全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor）和英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x
2012-02-10 09:07:56
529 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產品系列，專為提升系統效率及易于使用所設計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術區間。
2012-11-13 08:54:331678 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產品是有超結（Super Junction）構造的功率MOSFET“CoolMOS系列產品”，由奧地利菲拉赫工廠生產。
2013-02-25 08:53:001733 英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費類電子產品和照明產品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來介紹CE系列CoolMOS產品應用于LED球泡燈驅動器的案例。
2015-03-24 13:50:073701 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 Teledyne e2v是Teledyne Technologies旗下公司，同時也是成像解決方案領域全球創新者，它借助新推出的1100萬像素檢測器，進一步擴充了Lince系列圖像傳感器。
2019-04-15 11:37:451247 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯作業進行了優化。
2020-11-04 11:20:371482 安富利旗下全球電子元器件產品與解決方案分銷商e絡盟宣布新增博通全新系列微型光譜儀及相關評估套件，進一步擴充其測試與測量產品陣容。新增系列產品讓現場工程師與實驗室工程師只需通過e絡盟即可便捷地購買到業內一流的光譜儀，均可當日發貨。
2022-01-18 13:51:18600 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361028 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431207 
：IFNNY）順應系統層面的發展趨勢，推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:37494 
：“英飛凌多年來一直引領著功率半導體的發展，致力于進一步提高電源管理效率，是一個值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導體器件，我們能夠將三種應用整合到一個系統中，向著綠色能源的發展目標邁出了一大步
2022-08-09 15:17:41
近日，***進一步削減其2013年上網電價補貼，削減幅度為9.23%至11.88%，而同時將其太陽能發電裝機容量目標提高30%?！ ?**媒體報道，***經濟部能源局（BureauofEnergy
2012-12-04 19:50:52
的電壓應力，可以采用更低的電壓MOSFET從而減少成本。5．無需輸出電感，可以進一步降低系統成本。6．采用更低電壓的同步整流MOSFET， 可以進一步提升效率。3.LLC 電路的基本結構以及工作原理圖1
2018-12-05 09:56:02
你好E4406A有問題----當我啟動時 - 設備按我的意愿啟動自動對齊，但是當它達到adc對齊時它不會更進一步。根本沒有消息。可以用abort終止它，并且分析儀似乎正常工作---- ??我可以用
2018-12-28 16:06:57
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
某一個30A單相的設計實例，進一步闡明這些概念。 計算MOSFET的耗散功率 為了確定一個MOSFET是否適合于某特定應用，你必須計算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關損耗兩部分
2023-03-16 15:03:17
進一步減小，甚至消除。 結論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設計工程師設計出更高功率密度的產品。開關性能的優化可使許多應用選用一個更低電壓等級的MOSFET，從而全面優化通態電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
進一步減少所需的組件?！ {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術，PTVA127002EV展現出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
及設備用電安全的需要，更進一步提高電源的可靠性，及時發現供電隱患，提高設備的運行壽命，對電源進行在線管理已經成為普遍的需求。針對早期的UPS電源的RS232標準，已經無法滿足目前計算機硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
進一步理解量子力學經典理論與應用 多方面豐富相關圖表為了進一步深入理解量子力學理論經典及其應用，從多個方面豐富內容，附圖頁碼一致，符合國際標準。聲學，聲波自然現象，以及經典原子理論的應用等對理解量子力學經典之波的概念有益。大灣區2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
讓我們進一步聆聽大師對量子力學歸屬的現代物理的解說，及其常用圖表iii（待續3）“現代物理”術語通常指的是二十世紀物理學快速的概念發展。相對的，在1900年之前艱辛地發明的所有的物理學都標記
2020-06-28 17:48:16
