電子發燒友網報道（文/李寧遠）在高功率應用中，通常需要專用驅動器來驅動功率晶體管，不使用專用驅動器一般都會導致電路功耗過高。大多數功率MOSFET和IGBT由柵極驅動器IC驅動，尤其是IGBT，幾乎
2021-11-03 09:33:56
3665 IGBT驅動光耦TLP250功率驅動模塊在IRF840 MOSFET中的應用
2012-06-06 11:56:597045 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-11-24 15:51:59683 
描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的加強版隔離式正負電壓軌。此參考設計采用反激式隔離型控制拓撲，提供符合 IEC61800-5 標準
2018-09-25 10:21:35
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR
2012-07-25 09:49:08
IGBT 102變壓器隔離驅動模塊原理圖紙 我公司中頻電源用變壓器隔離驅動模塊原理圖紙，采用變壓器隔離比光耦有完全隔離的優勢。u 單管大功率 IGBT 模塊驅動器。變壓器信號耦合，延遲小，工作頻率高
2013-01-17 13:54:30
`大家一起上傳IGBT并聯應用 功率器件交流群：215670829（500人） `
2013-03-25 11:19:45
隔離措施，以提高系統抗干擾措施，可采用帶光電隔離的MOSFET驅動芯片TLP250。光耦TLP250是一種可直接驅動小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日本東芝公司生產，其最大驅動能力達1.5A
2012-06-14 20:30:08
現有IGBT 型號為H20R1202 要設計他的驅動電路，在哪里找資料？或者有沒有設計過IGBT驅動電路的，能分享嗎？現在有一個驅動MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅動上嗎？
2016-04-01 09:34:58
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發展起來的全控型功率半導體器件，它是由MOSFET（場效應晶體管）與GTR（大功率達林頓晶體管）結合，并由前者擔任驅動，因此具有
2018-10-17 10:05:39
IGBT的特點可以從其全稱中了解一二：絕緣柵雙極晶體管。所謂絕緣柵，是指IGBT與MOSFET類似，作為控制的門級和功率電路部分是絕緣的，之間沒有通過導體或半導體電氣連接。門級只要出現一定的電壓，在
2023-02-16 15:36:56
引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷
2021-09-09 09:02:46
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域。開關電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET轉換到IGBT，必須對柵極驅動電路進行調節。 傳導損耗需謹慎 在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極
2020-06-28 15:16:35
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
這個損耗看成器件的感性關斷損耗。3）開關損耗：開通損耗：考慮二極管反向恢復后：關斷損耗：驅動損耗：十、功率MOSFET的選擇原則與步驟1）選擇原則：a.根據電源規格，合理選擇MOSFET 器件（見下
2021-08-29 18:34:54
：考慮二極管反向恢復后：關斷損耗：驅動損耗：功率MOSFET的選擇原則與步驟（1）：選擇原則（A）：根據電源規格，合理選擇MOSFET 器件（見下表）：（B）：選擇時，如工作電流較大，則在相同的器件額定
2021-09-05 07:00:00
功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應，過載，短路等條件所造成的損害。本在線
2018-11-05 15:38:56
以適合更高功率的驅動器。此參考設計還利用推挽式拓撲的另一個優點，即可以從單個控制器并行控制多個變壓器，從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后，用于更高功率驅動器的更大 IGBT
2015-03-23 14:35:34
以適合更高功率的驅動器。此參考設計還利用推挽式拓撲的另一個優點，即可以從單個控制器并行控制多個變壓器，從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后，用于更高功率驅動器的更大 IGBT
2015-04-27 17:31:57
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
利用3525做一個24v的隔離電源，為igbt驅動供電，驅動用3120來隔離，mc33153來做保護，請各位大神給講講原理，不太懂電源的推挽輸出，還有mc33153和3120的連接部分
2016-05-08 21:02:46
控人機界面方案商的工程師（熟悉通信互聯，并不熟悉執行部分和元器件構成），本文提供IGBT和MOSFET基礎知識和工程選型要領。一般認為IGBT個大功率大，MOSFET適合開關和小電流驅動，其實IGBT
2022-06-28 10:26:31
智能功率模塊 （IPM） 是一種功率半導體模塊，它將運行 IGBT 所需的所有電路集成到單個封裝中。它包括所需的驅動電路和保護功能，以及IGBT。通過這種方式，可以從現有的IGBT技術中獲得最佳
2023-02-24 15:29:54
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環境下特性相近的產品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區別：關斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關特性優異，可處理
2018-12-03 14:29:26
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
應用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設備所需的驅動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
;IGBT集中應用于焊機,逆變器,變頻器,電鍍電解電源,超音頻感應加熱等領域 開關電源 (Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即
2017-04-15 15:48:51
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行
2019-03-06 06:30:00
描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率
2023-02-10 15:33:01
的問題，如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結出以下幾點：詳細的講解，見附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驅動電路對比講解1、MOSFE作為大功率器件的驅動方案 2、IGBT作為大功率器件的驅動方案`
2021-03-02 13:47:10
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的加強版隔離式正負電壓軌。此參考設計采用反激式隔離型控制拓撲，提供符合 IEC61800-5 標準
