hù)的啊?
2017-04-06 13:04:21
防雷過(guò)壓器件分為鉗位型過(guò)壓器件和開(kāi)關(guān)型過(guò)壓器件,開(kāi)關(guān)型過(guò)壓器件就是我們熟知的防雷器件:陶瓷氣體放電管、半導(dǎo)體放電管和玻璃放電管;鉗位型過(guò)壓器件有瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、貼片壓敏電阻和ESD靜電
2016-12-26 11:25:21
千兆以太網(wǎng)過(guò)壓保護(hù)集成陣列SLVU2.8-4. SLVU2.8-8 SLVU2.8-8系列旨在保護(hù)低壓CMOS設(shè)備免受靜電放電和雷擊感應(yīng)電壓瞬變的影響。 每個(gè)低壓瞬態(tài)抑制二極管都有一個(gè)與之
2022-03-07 14:18:52
摘要:靜電放電(ESD)對(duì)CMOS電路的可靠性構(gòu)成了很大威脅。隨著CMOS電路集成度的不斷提高,其對(duì)ESD保護(hù)的要求也更加嚴(yán)格。針對(duì)近年來(lái)SCR器件更加廣泛地被采用到CMOS靜電保護(hù)電路中的
2010-05-11 08:53:1923 由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大,因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理,從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線(xiàn)路設(shè)
2012-02-02 10:53:2654 在使用模擬CMOS電路時(shí),最安全的做法是確保沒(méi)有超過(guò)電源電壓的模擬或數(shù)字電壓施加到器件上,并且電源電壓在額定范圍內(nèi)。盡管如此,實(shí)施承受過(guò)壓保護(hù)也是有必要的。如果理解了問(wèn)題的機(jī)制,保護(hù)措施在大多數(shù)情況下都會(huì)是行之有效的。
2019-08-19 16:55:052967 對(duì)于模擬 CMOS(互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過(guò)壓(信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓)。了解這兩大危害,用戶(hù)便可以有效應(yīng)對(duì)。
2020-11-25 10:26:0013 由靜電荷積累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的靜電電壓帶來(lái)的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項(xiàng)危害在正常工作的電路中是很小的,因?yàn)闁艠O受片內(nèi)齊納二極管保護(hù),它可使電荷損耗至安全水平。
2023-05-08 09:37:07195
評(píng)論
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