已經在友好的ARM中開發了android布局，以顯示M24LR內存中的溫度和消息。我想知道如何進一步開發工作應用程序。 是CR95HF DLL文件有幫助嗎。 我們檢查了PC軟件，NFC＆amp; amp;的可用代碼。數據記錄器應用程序。#software＃raspberry-pi＃cr95hf
2019-08-22 11:10:49
適合對C語言有一定基礎積累的童鞋 想進一步學習C語言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
專家：1、這個指標的紋波是否在設計許可的范圍之內？在一般情況下，DC-DC電源轉換的紋波在一個什么范圍內可以認為是正常的？2、從原理圖上，pcb圖上，這個設計是否還能夠進一步優化降低紋波？還請指出。
2014-10-28 15:59:25
我有一個設計，生成一堆以下消息：錯誤：包：1107- 包無法將下面列出的符號組合成單個IOB組件，因為所選的站點類型不兼容。但他們沒有進一步的信息說明哪些符號。我還有一堆尚未連接的符號。是否由于斷開
2018-10-15 11:45:18
功率放大器的需求將進一步提高。RF 功率 MOSFET在無線電通訊領域也有應用，其頻率已延伸至低微波段且輸出功率可達百W以上。它同時也應用于電視(特別是數字電視)功率放大器、雷達系統和軍事通訊中。隨著
2019-07-08 08:28:02
SOP位移傳感器防水功能將進一步提高位移傳感器應用的行業越來越廣，使用的環境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進一步降低待機模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
你好，我有一個小問題。我使用100m時鐘芯片。每個時鐘只有10ns，ad9106寄存器的最小輸出波形只有100Hz。如何將波形頻率設置為進一步降低到10Hz？我已將配置設置為相關寄存器的最大值。拍
2023-12-01 06:12:19
借這個機會，申請這塊開發版，便于日常學習，而且我即將大四了，希望用這塊開發版能更進一步的學習，一則方便之后的課設，二則便于找工作，三則嵌入式也是自己敢興趣。衷心希望能獲得這次機會，謝謝。項目描述：之前
2015-06-24 17:06:36
【OK210試用體驗】u-boot篇 -- u-boot進一步定制 從u-boot單板的自定義，到SPL的移植，都還沒有完全定制出自己的S5PV210單板信息，還是摻雜著S5PC100
2015-09-07 11:38:52
項目名稱：進行進一步學習和研究試用計劃：此前一直從事單片機開發，想進一步深入學習各種MCU，看到有此活動，特來申請。也為下一步項目無人機攝像頭驅動選擇合適的芯片。
2020-04-23 10:36:17
【單片機開發300問】怎樣進一步降低功耗功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時工作電流小于2mA）。為進一步降低
2011-12-07 13:59:56
/DC開關電源的設計開發。2009年加入英飛凌科技（中國）有限公司。任系統應用工程師，負責英飛凌功率半導體器件的應用和方案推廣。演講內容介紹：英飛凌新的OptiMOS產品為MOSFET分離器件設立了一個
2012-07-13 10:50:22
初學linux，安裝了Ubuntu系統界面，請教該如何進一步快速學習，大家有什么好的初學的資料分享一下，謝謝啦
2015-08-24 18:39:29
初學者除了學好書本上的基本知識外，如何能進一步學習Protel
2017-03-03 09:19:29
國內第一顆量產超結MOS（可替代英飛凌coolmos）大家好！我司是國內專業設計大功率MOS器件的公司。現我司已經實現了SJ-MOS的量產，可替代英飛凌的coolmos。這是我公司的網址
2011-01-05 09:49:53
（使用FPGA引腳和DAC）任何人都可以給出一些答案如何進一步使用以上兩個文件查看DSO上的輸出 提前感謝你Counter.v 3 KB以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hello to all
2019-07-03 08:41:24
各位大俠好，最近公司要求將CC2640R2模塊的功耗進一步縮減，我應公司要求做了一個最簡電路，目前外圍電阻、電位器、LED等繁雜的元件已盡數砍掉，現在測量出僅中心的綠板CC2640R2模塊待機功耗在
2019-10-21 10:02:32
如何進一步加強對RFID的安全隱私保護？
2021-05-26 06:09:27
時間為9:00到11:00），也可以刷卡打開閘機。閘機配有發卡器和讀卡器。請問附件中的通訊協議是屬于TCP/IP協議嗎？如果方便遠端的計算機控制閘機，是不是要進一步封裝附件中的通訊協議呢？例如，建立一個
2017-12-08 00:26:24
GN1302 晶振引腳連接 2 個 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進一步提高精度?時鐘每天慢 4 秒是因為晶振的外部負載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負載電容參數為
2022-12-29 17:36:43
一、引言內存是嵌入式系統中的關鍵資源，內存占用主要是指軟件系統的內存使用情況。本篇博客將介紹如何分析內存使用以便進行進一步優化內存占用相關的基礎概念和相關工具。二、內存占用內存占用是應用程序運行時
2021-12-15 06:05:33
如何讓計算機視覺更進一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
傳感器為震動速度傳感器，待提取信號頻率0.1~200Hz ,幅度幾十uV，原來采用AD620放大，現在希望進一步降低功耗與噪聲，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
網絡時間協議NTP是什么意思？NTP授時的原理是什么？怎樣去進一步提高NTP的授時精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、電視手機。這些采用多種RF技 術的手機在提供便利的同時也使得手機的設計變得復雜，如何進一步集成射頻元件也變得至關重要。