2015-04-27 18:16:34
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
電子技術的能量變換與管理應用中，越來越成為各種主回路的首選功率開關器件，因此如何安全可靠地驅動igbt工作，也成為越來越多的設計工程師面臨需要解決的課題。 在使用igbt構成的各種主回路之中，大功率
2012-12-08 12:34:45
是由光耦和功率緩沖器構成，如hcpl-3150 等，如圖1所示。它將普通控制信號的ttl/cmos輸入電平信號轉變為正負十幾伏的igbt門極驅動輸出電平，正負電平的幅值取決于隔離電源。圖1
2012-07-09 15:36:02
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
描述 TIDA-00448 參考設計是帶有雙極性閘極電壓的隔離式 IGBT 閘極驅動程序，旨在用于驅動所需高峰值閘極電流高達 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 電源塊就在此范圍內
2018-09-04 09:20:51
電源? 低噪聲燈絲電源? IGBT 柵極驅動電源3 說明VPS8703 是一款專門為小體積、低待機功耗的微功率隔離電源而設計的變壓器驅動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流
2022-11-11 14:44:13
電動汽車、風能/太陽能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡介圖 1 功率MOSFET和IGBT結構示意圖IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構成的，其理想等效電路如下圖所示：圖 2
2015-12-24 18:13:54
適合更高功率的驅動器。此參考設計還利用推挽式拓撲的另一個優點，即可以從單個控制器并行控制多個變壓器，從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后，用于更高功率驅動器的更大 IGBT 需要
2018-09-20 08:49:06
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
選取最小值，以提高其耐短路能力)。1.2 對電源的要求 對于全橋或半橋電路來說，上下管的驅動電源要相互隔離，由于IGBT是電壓控制器件，所需要的驅動功率很小，主要是對其內部幾百至幾千皮法的輸入電容
2016-11-28 23:45:03
選取最小值，以提高其耐短路能力)。1.2 對電源的要求 對于全橋或半橋電路來說，上下管的驅動電源要相互隔離，由于IGBT是電壓控制器件，所需要的驅動功率很小，主要是對其內部幾百至幾千皮法的輸入電容
2016-10-15 22:47:06
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
的效率。要做到這一點，電機控制電路必須很快地開關流向電機線圈的電流，在開關上面需要達到最小的切換時間或導電期間的損失。 要滿足這些需求需要使用MOSFET和IGBT。這兩種半導體器件都可以用于電機驅動
2016-01-27 17:22:21
IGBT的驅動與保護電路研究：對電力電子功率器件IGBT的開關特性、驅動波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護方法進行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅動電路和一種典
2009-05-31 12:33:15
64 IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術:介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅動技術以及當前市場上的各類成品驅動器的性能特點。關鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 功率MOSFET的隔離式柵極驅動電路
2009-04-02 23:36:182182 
本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設計了一種隔離驅動電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V/-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結構。
2011-08-19 11:35:1211058 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 本文介紹了MOSFET/IGBT 半橋驅動芯片IR2111 的使用情況, 分析了其工作電路中外圍各元器件的作用, 同時指出了在使用過程中應注意的一些問題和現象, 并對不同公司的MOSFET/IGBT 驅動芯片作了簡要介紹。
2016-06-15 17:36:420 ， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、
2017-06-01 08:38:169 PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅動
2017-10-26 16:52:4614 本文主要對逆變器等功率裝置的IGBT驅動電路進行研究，從門極驅動電壓、門極驅動電阻、驅動電路功率與IGBT的關系以及驅動保護等方面分析了驅動電路的設計。最后設計了以基于光電耦合器HCPL316J的驅動電路，計算了電路的參數。通過驅動實驗和短路保護實驗，驗證了設計的正確性。
2018-06-01 11:33:5669 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種電壓控制型功率器件，它所需驅動功率小，控制電路簡單，導通壓降低，且具有較大的安全工作區和短路承受能力。因此，目前IGBT已在中功率以上的電力電子系統中（如變頻器
2019-01-11 11:19:5749 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態驅動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
、全控型器件和不可控型器件，其中晶閘管為半控型器件，承受電壓和電流容量在所有器件中最高；電力二極管為不可控器件，結構和原理簡單，工作可靠；還可以分為電壓驅動型器件和電流驅動型器件，其中GTO、GTR為電流驅動型器件，IGBT、電力MOSFET為電壓驅動型器件
2022-12-08 14:48:341066 本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGBT驅動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 IGBT及MOSFET隔離驅動為可靠驅動絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當驅動信號與功率器件不需要隔離時，驅動電路的設計是比較簡單的，目前也有了許多優秀的驅動集成電路。
2021-02-08 17:38:007374 
ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 電子發燒友網報道（文/李寧遠）在高功率應用中，通常需要專用驅動器來驅動功率晶體管，不使用專用驅動器一般都會導致電路功耗過高。大多數功率MOSFET和IGBT由柵極驅動器IC驅動，尤其是IGBT，幾乎
2021-11-08 09:28:072297 速度比較快，因此關斷過程中不會產生負壓，但值得一提的是，在干擾較重的情況下，這一現象是有助于提高可靠性的。本文將針對IGBT以及MOSFET器件的隔離驅動技術進行大致的介紹，幫助大家理解。...
2022-02-11 14:53:527 的柵極輸入供應所需的峰值充電電流，來打開器件。該目標通過向功率半導體的柵極提供正壓(V OH )來實現。若要關閉MOSFET或IGBT，需拉起驅動器件的柵極至0電壓(V OL )或更低。 許多功率控制應用采用兩個或兩個以上串聯功率半導體的“圖騰柱”上橋和下橋連接。上橋N溝道MOSFET漏極連接至電源
2022-12-07 19:30:07510 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅動器等系統中的開關元件。柵極是每個設備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
智能功率模塊（IPM）是一種功率半導體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需的驅動電路和保護功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429 
非隔離型柵極驅動器與功率元器件
2023-02-08 13:43:24355 
本文的關鍵要點?IPM是“Intelligent Power Module”的縮寫，IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件單體（分立產品）與驅動電路、保護電路等電路的模塊的統稱。
2023-02-13 09:30:151495 
IGBT在MOSFET基礎上升級，市場空間增速快。IGBT作為半導體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應
管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2023-02-15 16:26:3234 隔離驅動IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號轉換為高電壓的控制信號，從而控制IGBT晶體管的開關，從而實現高效的電力控制。
2023-02-15 16:47:24788 式功率半導體器件。
上次從IGBT的名稱入手，搞清楚了IGBT柵極和雙極性所包含的背后意義。這次我們從IGBT的定義出發，來看看為什么說IGBT是由BJT和
MOSFET組成的器件？它們之間有什么區別和聯系？在應用的時候，什么時候能選擇IGBT、什么時候選擇BJT、什么時候又選擇MOSFET管
呢？
2023-02-22 14:51:281 MOSFET之間驅動參數的實際差異。 參考資料：《IGBT以及MOSFET的驅動參數的計算方法》concept 1.模塊所需驅動功率的計算2.門級電荷說明3.峰值驅動電流公式4.輸出電壓擺幅的變化5.最大開
2023-02-22 14:45:3912 說明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關，比如工作電流，電壓，驅動電阻。在出設計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅動參數后（驅動電阻大小，驅動電壓等），開關器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543 ， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流
密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的
優點，驅動功率小而飽和壓降低。
2023-02-23 09:52:070 SLM27517 單通道，高速，低側柵極驅動器器件可以有效地驅動MOSFET和IGBT功率開關。使用設計其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉換為電容性負載軌對軌驅動能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583451 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:13355 
、MOSFET和SiCMOSFET等功率開關。該板預裝了兩個CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H，一個額外的柵極驅動IC用于隔離從上橋臂到邏輯控制側
2023-07-31 17:55:56430 
驅動光耦產品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC，內置保護操作自動恢復的功能。該器件主要用來實現逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
電子發燒友網站提供《隔離驅動IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費下載
2023-11-14 14:21:590 因IGBT具有電流拖尾效應，在關斷時要求更好的抗干擾性，需要負壓驅動。MOSFET速度比較快，關斷時可以沒有負壓，但在干擾較重時，負壓關斷對于提高可靠性有很大好處。
2023-11-14 15:07:324 電子發燒友網站提供《現代IGBT/MOSFET柵極驅動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT是一種高性能功率半導體器件，常用于驅動大功率負載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構成。它結合
2024-01-12 14:43:521681 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
（典型值），采用SOW-18（寬體）封裝， 高達5000Vrms的隔離電壓，適用于于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42:59
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