2019-08-27 08:33:19
及2006年推出了OptiMOS、OptiMOS2、OptiMOS3，；在1998年推出第一顆以SuperJunction技術為核心的CoolMOS S5系列，一舉將600V功率晶體的最低導通電阻降至190m
2018-12-05 09:46:52
基于“中國制造2025”，業界已加大投入發展先進制造業，以實現互聯網、大數據、人工智能和實體經濟的進一步融合，并建立世界級先進的制造業集群，推動國家產業邁向全球價值鏈的中高端。作為電子元器件與開發
2018-09-05 10:53:24
級放大再加給AD7714時，測得人分辨率還要低一些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號，該信號相對來說很穩定，而且板上的噪聲也不是太大。請問各位大蝦，還有什么方法可以進一步提高AD7714的分辨率??？不勝感激！
2023-12-25 06:33:32
C6748通過攝像頭采集的圖像如何進一步處理，比如如何導入到MATLAB里面處理？？
2018-07-25 06:23:56
如何進一步減小DTC控制系統的轉矩脈動？
2023-10-18 06:53:31
%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產品陣容現狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
e絡盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F開發板，進一步豐富其面向基于ARM Cortex-M4內核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器
2018-09-17 17:41:34
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44594 Altera增強MAX II系列，進一步拓展其CPLD應用
Altera公司宣布，提供工業級溫度范圍以及功耗更低的MAX IIZ器件，從而進一步增強了MAX II CPLD系列。MAX IIZ CPLD完美的結合了邏輯
2009-11-05 09:53:581283 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統
2010-01-26 09:22:57827 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:47731 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）系統和汽車啟停系統的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41648 飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807 全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 （Fairchild Semiconductor）和英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5
2012-02-17 10:53:56686 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 世強作為中國本土最知名的元件分銷商，進芯電子專注數字信號處理芯片研發。據報道，世強宣布與進芯電子達成代理協議，進一步擴充產品線，銷售其全線產品。
2018-02-03 10:57:011262 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成
2018-05-18 09:04:001989 20世紀80年代末期和90年代初期發展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導體復合器件，表明傳統電源技術已經進入現代電源技術的新興時代。詳細介紹了英飛凌公司
2018-06-26 16:48:007652 東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102 SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
Qorvo?， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）宣布收購專注于UWB定位技術的企業Decawave，進一步擴充公司的產品線。
2020-02-25 11:23:142539 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。
2022-02-21 16:47:15835 OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
提供商適用于各大汽車品牌。此次收購進一步增強了英飛凌在安全智能訪問、精確定位和增強傳感方面的產品系列。英飛凌現在將UWB添加到其連接范圍中，包括Wi-Fi、Bluetooth?/Bluetooth? 低功耗和NFC解決方案。第一組物聯網用例包括安全訪問和身份驗證、準確位置跟蹤和室內導航，以及利用
2023-10-12 17:25:42299 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
【 2024 年 2 月 28 日，德國慕尼黑訊】 為實現有雄心的增長目標，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正進一步強化其銷售組織。自3月1日起，英飛凌的銷售
2024-03-01 16:31:3078 
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